导读:本文包含了反铁磁材料论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电子学,格林,材料,磁电,晶格,模型,函数。
反铁磁材料论文文献综述
刘知琪[1]（2019）在《反铁磁材料及电场调控》一文中研究指出反铁磁材料相比铁磁材料在信息存储器件应用方面有叁大优势:抗磁场、自旋动力学更快从而数据写入速度可以更快、由于没有零散磁场从而数据位的集成密度可以更高。但是,反铁磁自旋轴的操控更具挑战性。在此报告中,我将简要介绍我们小组以及国际同行近年来通过压电材料对反铁磁自旋进行调控的工作。这些初(本文来源于《第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集》期刊2019-11-23）
刘知琪[2]（2019）在《反铁磁材料的电场调控》一文中研究指出反铁磁材料相比铁磁材料在信息存储器件应用方面有叁大优势:抗磁场、自旋动力学更快从而数据写入速度可以更快、由于没有零散磁场从而数据位的集成密度可以更高。但是,反铁磁自旋轴的操控更具挑战性。在此报告中,我将简要介绍我们小组以及国际同行近年来通过压电材料对反铁磁自旋进行调控的工作。这些初步研究表明铁电材料产生的非易失压电应力可以有效实现超低能耗的反铁磁自旋操控以及信息存储。相关研究在反铁磁自旋电子学领域中逐渐形成了一个新的分支:反铁磁压电自旋电子学[1]。(本文来源于《第九届国际稀土开发与应用研讨会暨2019中国稀土学会学术年会摘要集》期刊2019-05-15）
王韵秋[3]（2019）在《基于铁磁及反铁磁材料的自旋电子器件的研究》一文中研究指出从巨磁阻效应(GMR)被发现后,自旋电子学逐渐从磁性物理学中分离出来成为了一门独立的新兴学科,在信息的存储及处理领域具有重要的应用。自旋电子学的发展为电子器件的设计提供了新的思路,由此产生了自旋电子器件的概念。不同于传统的电子器件,自旋电子器件是通过对电子自旋的调控来实现器件功能。比起磁场或自旋极化电流,通过电场来调控自旋更高效节能,因此有效的通过电场调控磁性成为自旋电子学领域长期追求的目标,目前大部分这方面的研究工作集中在多铁材料上。设计制备新型自旋电子器件少不了对其组成材料的探索,迄今为止,自旋电子器件主要基于铁磁体来制备,例如磁隧穿结、自旋阀等,已广泛应用于数据存储领域。电控磁在铁磁材料中也取得了很大的进展,已成功实现电场对矫顽场,居里温度等的调控,但当涉及电场对饱和磁矩的调控,相关工作非常少。从应用的角度来说,反铁磁材料相比于铁磁材料有其独特的优点。反铁磁材料不易受电离及磁场的干扰,特征频率以及状态转换频率比典型的铁磁材料要高几个数量级且半导体中的反铁磁有序比铁磁有序更易观测到。这些优点使得反铁磁材料成为极具吸引力的自旋电子材料,然而,目前对反铁磁磁矩的调控仍然是非常大的挑战。此外,二维磁性材料,由于具有响应快以及功耗低的优点,在自旋电子学中具有巨大的应用潜力,此类材料无论在基础研究方面还是在新型自旋器件制备方面都有着重要的研究意义。但目前发现的二维磁性材料很少,对其磁电性质的研究工作也很少,急需对其进行进一步的探索。综上所述,基于铁磁材料、反铁磁材料以及二维磁性材料的自旋电子器件都有广泛的应用,同时也存在很多的挑战,因此本文分别从这叁个方面入手来研究自旋电子器件:基于铁磁材料,设计并制备自旋电容,通过电场来调控其磁性;研究反铁磁器件的室温磁性调控;制备二维磁性材料并研究其磁电特性。在自旋电子器件的研究方面开展了以下工作:1.基于表面磁电效应,设计了柱状阵列结构的自旋电容。为了实现器件的制备,自主搭建了3D直写设备,成功在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了柱状铁磁金属Ni,并在此基础上沉积了绝缘层Al_2O_3,构成了柱状阵列结构的自旋电容器件。