一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置论文和设计-龙春平

全文摘要

本实用新型公开了一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置，该阵列基板包括衬底基板，位于衬底基板上方的触控电极线，位于触控电极线上方的触控电极，以及位于触控电极线与触控电极之间的第一绝缘层；其中，触控电极线具有凹槽部，第一绝缘层具有过孔，触控电极的连接部通过过孔延伸至凹槽部内与触控电极线电连接。本实用新型通过将触控电极线设置成具有凹槽部的结构，这样触控电极通过连接部与触控电极线的凹槽部电连接，使得触控电极与触控电极线的电连接处更加远离触控电极表面，可以增大触控电极与电连接处的距离，从而可以减少电连接对触控电极的影响，进而有利于降低噪声，提高触控电极的信噪比和触控灵敏度。

主设计要求

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板上方的触控电极线，位于所述触控电极线上方的触控电极，以及位于所述触控电极线与所述触控电极之间的第一绝缘层；其中，所述触控电极线具有凹槽部，所述第一绝缘层具有过孔，所述触控电极具有连接部，所述连接部通过所述过孔延伸至所述凹槽部内与所述触控电极线电连接。

设计方案

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述触控电极线下方的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有凹槽结构，所述凹槽结构的深度大于所述触控电极线的厚度；所述触控电极线的凹槽部位于所述凹槽结构内。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第二绝缘层与所述衬底基板之间的薄膜晶体管，所述第二绝缘层为平坦化层。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括位于所述触控电极线面向所述触控电极一侧的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层与所述触控电极之间的第二钝化层。

5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第一绝缘层与所述衬底基板之间的薄膜晶体管，所述触控电极线与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置，所述第二绝缘层为所述薄膜晶体管的源漏极与所述薄膜晶体管的栅极之间的层间绝缘层。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括位于所述触控电极线与所述触控电极之间依次叠层设置的第一钝化层、平坦化层和第二钝化层。

7.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括具有多个独立的公共电极的公共电极层，所述公共电极复用为所述触控电极。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述公共电极层与所述触控电极线之间的像素电极，以及位于所述过孔内且与所述触控电极的连接部电连接的搭接部；所述搭接部与所述像素电极同层设置。

9.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层的材料包括SiO_{2<\/sub>和SiN，所述层间绝缘层的厚度为200nm-700nm。}

10.如权利要求3或6所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层的材料为有机绝缘材料，所述平坦化层的厚度为600nm-1800nm。

11.如权利要求4或6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的材料包括SiN，所述第一钝化层的厚度为100nm-400nm。

12.一种内嵌式触摸屏，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的内嵌式触摸屏。

设计说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置。

背景技术

目前，现有的内嵌(Incell)式触摸屏是利用互电容或自电容的原理实现检测手指触摸位置。其中，利用自电容的原理可以在触摸屏中设置多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，当人体未触碰屏幕时，各自电容电极所承受的电容为一固定值，当人体触碰屏幕时，对应的自电容电极所承受的电容为固定值叠加人体电容，触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置。由于人体电容可以作用于全部自电容，相对于人体电容仅能作用于互电容中的投射电容，由人体碰触屏幕所引起的触控变化量会大于利用互电容原理制作出的触摸屏，因此相对于互电容的触摸屏能有效提高触控的信噪比，从而提高触控感应的准确性。

但在上述电容式内嵌触摸屏的结构设计中，触控电极线和触控电极之间连接的距离较短，触控电极线和触控电极之间连接处会对触控电极有影响，从而降低触摸检测的信噪比。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置，用以解决现有技术中由于触控电极线和触控电极之间连接的距离较短，会降低触摸检测的信噪比的问题。

因此，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上方的触控电极线，位于所述触控电极线上方的触控电极，以及位于所述触控电极线与所述触控电极之间的第一绝缘层；其中，所述触控电极线具有凹槽部，所述第一绝缘层具有过孔，所述触控电极具有连接部，所述连接部通过所述过孔延伸至所述凹槽部内与所述触控电极线电连接。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于所述触控电极线下方的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有凹槽结构，所述凹槽结构的深度大于所述触控电极线的厚度；所述触控电极线的凹槽部位于所述凹槽结构内。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于所述第二绝缘层与所述衬底基板之间的薄膜晶体管，所述第二绝缘层为平坦化层。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述第一绝缘层包括位于所述触控电极线面向所述触控电极一侧的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层与所述触控电极之间的第二钝化层。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于所述第一绝缘层与所述衬底基板之间的薄膜晶体管，所述触控电极线与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置，所述第二绝缘层为所述薄膜晶体管的源漏极与所述薄膜晶体管的栅极之间的层间绝缘层。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述第一绝缘层包括位于所述触控电极线与所述触控电极之间依次叠层设置的第一钝化层、平坦化层和第二钝化层。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括具有多个独立的公共电极的公共电极层，所述公共电极复用为所述触控电极。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于所述公共电极层与所述触控电极线之间的像素电极，以及位于所述过孔内且与所述触控电极的连接部电连接的搭接部；所述搭接部与所述像素电极同层设置。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述层间绝缘层的材料包括SiO_{2<\/sub>和SiN，所述层间绝缘层的厚度为200nm-700nm。}

