导读:本文包含了变容管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:薄膜,衬底,滤波器,可调,目的论,模型,参数。
变容管论文文献综述写法
王魁松,丛密芳,阎跃鹏,梁晓新[1]（2018）在《基于变容管的0.5 GHz～1.2 GHz宽带可调谐功率放大器设计》一文中研究指出针对无线通信系统向多频、微型等方向发展的需求,基于负载牵引系统测试出的功率器件最大输出时的源阻抗和负载阻抗,采用基于变容管的频率调谐技术,输入输出匹配均采用可调谐匹配网络的形式,设计了一款在0.5 GHz~1.2 GHz内可宽带调谐的功率放大器。测试结果表明,该功率放大器频率调谐比达82.3%,且在调谐频率范围内1 dB压缩时的输出功率均大于32.1 dBm,增益大于10.1 dB,漏极效率大于38.4%。(本文来源于《电子器件》期刊2018年01期）
朱袁科,李文钧,陆海燕,刘军[2]（2018）在《一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型》一文中研究指出提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用(open+short)去嵌方法进行去嵌。通过调节模型参数拟合测试曲线得到FinFET变容管模型。该模型可精确表述FinFET变容管全工作区域特性,解决传统MOS变容管模型无法准确描述叁维FinFET器件变容特性的问题。模型和模型参数提取方法采用20个硅鳍、16个栅指、158 nm栅长、578 nm栅宽的FinFET变容管进行建模验证,模型仿真和测试所得C-V,R-V和S参数特性吻合良好。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年01期）
孙文娟,王曦雯,刘洋,杨时红[3]（2017）在《VHF波段变容管调谐式超导陷波器》一文中研究指出设计制作了一款VHF波段变容管调谐式超导陷波器,该陷波器采用一种结构紧凑的电容加载的矩形回路谐振器,谐振器与主线之间的耦合形式为混合耦合。通过调节加载在谐振器上变容二极管的反偏电压,实现带阻滤波器中心频率可调。测试表明,陷波器中心频率可调范围为251~360MHz,陷波器中心频点抑制>40dB,3dB带宽<9dB,插入损耗<0.5dB。(本文来源于《低温与超导》期刊2017年06期）
李文钧,陈小川,刘军[4]（2016）在《一种简化衬底模型的SOI MOS变容管模型》一文中研究指出提出一种适用于反型层RF SOI MOS变容管行为表征模型。在BSIMSOI的基础上,模型采用简化的衬底模型和外围射频寄生模型来表征变容管的射频寄生效应,同时采用T、π互转的方式提出参数提取算法。模型最终应用到华虹宏力SOI工艺提供的不同栅指,每栅指长度为1.6μm、宽度为5μm的MOS变容管器件,并且在15 GHz以下,模型与测量数据的CV、QV以及S参数有较好的拟合。在高频情况下,模型既保证了精度又解决了参数提取困难等问题。(本文来源于《电子器件》期刊2016年06期）
姚青[5]（2016）在《科技论文汉英长句翻译技巧》一文中研究指出近年来,中国在科技领域上取得了一些重大的成就。但由于语言的障碍,中国的一些先进技术不为其他国家所知,所以,准确及时的科技论文翻译显得尤为重要。本实践报告是以作者翻译的“高耐压BST薄膜介质变容管研究”科技论文的汉英翻译为基础,通过比较中英句式的特点,重点分析了该论文英译文本的难点——汉语长句的英译,在此基础上提出了相应的翻译技巧。众所周知,长句普遍存在于科技论文中,然而长句翻译对译员来说着实是个重点同时也是难题,所以长句翻译对科技文的翻译至关重要。本报告分为四个章节:翻译项目报告的描述;中英句式的特点及目的论;项目中的长句分析与翻译技巧;翻译总结。在目的论叁个基本原则的指导下,作者根据中英句式的不同特点及英语读者的阅读习惯,主要运用了分译,词性转换和语序调整叁个翻译技巧对原文长句进行了较为成功的英译。本实践报告在比较中英句式不同特点的基础上,分析本次翻译的难点从而寻求相应的翻译技巧来解决这些困难。(本文来源于《成都理工大学》期刊2016-04-01）
沈国荣,陈小川,刘军[6]（2015）在《一种新的解析提取RF SOI MOS变容管衬底模型参数的方法》一文中研究指出本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型。提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型参数的方法。采用提出的模型,精确预见了RF SOI MOS变容管器件特性,测量和模型仿真结果,在20 GHz频率范围内得到很好的吻合。(本文来源于《中国集成电路》期刊2015年06期）
