导读:本文包含了绝缘体上的硅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:绝缘体,效应,电压,剂量,电阻,阈值,导通。
绝缘体上的硅论文文献综述写法
王硕,常永伟,陈静,王本艳,何伟伟[1]（2019）在《新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应》一文中研究指出静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅体接触场效应晶体管器件的6晶体管静态随机存储器单元.该L型栅体接触器件遵循静态随机存储器单元中心对称的版图特点,使得存储单元面积相比于采用同器件尺寸的T型栅体接触器件的静态随机存储器单元减小约22%.文中对比研究了L型栅体接触器件与其他场效应晶体管之间的电学性能差异,以及基于不同场效应晶体管静态随机存储器单元的漏电流和读状态下静态噪声容限随辐射总剂量增加的变化规律.测试结果表明, L型栅体接触器件与T型栅体接触器件的器件性能接近,但前者具有面积更小的优势;同时基于L型栅体接触场效应晶体管的静态随机存储器单元的基本电学性能以及抗总剂量辐射效应均优于传统基于浮体场效应晶体管的静态随机存储器单元,因而具有稳定可靠的实用价值.(本文来源于《物理学报》期刊2019年16期）
花正勇,马艺珂,殷亚楠,周昕杰,陈瑶[2]（2019）在《0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究》一文中研究指出利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度。受入射位置的影响,由于栅极中央收集的电荷最多,FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感。单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性,器件处于不同工作偏置状态下,关态偏置受单粒子效应影响最大,开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年08期）
彭超,雷志锋,张战刚,何玉娟,黄云[3]（2019）在《基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究》一文中研究指出绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD (Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件叁维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能.(本文来源于《电子学报》期刊2019年08期）
李亦琨[4]（2019）在《22nm全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）晶体管及其高灵活性研究》一文中研究指出随着集成电路核心器件特征尺寸的不断缩减,传统体硅器件的短沟道效应变得愈发不可控。当工艺节点进入到28nm后,全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件凭借其优越的栅极控制能力和较低的漏电流,成为了替代体硅器件的一种选择。目前产业界广泛采用前栅极工艺制备FDSOI器件,其工艺流程难以对器件的阈值电压进行精准有效的控制,因此本论文提出了一种基于后栅极工艺流程的制备方法。另外对于电路设计者来说,FDSOI技术应具备极大的灵活性。体偏压技术可实现多阈值特性,从而提高FDSOI器件的灵活性。结合TCAD仿真,本论文还从物理机制上对FDSOI器件的体偏压技术进行了详细分析。本篇论文的主要内容如下:一、借助TCAD工具对基于22nm工艺的FDSOI器件的直流和交流特性进行了模拟仿真。基于仿真结果,本文对FDSOI器件的基本电学参数进行了分析,包括栅极电容、导通电流、漏电流、亚阈值摆幅、阈值电压等。二、针对FDSOI器件的制备流程和工艺优化的分析。采用后栅极工艺对FDSOI器件进行了制备,该工艺流程与平面体硅工艺完全兼容。在工艺优化方面,本文提出了有效的方案解决了源漏外延不均匀以及栅极铝沉积空洞的问题。最后对制备的实际器件进行了晶圆可接受测试,测试结果表明实际器件的阈值电压在300mV左右,漏致势垒降低效应在60mV/V到80mV/V的范围内,亚阈值摆幅在70mV/dec左右,N型器件和P型器件开关电流比的量级分别为10~4和10~5。实际器件的电学性能符合产业标准且与仿真结果相匹配。叁、借助背栅偏压提高FDSOI技术灵活性的研究。