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述平坦化层的材料为有机绝缘材料，所述平坦化层的厚度为600nm-1800nm。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述第一钝化层的材料包括SiN，所述第一钝化层的厚度为100nm-400nm。

相应地，本实用新型实施例还提供了一种内嵌式触摸屏，包括本实用新型实施例提供的上述阵列基板。

相应地，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述内嵌式触摸屏。

本实用新型实施例的有益效果包括：

本实用新型实施例提供的阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置，该阵列基板包括衬底基板，位于衬底基板上方的触控电极线，位于触控电极线上方的触控电极，以及位于触控电极线与触控电极之间的第一绝缘层；其中，触控电极线具有凹槽部，第一绝缘层具有过孔，触控电极的连接部通过过孔延伸至凹槽部内与触控电极线电连接。本实用新型通过将触控电极线设置成具有凹槽部的结构，这样触控电极通过连接部与触控电极线的凹槽部电连接，使得触控电极与触控电极线的电连接处更加远离触控电极表面，可以增大触控电极与电连接处的距离，从而可以减少电连接对触控电极的影响，进而有利于降低噪声，提高触控电极的信噪比和触控灵敏度。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；

图2为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；

图3为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图之三；

图4为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图之四；

图5为本实用新型实施例提供的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本实用新型实施例提供的阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各层薄膜厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本实用新型内容。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板，如图1和图3所示，包括衬底基板1，位于衬底基板1上方的触控电极线2，位于触控电极线2上方的触控电极3，以及位于触控电极线2与触控电极3之间的第一绝缘层4；其中，触控电极线2具有凹槽部21，第一绝缘层4具有过孔41，触控电极3具有连接部31，连接部31通过过孔41延伸至凹槽部21内与触控电极线2电连接。

本实用新型实施例提供的阵列基板包括衬底基板，位于衬底基板上方的触控电极线，位于触控电极线上方的触控电极，以及位于触控电极线与触控电极之间的第一绝缘层；其中，触控电极线具有凹槽部，第一绝缘层具有过孔，触控电极的连接部通过过孔延伸至凹槽部内与触控电极线电连接。本实用新型通过将触控电极线设置成具有凹槽部的结构，这样触控电极通过连接部与触控电极线的凹槽部电连接，使得触控电极与触控电极线的电连接处更加远离触控电极表面，可以增大触控电极与电连接处的距离，从而可以减少电连接对触控电极的影响，进而有利于降低噪声，提高触控电极的信噪比和触控灵敏度。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图1和图3所示，还包括位于触控电极线2下方的第二绝缘层5，第二绝缘层5具有凹槽结构51，凹槽结构51的深度h大于触控电极线2的厚度d；触控电极线2的凹槽部21位于凹槽结构51内。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图1所示，第一绝缘层4包括位于触控电极线2面向触控电极3一侧的第一钝化层42，以及位于第一钝化层42与触控电极3之间的第二钝化层43。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图1所示，还包括位于第二绝缘层5与衬底基板1之间的薄膜晶体管6，第二绝缘层5为平坦化层11。具体地，如图1所示，还包括位于平坦化层11即第二绝缘层5与薄膜晶体管6之间的第三钝化层7，即本实用新型在制作完薄膜晶体管6后，为了保护薄膜晶体管6不受后续制作工艺的损坏，在薄膜晶体管6上方制作一层第三钝化层7，为了保证阵列基板的各个膜层厚度的均匀性，还需要制作一层平坦化层11即第二绝缘层5，并且本实用新型通过在平坦化层11上制作凹槽结构51，使在制作触控电极线2时，可以使触控电极线2落入凹槽结构51内，从而使触控电极线2具有凹槽部21，这样在后续与触控电极3电连接时，可以使触控电极3通过连接部31与触控电极线2的凹槽部21电连接，使得触控电极3与触控电极线2的电连接处更加远离触控电极3表面，可以增大触控电极3与电连接处的距离，从而可以减少电连接对触控电极3的影响，进而有利于降低噪声，提高触控电极3的信噪比和触控灵敏度。