宋阳[7]（2014）在《高耐压BST薄膜介质变容管研究》一文中研究指出随着通信技术的快速发展,单一频段的通信系统已经无法满足现代通信的需求。通信设备的小型化和集成化要求通信系统能够独立对多个频段进行扫描,最大限度的完成数据传送,所以迫切需要一种可以工作在不同频段的微波调谐器件来满足通信系统的需要。同时,雷达通信系统和大功率通信干扰系统中也出现了各种新型高频、高耐压电子设备,这些设备的突出特点就是工作电压较大,有时还具有较大的工作电流。所以,应用于大功率电路中的电子元器件必须有较高的耐压值以及较大的功率承载能力。基于宽频带和大功率通信的需求,研究高耐压微波调谐器件就显得尤为重要。本论文通过研究制备工艺条件对钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜变容管漏电流特性的影响,研制了高耐压、高可调的BST薄膜介质变容管,研究了BST薄膜变容管高频性能,为BST薄膜介质变容管在高频大功率电路中的应用打下了基础。主要研究内容和结果如下:1.通过固相烧结法制备了掺杂Mn2+的BST陶瓷溅射靶材。烧结之前加入摩尔含量为2%的乙酸锰(C4H6MnO4)进行Mn2+掺杂,Mn2+的受主掺杂可以中和自由电子,降低自由电子浓度,由此降低薄膜的漏电流和介电损耗度,提高BST薄膜变容管的耐压强度。2.使用射频磁控溅射系统和微细加工工艺,在不同基片温度、溅射气压、和氧氩流量比等条件下制备BST薄膜变容管,优化相关工艺参数,制备高耐压、高可调的BST薄膜变容管。在最佳工艺条件下制备的BST薄膜变容管在外加电场为2000kV/cm时,可调达到了53.7%,而且具有良好的频率稳定性,在外加电场为3000kV/cm时漏电流密度不大于1.0×10-4A/cm2,耐压强度达到了140V左右。3.采用矢量网络分析仪,通过单端口和双端口测试方法对变容管高频S参数进行测试,提取变容管的电容值和Q值。由于寄生参数影响,变容管的电容值随着频率增大有所增加,Q值随着频率增大而减小,在4GHz时约为2,高频时Q值急剧减小是由变容管上下电极的电导损耗引起的。(本文来源于《电子科技大学》期刊2014-04-02）
宋阳,周勇,蒋书文[8]（2013）在《溅射气压对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜变容管漏电特性影响研究》一文中研究指出在氧气和氩气的混合气体中,采用射频磁控溅射方法在蓝宝石基片上溅射生长了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)薄膜,使用微细加工工艺制备了BST薄膜变容管,研究了溅射气压对薄膜变容管漏电流特性的影响。结果表明在基片温度800℃,溅射气压2.0 Pa,氧氩分压比为3:17的条件下沉积的BST薄膜结构致密,表面平整,所制薄膜变容管具有较小漏电流,在较高外加电场强度(3.0×106V/cm)下其漏电流密度不超过1.3×10–4A/cm2,耐压可以达到120 V,调谐率约为53.7%。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2013年11期）
李汝冠[9]（2013）在《低损耗BZN/BST介电薄膜及微波变容管技术研究》一文中研究指出微波调谐器件通过调控微波信号的频率、相位或幅度，能够简化电路、降低元器件数目、提高系统性能，是现代通讯系统的发展趋势。基于介电薄膜材料的介质变容管技术具有响应速度快、功率容量大、功耗小、成本低和易集成的优点，被认为是微波调谐器件的重要发展方向。目前研究较集中的介电可调材料是BaxSr1xTiO3（BST）薄膜材料，其特点是介电调谐率大、但介电损耗较高，不能满足高性能微波调谐器件的应用要求。近些年发现的烧绿石结构Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7（BZN）薄膜材料介电损耗很低，但介电调谐率较小。本论文将高可调的BST薄膜材料与低损耗的BZN薄膜材料复合，研制兼具低损耗和高调谐率的BZN/BST复合薄膜，开展高性能BZN/BST薄膜变容管技术研究，探索介质薄膜变容管在微波调谐器件的应用研究。主要内容和结论如下：1.采用射频磁控溅射法制备BZN/BST复合薄膜，研究了BZN/BST复合薄膜的介电性能。从电介质串联理论出发，建立了双层复合可调介质薄膜介电性能与结构关系参数模型，通过优化控制BZN/BST复合薄膜的各层厚度比，获得了具有低损耗、高可调的BZN/BST复合薄膜。研制的BZN/BST复合薄膜的介电损耗为~0.78%，在偏置电场1MV/cm下的介电调谐率为~46%。2.