根据背板掺杂类型的不同,将FDSOI器件分为常规阱结构和反阱结构。基于实际测试结果,结合TCAD仿真,本文从物理层面上对两种结构的FDSOI器件背栅效应进行了分析。结果表明,背栅偏压对不同尺寸和不同背板掺杂的FDSOI器件的阈值电压均有明显影响。例如,正的背栅偏压可以使小尺寸的常规阱N型器件的饱和区阈值电压降低265.4mV,而大尺寸的常规阱N型器件饱和区阈值电压降低320.3mV。依据不同的需求,电路设计者可选择正向偏置的工作模式或反向偏置的工作模式。另外,本文还给出了另外一种可实现多阈值电压器件的策略。基于不同的背栅偏压和背板掺杂,FDSOI器件可实现LVT、SVT(i)、SVT(ii)和HVT四种不同数值的阈值电压。该多阈值电压实现策略极大提高了FDSOI技术的灵活性。最后从环形振荡器电路的角度展示了不同阈值特性下的电路延迟情况。本论文内容对优化22nm FDSOI工艺、提高器件及电路设计的灵活性等方面具有指导性的意义。(本文来源于《华东师范大学》期刊2019-03-01）
代红丽,赵红东,王洛欣,石艳梅,李明吉[5]（2019）在《带有p型岛的超低导通电阻绝缘体上硅器件新结构》一文中研究指出为了减小绝缘体上硅(SOI)器件的比导通电阻,提高器件的击穿电压,提出一种带有p型岛的SOI器件新结构.该结构的特征如下:首先,漂移区周围采用U型栅结构,在开启状态下,U型栅侧壁形成高密度电子积累层,提供了一个从源极到漏极低电阻电流路径,实现了超低比导通电阻;其次,在漂移区引入的氧化槽折迭了漂移区长度,大大提高了击穿电压;最后,在氧化槽中引入一个p型岛,该高掺杂p型岛使漂移区电场得到重新分配,提高了击穿电压,且p型岛的加入增大了漂移区浓度,使器件比导通电阻进一步降低.结果表明:在最高优值条件下,器件尺寸相同时,相比传统SOI结构,新结构的击穿电压提高了140%,比导通电阻降低了51.9%.(本文来源于《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》期刊2019年03期）
袁配,王玥,吴远大,刘丽杰,安俊明[6]（2018）在《基于绝缘体上硅材料的25通道200 GHz的阵列波导光栅（英文）》一文中研究指出报道了基于绝缘体上硅材料的25通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅,分别优化了输入波导/输出波导/阵列波导间的最小间距(Δx_i/Δx_o/d),及其自由传播区和阵列波导之间边界结构(W_2/L_2/L_3).实验结果表明,该阵列波导光栅的插入损耗为5～7 dB,串扰为13～15 dB,该阵列波导光栅的性能得到有效提升.同时也提出了减小插损与串扰的进一步优化方案.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年06期）
彭超,恩云飞,李斌,雷志锋,张战刚[7]（2018）在《绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究》一文中研究指出基于~(60)Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性能退化来源于辐射增强的寄生效应;浅沟槽隔离(shallow trench isolation, STI)寄生晶体管的开启导致了关态漏电流随总剂量呈指数增加,直到达到饱和; STI氧化层的陷阱电荷共享导致了窄沟道器件的阈值电压漂移,而短沟道器件的阈值电压漂移则来自于背栅阈值耦合;在同一工艺下,尺寸较小的器件对总剂量效应更敏感.探讨了背栅和体区加负偏压对总剂量效应的影响, SOI器件背栅或体区的负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善辐照后器件的电学特性.(本文来源于《物理学报》期刊2018年21期）
刘兴,殷树娟,吴秋新[8]（2018）在《绝缘体上硅FinFET亚阈值摆幅研究》一文中研究指出在新型多栅器件栅电容模型的研究中,量子电容随着沟道长度及栅氧化层厚度的不断减小而变得越发不可忽略。推导了基于绝缘体上硅(SOI)工艺技术的鳍式场效应晶体管(FinFET)的量子电容,并通过构建囊括量子电容的内部电容网络模型推导了亚阈值摆幅。采用Matlab软件,仿真验证了量子电容对亚阈值摆幅的影响。提出了亚阈值摆幅的优化方法,为如何选取合适的器件尺寸来优化某个特定设计目标的性能提供了指导。(本文来源于《微电子学》期刊2018年06期）