对器件进行了性能测试,结果表明,虽然可以看到器件是具有存储能力的,但由于器件要求绝缘层的厚度很薄,导致器件易被击穿,使得器件的可重复性及利用率很低,且器件制备方法繁琐,磁性测试难度大。2.在柱状阵列结构自旋电容器件的基础上,设计了基于Ni/Cu的同轴圆柱结构的自旋电容,引入离子胶技术代替Al_2O_3绝缘层。相对于传统层状结构,比表面积大大增加;更重要的是离子胶技术可实现强电场且利于磁性测试。改进后的自旋电容表现出了优异的性能,室温下,仅2 V电压即可使器件的饱和磁矩增大18%。另外,将这种结构应用于铁磁/非铁磁界面更多的金属铁铂(Fe Pt)中,使得器件性能得到了进一步提高。3.设计了Co/IrMn异质结结构,通过铁磁与反铁磁的层间相互作用来实现室温反铁磁磁矩的调控。利用磁控溅射与光刻技术制备了Co/IrMn异质结器件,对器件进行了各向异性磁阻(AMR)测试,结果表明Co/IrMn异质结的AMR相比Co单层的AMR增加了一个数量级,成功实现了室温反铁磁磁矩的调控;进一步对器件的交换偏置进行了研究,发现其在垂直方向具有巨大的交换偏置。4.制备了单层及少层硒化钒,对制备的薄膜进行了一系列光学以及电学表征。利用干法转移将单层及少层硒化钒薄片制成器件,发现当厚度降到单层时,硒化钒会由导体转化为半导体;系统的研究了硒化钒的拉曼光谱,总结了拉曼光谱随薄膜厚度变化的规律,发现拉曼光谱可作为无损检测硒化钒厚度的可靠工具。5.用磁控溅射的方法制备大尺寸、均匀连续的二维磁性材料CrGeTe_3(CGT),研究了不同衬底温度对薄膜制备的影响,发现自生长得到的薄膜是Cr Te以及Ge Te的混合物,没有得到CGT。接着又尝试着对其进行退火,退火后得到了CGT,Cr_2Te_3和Cr的混合物薄膜。(本文来源于《华东师范大学》期刊2019-05-01）
包知迪[4]（2018）在《几种Heusler结构新型反铁磁材料的制备与性能研究》一文中研究指出磁性薄膜材料广泛应用于磁存储器中,但随着磁盘存储密度以每年100%左右的速度增长,传统铁磁体薄膜存储器问题也逐渐突出。而反铁磁材料能够很好的解决这一问题。反铁磁自旋电子材料及器件的研究才刚刚起步,相关报道较少,在制备工艺和应用上依然有很多问题需要解决。前人预测四种薄膜具有反铁磁性,但未能制备过薄膜状以及反铁磁性的V-Ga,Cr-Fe-Si,Cr-Mn-Si合金。本文的重点是通过控制沉积速率、厚度、温度等参数,在硅基上制备四个系列的反铁磁薄膜,并研究薄膜成分、结晶度、形貌、磁学性质和电学性质。本文研究成果主要包括以下四个方面:(1)V_3Ga薄膜制备。从理论上预测并通过实验制备了β-W型结构的亚稳相V_3Ga,发现其具有良好结晶性。磁特性和磁阻特性进一步表明,β-W型V_3Ga具有高的奈尔温度的反铁磁性,这与理论预测一致。实验和理论都表明,V_3Ga为高导电半导体,具有0.12-0.16 eV窄带隙。此外,计算预测了制备的V_3Ga/Fe界面处的强垂直磁各向异性,这是由于在界面处的V原子d和Fe原子d轨道状态之间的强杂化现象所致。(2)Cr_(3-x)Fe_x(Mn_x)Si薄膜制备,获得目标样品Cr_2FeSi和CrMn_2Si。测试证明两种薄膜均为反铁磁性。其磁电阻不随磁场环境而变化,较稳定。实验还表明Cr_2FeSi具有特殊的热电阻性质,而CrMn_2Si呈现半导体性质,且奈尔温度高于常温。此外,Cr_2FeSi/Fe具有一定的垂直磁各向异性,而CrMn_2Si/Fe存在强垂直磁各向异性。(3)Mn_(3-x)Ni_xGa薄膜制备。在前人的预测基础上,制备大量的Mn-Ni-Ga系列合金,虽然由于实验条件未能获得Mn_(2.4)Ni_(0.6)Ga这个样品,但摸清了薄膜的工艺参数。推测Mn-Ni-Ga系列合金的磁性来源于某几种物质,并在Mn_(3-x)Ni_xGa(0~1)内,存在某一比例呈现反铁磁性。综上所述,制备出若干新型Heusler结构反铁磁材料,确认其制备工艺,并通过多种手段确认薄膜的磁学及电学性质,这些材料均具有相当广阔的应用前景,同时为他人制备类似的样品提供参考。(本文来源于《中国地质大学(北京)》期刊2018-05-01）