在具体实施时，如图1所示，还包括位于衬底基板1与薄膜晶体管6之间的缓冲层10，薄膜晶体管6具体包括有源层61、栅极绝缘层62、栅极63、层间绝缘层64、源极65和漏极66，这些膜层均与现有技术中的相同，在此不做详述。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图1所示，还包括具有多个独立的公共电极的公共电极层8，公共电极复用为触控电极3。并且公共电极线复用为触控电极线2，这样可以减少触控电极3和触控电极线2的制作，降低本实用新型实施例提供的阵列基板所在的内嵌式触摸屏的厚度。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，还包括位于公共电极层8与触控电极线2之间的像素电极9，以及位于过孔41内且与触控电极3的连接部31电连接的搭接部01；搭接部01与像素电极9同层设置。这样只需要在形成像素电极9时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成搭接部01与像素电极9的图形，不用增加单独制备搭接部01的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。

本实用新型通过在过孔41内制作与触控电极3的连接部31电连接的搭接部01，这样可以减小段差、增加连接部31的厚度，可以降低连接电阻，进一步减少电连接对触控电极3的影响，从而进一步提高触控电极3的触控灵敏度。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，还包括位于第一绝缘层4与衬底基板之间的薄膜晶体管6，触控电极线2与薄膜晶体管6的源漏极(标号分别为65和66)同层设置，这样只需要在形成源漏极(标号分别为65和66)时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成触控电极线2与源漏极(标号分别为65和66)的图形，不用增加单独制备触控电极线2的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率；第二绝缘层5为薄膜晶体管6的源漏极与薄膜晶体管6的栅极63之间的层间绝缘层64。具体地，如图3所示，本实用新型在制作层间绝缘层62时，通过在层间绝缘层64上制作凹槽结构51，使在制作触控电极线2时，可以使触控电极线2落入凹槽结构51内，从而使触控电极线2具有凹槽部21，这样在后续与触控电极3电连接时，可以使触控电极3通过连接部31与触控电极线2的凹槽部21电连接，使得触控电极3与触控电极线2的电连接处更加远离触控电极3表面，可以增大触控电极3与电连接处的距离，从而可以减少电连接对触控电极3的影响，进而有利于降低噪声，提高触控电极3的信噪比和触控灵敏度。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，层间绝缘层的材料可以包括SiO_{2<\/sub>和SiN，层间绝缘层的厚度可以为200nm-700nm，在此不做限定。}

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，层间绝缘层的厚度为450nm，该厚度的薄膜晶体管的性能较佳。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，第一绝缘层4包括位于触控电极线2与触控电极3之间依次叠层设置的第一钝化层42、平坦化层11和第二钝化层43。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，平坦化层的材料可以为有机绝缘材料，平坦化层的厚度可以为600nm-1800nm，在此不做限定。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，平坦化层的厚度可以为1200nm，该厚度的薄膜晶体管的性能较佳。

可选地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，第一钝化层的材料可以包括SiN，第一钝化层的厚度可以为100nm-400nm，在此不做限定。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，第一钝化层的厚度可以为250nm，该厚度的薄膜晶体管的性能较佳。

在具体实施时，如图3所示，还包括位于衬底基板1与薄膜晶体管6之间的缓冲层10，薄膜晶体管6具体包括有源层61、栅极绝缘层62、栅极63、层间绝缘层64、源极65和漏极66，这些膜层均与现有技术中的相同，在此不做详述。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，还包括具有多个独立的公共电极的公共电极层8，公共电极复用为触控电极3。并且公共电极线复用为触控电极线2，这样可以减少触控电极3和触控电极线2的制作，降低本实用新型实施例提供的阵列基板所在的内嵌式触摸屏的厚度。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图4所示，还包括位于公共电极层8与触控电极线2之间的像素电极9，以及位于过孔41内且与触控电极3的连接部31电连接的搭接部01；搭接部01与像素电极9同层设置。这样只需要在形成像素电极9时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成搭接部01与像素电极9的图形，不用增加单独制备搭接部01的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。

基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种内嵌式触摸屏，包括本实用新型实施例提供的上述任一种阵列基板。该内嵌式触摸屏解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该内嵌式触摸屏的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。

基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述内嵌式触摸屏。由于该显示装置解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。

在具体实施时，本实用新型实施例提供的上述显示装置可以为全面屏显示装置，或者也可以为柔性显示装置等，在此不作限定。

在具体实施时，本实用新型实施例提供的上述显示装置可以为如图5所示的全面屏的手机。当然，本实用新型实施例提供的上述显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本实用新型的限制。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

设计图

一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置论文和设计

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