代红丽,赵红东,王洛欣,石艳梅,李明吉[9]（2018）在《具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构》一文中研究指出为了降低绝缘体上硅(SOI)功率器件的比导通电阻,同时提高击穿电压,利用场板(FP)技术,提出了一种具有L型栅极场板的双槽双栅SOI器件新结构.在双槽结构的基础上,在氧化槽中形成第二栅极,并延伸形成L型栅极场板.漂移区引入的氧化槽折迭了漂移区长度,提高了击穿电压;对称的双栅结构形成双导电沟道,加宽了电流纵向传输面积,使比导通电阻显着降低;L型场板对漂移区电场进行重塑,使漂移区浓度大幅度增加,比导通电阻进一步降低.仿真结果表明:在保证最高优值条件下,相比传统SOI结构,器件尺寸相同时,新结构的击穿电压提高了123%,比导通电阻降低了32%;击穿电压相同时,新结构的比导通电阻降低了87.5%;相比双槽SOI结构,器件尺寸相同时,新结构不仅保持了双槽结构的高压特性,而且比导通电阻降低了46%.(本文来源于《电子学报》期刊2018年05期）
代红丽,赵红东,王洛欣,石艳梅,李明吉[10]（2017）在《具有纵向源极场板的绝缘体上硅器件新结构》一文中研究指出采用软件仿真一系列横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Laterally double-diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)结构,为缓解绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)器件的击穿电压VB和漂移区的比导通电阻Ron.sp之间的矛盾关系,提出了一种具有纵向源极场板的双槽SOI新结构。该结构首先采用槽栅结构,以降低比导通电阻Ron.sp;其次,在漂移区内引入SiO_2介质槽,以提高击穿电压VB;最后,在SiO_2介质槽中引入纵向源极场板,进行了电场重塑。通过仿真实验,获得器件表面电场、纵向电场曲线及器件击穿时的电势线和导通时的电流线等。结果表明,新结构的VB较传统LDMOS器件提高了121%,Ron.sp降低了9%,器件优值FOM值达到15.2 MW·cm~(-2)。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2017年02期）
绝缘体上的硅论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度。受入射位置的影响,由于栅极中央收集的电荷最多,FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感。单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性,器件处于不同工作偏置状态下,关态偏置受单粒子效应影响最大,开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
绝缘体上的硅论文参考文献
[1].王硕,常永伟,陈静,王本艳,何伟伟.新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应[J].物理学报.2019
[2].花正勇,马艺珂,殷亚楠,周昕杰,陈瑶.0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究[J].电子与封装.2019
[3].彭超,雷志锋,张战刚,何玉娟,黄云.基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究[J].电子学报.2019
[4].李亦琨.22nm全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）晶体管及其高灵活性研究[D].华东师范大学.2019
[5].代红丽,赵红东,王洛欣,石艳梅,李明吉.带有p型岛的超低导通电阻绝缘体上硅器件新结构[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版).2019
[6].袁配,王玥,吴远大,刘丽杰,安俊明.基于绝缘体上硅材料的25通道200GHz的阵列波导光栅（英文）[J].红外与毫米波学报.2018
[7].彭超,恩云飞,李斌,雷志锋,张战刚.绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究[J].物理学报.2018
[8].刘兴,殷树娟,吴秋新.绝缘体上硅FinFET亚阈值摆幅研究[J].微电子学.2018
[9].代红丽,赵红东,王洛欣,石艳梅,李明吉.具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构[J].电子学报.2018
[10].代红丽,赵红东,王洛欣,石艳梅,李明吉.具有纵向源极场板的绝缘体上硅器件新结构[J].固体电子学研究与进展.2017