孙宇伽,谭平恒,张俊[5]（2017）在《二维层状反铁磁材料相变的拉曼光谱研究》一文中研究指出过渡金属硫(硒)代亚磷酸盐化合物(MPX3,M=Mn,Fe,Ni,Co等;X=S,Se)是一类重要的二维层状反铁磁材料,在低维磁学和自旋电子学方面有潜在的应用价值。直接测量只有原子厚度材料的磁(本文来源于《第十九届全国光散射学术会议摘要集》期刊2017-12-01）
王选章[6]（2013）在《反铁磁材料的线性和非线性,可能的应用》一文中研究指出反铁磁体(Antiferromagnets)在常态下对外不显示磁性,这是因为在微磁结构下内部磁矩排列反向相互抵消的缘故,但是它们是磁有序结构。反铁磁结构是一个在统计物理中极其难于求解的模型并吸引了很多科学家兴趣,但是在应用上却很少受到关注。软铁磁材料(铁氧体)由于其共振频率处于微波频区而在微波技术上有巨大应用。反铁磁材料的共振频率基本上均处于从毫米到微米的波段上(在THz频区),因而我们可以想象它们在正在开发的(本文来源于《第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要》期刊2013-08-23）
王钰言,宋成,潘峰[7]（2012）在《基于反铁磁材料的室温垂直交换耦合作用和隧道各向异性磁电阻效应》一文中研究指出研究了垂直磁化的Co/Pt和面内磁化的反铁磁IrMn之间的交换耦合作用,以及隧道结[Pt/Co]/IrMn/AlOx/Pt的隧道各向异性磁电阻效应(TAMR)。在外磁场作用下,Co/Pt的磁化带动了IrMn磁矩的部分旋转,在IrMn内部产生了交换弹簧结构。当外加磁场垂直于薄膜表面时,反铁磁磁矩由面内向面外发生了部分旋转,产生了具有稳定高阻态和低阻态的TAMR;当磁场平行于薄膜表面时,IrMn磁矩钉扎在它的面内易轴方向不发生转动,产生了自旋阀信号的正磁阻和负磁阻效应。论文还研究了TAMR随角度和温度变化的规律,为基于反铁磁的TAMR提供了有力证据。不同IrMn厚度(2～20nm)的样品测试结果表明,6nmIrMn的器件室温下具有最大的TAMR(0.236%),对于建立稳定的交换耦合具有重要的作用。计算表明,IrMn中磁畴的厚度约为7.8nm,说明6nm及以下厚度的IrMn为单畴状态,具有一个完整的交换弹簧结构。由于垂直交换耦合较高的热稳定性以及6nmIrMn的磁矩稳定性,基于反铁磁材料的TAMR效应能够有效的提高到室温,为反铁磁自旋电子学的应用开辟了新的前景。(本文来源于《中国真空学会2012学术年会论文摘要集》期刊2012-09-21）
关昕,何敬,梁颖[8]（2009）在《双层叁角晶格反铁磁材料c-轴电阻性质的研究》一文中研究指出由t-J模型出发,在feimion-spin理论框架下研究了空穴型掺杂双层叁角晶格反铁磁材料c-轴的反常电阻行为.与面内电荷动力学不同的是,c-轴电荷输运与材料的种类有关.材料中CuO2平面之间是否有Cu-O链,对于材料的物理性质有很大的影响.对于层间存在Cu-O链的材料,c-轴方向的电荷动力学主要是由CuO2平面内holon的散射决定的,并且其c-轴电荷动力学与ab平面的电荷动力学在定性上是相似的;而对于层间不存在Cu-O链的材料,c-轴方向的电荷动力学是由CuO2平面内holon的散射和层间的无序效应共同决定的.此外,c-轴方向的电阻率比平面内的电阻率大3~4个数量级,这就意味着大部分的载流子被限制在了ab平面内.因此,双层叁角晶格反铁磁材料正常态电荷动力学存在着很强的各向异性行为.由叁角晶格反铁磁材料得到的结果与四方晶格相类似,但是由于叁角晶格反铁磁材料自身存在的几何阻挫效应,使得二者的结果稍有差异.(本文来源于《北京师范大学学报(自然科学版)》期刊2009年01期）
