电阻突变特性论文_赵力丁

导读:本文包含了电阻突变特性论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:薄膜,溶胶,凝胶,突变,无机,电阻,特性。

电阻突变特性论文文献综述

赵力丁[1](2006)在《氧化钒薄膜的掺杂及电阻突变特性研究》一文中研究指出VO2是一种相变型金属氧化物,随温度的升高,在相变温度(Tc=68℃)发生从低温单斜结构向高温四方金红石结构的转变,同时,伴随着电阻率和红外光透过率的突变。这一特有的性质使VO_2在众多领域具有好的应用前景。从上世纪八十年代开始的对VO_2的掺杂研究表明:掺杂能明显改变VO_2薄膜的相变温度,进而影响其光电性能。因为VO_2的应用中绝大多数都要求其相变温度接近室温,所以是否可以通过掺杂手段使其相变温度降至室温附近,并使掺杂薄膜的性能发生有利于应用要求的相应变化是近来VO_2薄膜掺杂改性的研究主题。针对VO_2薄膜的研究发展动向和实践的需要,本论文主要在掺入不同价态的过渡金属杂质(Zr4+以及Cr~(3+)对VO_2薄膜性能产生的影响等方面进行了基础研究。具体而言,本论文从事的主要工作如下:(1)本文首先利用无机溶胶-凝胶法制备了含有4价锆的VO_2薄膜,通过改变掺杂浓度,测定了在不同掺杂浓度下VO_2薄膜的电阻-温度关系曲线。在此基础上,本文进一步探讨了掺杂浓度与VO_2薄膜相变温度、电阻突变数量级以及热滞宽度的关系。实验结果表明:随Zr含量的增加,VO_2薄膜的半导体-金属转变温度和电阻突变数量级呈线性下降,同时,随掺杂量的增加,VO_2薄膜的热滞宽度的变化规律是先减小后增大。(2)本文以掺锆为例,探讨了不同的真空退火温度对VO_2薄膜的相变温度、电阻突变数量级以及热滞宽度有何影响。通过对比不同退火温度下的测试结果可知:经450℃退火后的掺杂VO_2薄膜与其它退火温度所得的VO_2薄膜相比,具有较低的相变温度以及较为明显的电阻突变数量级。因此,在350~500℃之间,VO_2薄膜的最佳退火温度为450℃。(3)最后,本文采用无机溶胶-凝胶法制备了含有3价铬的VO_2薄膜,研究了其掺杂量与电阻突变特性的关系。经测试发现,在开始阶段,随Cr~(3+)浓度地增加,VO_2薄膜的相变温度降低,当Cr~(3+)浓度达到一定值之后,其相变温度随浓度地升高而迅速上升。同时,VO_2薄膜的电阻突变量随Cr~(3+)浓度地增加而减小。而热滞宽度的变化规律是先增大后减小。(本文来源于《电子科技大学》期刊2006-05-01)

徐时清,赵康,谷臣清,马红萍,方吉祥[2](2002)在《掺杂VO_2相变薄膜的电阻突变特性研究》一文中研究指出以V2 O5和MoO3粉为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备了掺Mo6 + 的VO2 相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试 ,结果发现 :所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2 ,所掺入的MoO3与VO2 完全互溶 ,但其中MoO3的价态未发生改变。掺杂薄膜随MoO3含量的增加其电阻突变温度明显下降 ,然而电阻突变量级也随之降低 ,当MoO3的质量分数为 5 %时 ,薄膜电阻突变温度降至 3 0℃左右 ,电阻突变量级仍可保持 2个数量级左右 ,尚能满足应用的要求(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2002年05期)

电阻突变特性论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

以V2 O5和MoO3粉为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备了掺Mo6 + 的VO2 相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试 ,结果发现 :所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2 ,所掺入的MoO3与VO2 完全互溶 ,但其中MoO3的价态未发生改变。掺杂薄膜随MoO3含量的增加其电阻突变温度明显下降 ,然而电阻突变量级也随之降低 ,当MoO3的质量分数为 5 %时 ,薄膜电阻突变温度降至 3 0℃左右 ,电阻突变量级仍可保持 2个数量级左右 ,尚能满足应用的要求

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

电阻突变特性论文参考文献

[1].赵力丁.氧化钒薄膜的掺杂及电阻突变特性研究[D].电子科技大学.2006

[2].徐时清,赵康,谷臣清,马红萍,方吉祥.掺杂VO_2相变薄膜的电阻突变特性研究[J].硅酸盐学报.2002

论文知识图

VO2薄膜电阻突变特性示意图VOX薄膜电阻突变特性定量示意图-1VO2薄膜电阻突变特性定量示意...电阻-温度测量装置示意图MoO3质量分数与薄膜电阻突变量级的关...MoO3质量分数与薄膜电阻突变温度的关...

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