论文摘要
空穴注入层（HIL）在量子点发光二极管（QLEDs）中有重要作用。使用低温溶液法制作了Mo Ox纳米颗粒,将其在氧化铟锡（ITO）玻璃上旋涂成膜后使用不同温度进行退火处理,并作为空穴注入层进行量子点发光二极管的制作。实验结果表明,氧化钼薄膜有着与ITO玻璃阳极和Poly-TPD空穴传输层匹配的能级,可用作量子点发光二极管的空穴注入层,而使用经100℃退火处理后的MoOx薄膜作为空穴注入层的器件性能最佳:器件启亮电压为2.5 V,最高外量子效率为11.6%,在偏压为10V时,器件的最高亮度达到27 100 cd/m2。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 张婷婷,顾小兵,杨培志,熊楠菲,李凤,张芹,李清华
关键词: 氧化钼,低温溶液法,量子点,纳米颗粒,发光二极管
来源: 太赫兹科学与电子信息学报 2019年03期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工,无线电电子学
单位: 云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,南昌航空大学江西省光电检测技术工程实验室
基金: 国家自然科学基金面上基金资助项目(11774141,61765011),云南师范大学研究生科研创新基金资助项目,广东省普通高校青年创新人才类资助项目(2018KQNCX153),云南省基础研究重点资助项目(2017FA024)
分类号: TN312.8;TQ136.12
页码: 519-523
总页数: 5
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