孔红艳[9]（2008）在《混合自旋反铁磁材料Y_2BaNiO_5的低激发谱》一文中研究指出采用格林函数方法,在一维自旋为1的各向异性Heisenberg模型基础上,分析了Y2BaNiO5材料的低激发谱.得到了该材料链原子的自旋关联函数,计算了材料的低激发谱在不同交换各向异性因子下的性质.结果表明,完全一维自旋为1的反铁磁材料Y2BaNiO5的基态为完全无序自旋液体态,且其间耦合作用较弱,因而可作为一维链状来处理.(本文来源于《陕西师范大学学报(自然科学版)》期刊2008年06期）
孔红艳,张林,宋筠[10]（2006）在《混合自旋反铁磁材料Y_2BaNiO_5的磁学和热力学性质》一文中研究指出在格林函数的理论框架下,采用一维自旋为1的各向异性Heisenberg模型来讨论Y2BaNiO5材料的磁学和热力学性质.得到了它的自旋关联函数、低激发谱、基态能(Eg)、比热(C)和静态磁化率(χ)在不同交换各向异性因子下的性质,所得结果与实验和数值模拟结果完全一致.(本文来源于《物理学报》期刊2006年09期）
反铁磁材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
反铁磁材料相比铁磁材料在信息存储器件应用方面有叁大优势:抗磁场、自旋动力学更快从而数据写入速度可以更快、由于没有零散磁场从而数据位的集成密度可以更高。但是,反铁磁自旋轴的操控更具挑战性。在此报告中,我将简要介绍我们小组以及国际同行近年来通过压电材料对反铁磁自旋进行调控的工作。这些初步研究表明铁电材料产生的非易失压电应力可以有效实现超低能耗的反铁磁自旋操控以及信息存储。相关研究在反铁磁自旋电子学领域中逐渐形成了一个新的分支:反铁磁压电自旋电子学[1]。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反铁磁材料论文参考文献
[1].刘知琪.反铁磁材料及电场调控[C].第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集.2019
[2].刘知琪.反铁磁材料的电场调控[C].第九届国际稀土开发与应用研讨会暨2019中国稀土学会学术年会摘要集.2019
[3].王韵秋.基于铁磁及反铁磁材料的自旋电子器件的研究[D].华东师范大学.2019
[4].包知迪.几种Heusler结构新型反铁磁材料的制备与性能研究[D].中国地质大学(北京).2018
[5].孙宇伽,谭平恒,张俊.二维层状反铁磁材料相变的拉曼光谱研究[C].第十九届全国光散射学术会议摘要集.2017
[6].王选章.反铁磁材料的线性和非线性,可能的应用[C].第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要.2013
[7].王钰言,宋成,潘峰.基于反铁磁材料的室温垂直交换耦合作用和隧道各向异性磁电阻效应[C].中国真空学会2012学术年会论文摘要集.2012
[8].关昕,何敬,梁颖.双层叁角晶格反铁磁材料c-轴电阻性质的研究[J].北京师范大学学报(自然科学版).2009
[9].孔红艳.混合自旋反铁磁材料Y_2BaNiO_5的低激发谱[J].陕西师范大学学报(自然科学版).2008
[10].孔红艳,张林,宋筠.混合自旋反铁磁材料Y_2BaNiO_5的磁学和热力学性质[J].物理学报.2006
论文知识图
