生长温度对InAs/GaAs横向异质结构纳米线形貌及晶体结构的影响

论文摘要

低维半导体材料因其超常的物理性能而受到了广泛关注和研究。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,利用金作催化剂制备了InAs/GaAs横向异质结构纳米线,并讨论了不同生长温度情况下InAs横向异质材料对纳米线形貌及晶体结构的影响。提高InAs材料的生长温度,可以有效地抑制纳米线的纵向生长,使其实现横向异质结构的生长。在异质结构纳米线横向生长时发生了侧面晶面旋转的现象,这是纳米线表面重构后侧面趋向能量更低的晶面的结果。本文的研究工作为推动微纳技术的发展提供了相应的理论基础和科学依据。

论文目录

• 1 实验材料及方法
• 2 结果与讨论
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 刘妍,彭艳,郭经纬,徐朝鹏,喇东升

关键词: 纳米线,气液固,金属有机化合物气相沉积

来源: 复合材料学报 2019年10期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 燕山大学国家冷轧板带装备及工艺工程技术研究中心,燕山大学信息科学与工程学院,燕山大学河北省信息传输与信号处理重点实验室,东北大学秦皇岛分校计算机与通信工程学院,东南大学毫米波国家重点实验室

基金: 国家自然科学基金(51375424,61501100),河北省自然科学基金(F201903012),东南大学毫米波国家重点实验室开放课题(K201705)

分类号: TB383.1

DOI: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20190118.002

页码: 2418-2425

总页数: 8

文件大小: 723K

下载量: 106