研究了BZN/BST复合薄膜的界面效应和漏电特性。研究结果表明，BZN薄膜的费米能级在带隙中比BST薄膜的费米能级深，在BZN-BST界面处形成的界面势垒提高了BZN/BST复合薄膜的P-F发射（Poole-Frenkel emission）漏电机制的开启电场，从而降低了薄膜的泄漏电流。另外，由于BZN薄膜的引入增大了介质薄膜与上电极接触面的势垒高度，减小了肖特基发射电流，从而也有利于降低复合薄膜的泄漏电流。因此， BZN/BST复合薄膜具有低损耗、高可调和低漏电流的特点。3.对BZN/BST介质薄膜变容管进行了高Q值结构设计研究，提出了一种新的平板型变容管多指电极结构。多指电极结构是多电容并联结构，与单电容结构相比具有较高的Q值，同时还具有更好的可靠性，特别适合较大容值的介质薄膜电容设计。4.采用微细加工技术研制了BZN/BST薄膜变容管。利用反转光刻胶优化了电极的图形化工艺；以HF酸为刻蚀剂、NH4F为络合剂、HNO3为助溶剂、去离子水为稀释剂的刻蚀液能很好地刻蚀介质薄膜，解决了BZN/BST复合薄膜的图形化问题。5.研究了BZN/BST介质薄膜变容管的高频介电性能。结果表明，研制的BZN/BST介质薄膜变容管在高频下具有较高的Q值，在100MHz时Q值仍达到150，变容管的电容值及调谐率具有良好的频率稳定性和温度稳定性。随频率的升高，变容管Q值主要由电极损耗决定，其Q值随频率的升高而下降。采用高电导率电极、加厚电极的方法能够减小电极损耗，从而提高变容管的高频Q值。将研制的BZN/BST薄膜变容管用于工作频率为445MHz的移相器中进行应用验证，结果表明移相器的最大插入损耗为~0.9dB，显着优于半导体变容管。6.研制了基于BZN/BST薄膜的采用周期性负载电容结构的X波段传输型移相器。为了改善阻抗匹配，将变容管负载在单节传输线两端，减小了移相器的回波损耗和插入损耗。研制的BZN/BST薄膜移相器在12GHz时的回波损耗优于-13dB，最大插入损耗为-4dB，能够提供0至65°连续变化的相移量。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-04-01）
周瑾[10]（2012）在《一种变容管电调滤波器简介》一文中研究指出介绍一种利用变容二极管设计的电调滤波器。该电调滤波器是利用变容二极管的特性来设计的,是一种小型带通滤波器,具有低插损、高选择性、体积小的特点。本文以一个30Mhz～90Mhz的电调滤波器为例,详细介绍了此类滤波器的设计方法。经此方案设计的电调滤波器可以达到令人满意的指标要求,滤波效果好,具有非常良好的实用价值。(本文来源于《科技创业家》期刊2012年16期）
变容管论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用(open+short)去嵌方法进行去嵌。通过调节模型参数拟合测试曲线得到FinFET变容管模型。该模型可精确表述FinFET变容管全工作区域特性,解决传统MOS变容管模型无法准确描述叁维FinFET器件变容特性的问题。模型和模型参数提取方法采用20个硅鳍、16个栅指、158 nm栅长、578 nm栅宽的FinFET变容管进行建模验证,模型仿真和测试所得C-V,R-V和S参数特性吻合良好。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
变容管论文参考文献
[1].王魁松,丛密芳,阎跃鹏,梁晓新.基于变容管的0.5GHz～1.2GHz宽带可调谐功率放大器设计[J].电子器件.2018
[2].朱袁科,李文钧,陆海燕,刘军.一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型[J].半导体技术.2018
[3].孙文娟,王曦雯,刘洋,杨时红.VHF波段变容管调谐式超导陷波器[J].低温与超导.2017
[4].李文钧,陈小川,刘军.一种简化衬底模型的SOIMOS变容管模型[J].电子器件.2016
[5].姚青.科技论文汉英长句翻译技巧[D].成都理工大学.2016
[6].沈国荣,陈小川,刘军.一种新的解析提取RFSOIMOS变容管衬底模型参数的方法[J].中国集成电路.2015
[7].宋阳.高耐压BST薄膜介质变容管研究[D].电子科技大学.2014
[8].宋阳,周勇,蒋书文.溅射气压对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜变容管漏电特性影响研究[J].电子元件与材料.2013
[9].李汝冠.低损耗BZN/BST介电薄膜及微波变容管技术研究[D].电子科技大学.2013
[10].周瑾.一种变容管电调滤波器简介[J].科技创业家.2012