压控振荡器论文开题报告文献综述

压控振荡器论文开题报告文献综述

导读:本文包含了压控振荡器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献,主要关键词:振荡器,相位,噪声,毫米波,电感,电容,结晶体。

压控振荡器论文文献综述写法

许奔,丁庆,王鑫,冯军正,吴光胜[1](2019)在《一种低相位噪声压控振荡器的设计》一文中研究指出设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声。芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V。测得的输出频率范围是2.435~2.771 GHz,消耗电流为3.3 mA,当控制电压接地时,相位噪声分别为-94.55 dBc/Hz@10 kHz和-127.24 dBc/Hz@1 MHz,算得其FOMT为-188.32 dB。(本文来源于《通信技术》期刊2019年11期)

沈一鸣,陈鹏鹏,程伟,张君直,黄港膑[2](2019)在《InP DHBT 准单片压控振荡器的设计》一文中研究指出设计了一款K波段准单片压控振荡器。其中负阻电路部分采用1.6μm InP DHBT工艺,以单片形式制作,谐振电路及变容管外置,键合引线形式连接负阻单片。当电源电压4 V、调谐电压0~15 V时,该电路输出频率为17.97~20.13 GHz,输出功率大于2 dBm,工作电流18 mA。当调谐电压13 V、输出频率19.95 GHz时,相位噪声达到-90.1 dBc/Hz@100 kHz。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2019年04期)

玄甲辉[3](2019)在《应用于DAB系统Ⅲ波段的LC压控振荡器设计研究》一文中研究指出在通信领域中,频率合成器扮演着越来越重要的角色,它可以为不同标准的无线收发机提供可编程低噪声的稳定本振信号,其性能可决定整个无线收发系统的性能,而在频率合成器中,又以VCO的设计为重中之重。本文即是对应用于数字音频广播接收机系统Ⅲ波段的电感电容压控振荡器设计的研究。本文设计了一种应用于Ⅲ波段的正交差分输出压控振荡器。电路后仿真结果显示,核心电路电流为5.2mA,在调谐电压范围为0.3~1.5V条件下,输出振荡频率范围可达到323.2~514.2MHz,完全覆盖Ⅲ波段所需要的频率范围;同时,最差条件下的相位噪声为-121dBc/Hz@1MHz,满足设计指标。(本文来源于《现代信息科技》期刊2019年14期)

张陶[4](2019)在《一种跨导线性化低相噪压控振荡器》一文中研究指出介绍了一种跨导线性化的宽带压控振荡器,由谐振腔电路、偏置电路、可编程电容阵列组成。提出一种通过电容隔直将有源器件进行交叉耦合的谐振腔结构,实现了有源器件的跨导线性化,大幅减小了有源器件自身的固有噪声,改善了压控振荡器的相位噪声特性。通过可编程电容阵列电路,可在压控振荡器内进行频率调节,扩展了振荡频率范围。测试结果表明,压控振荡器的振荡频率覆盖5 400~7 300 MHz,频率覆盖比达26%,在7 300 MHz时,相位噪声达到-128 dBc/Hz@1 MHz。该压控振荡器可作为高性能频率合成器的核心器件,构成本振信号源,可被广泛应用于无线基站、频谱监测等多种领域。(本文来源于《微电子学》期刊2019年04期)

朱玲,单奇星,胡成成,高海军[5](2019)在《一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器》一文中研究指出基于65 nm CMOS工艺,设计了一种低相位噪声的压控振荡器。采用LC谐振回路,通过控制电压来改变电容的容值,达到振荡器输出频率可控的效果。仿真结果表明:在电源电压为1.2 V,控制电压在-3~3 V范围内变化时,振荡器的输出频率为139.4~149.3 GHz。振荡频率为140 GHz下,频偏1 MHz处的相位噪声为-91.83 dBc·Hz~(-1)。(本文来源于《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期)

周鑫,田晔非[6](2019)在《一种基于阻抗变换的低噪声LC压控振荡器设计》一文中研究指出为了提高相位噪声性能,提出了一种基于阻抗变换模块的新型无尾电流源电感电容(LC)压控振荡器。该阻抗变换模块位于交叉耦合晶体管的漏极与栅极之间,能够减少有源器件产生的噪声,并且交叉耦合晶体管主要位于饱和区域,能够防止LC谐振腔的品质因数降低。此外,相较于传统LC振荡器,该振荡器在低电压工作条件下能够维持低相位噪声性能,并采用0.18μm CMOS工艺进行了具体实现。实验结果表明:在3 MHz偏移频率的条件下,提出的振荡器相位噪声范围为-138.8 dBc/Hz~-141.1 dBc/Hz,调谐范围增加了大约22.8%。在此调谐范围内,与其他提LC压控振荡器相比,所提方法具有更大的品质因数更好,具体为191.8 dBc/Hz。(本文来源于《电子器件》期刊2019年02期)

陈成[7](2019)在《宽带低相位噪声压控振荡器的研究与设计》一文中研究指出电感电容压控振荡器被广泛应用于时钟生成器和频率合成器等电路中。随着通信系统的发展,对压控振荡器的带宽和近边带相位噪声性能提出了更高的要求。另一方面,电感电容压控振荡器通常使用片上螺旋电感,其具有品质因数较低、单位面积电感值较小和电感值不可调节等缺点。针对这些问题,本文研究了降低振荡器的幅度-相位调制(AM-PM)转换以降低近边带相位噪声和提高有源电感的品质因数的方法。本文对电感电容振荡器中交叉耦合管的尺寸对AM-PM转换的影响进行了量化分析,通过建立交叉耦合管的栅极-漏极寄生电容和漏极-衬底寄生电容的等效模型,推导出了AM-PM转换系数的表达式。结果表明,随着交叉耦合管尺寸的增大,压控振荡器的AM-PM转换系数会随之增大。因此在低相位噪声压控振荡器中,交叉耦合管的尺寸应该最小化以降低AM-PM转换。研究了电感电容振荡器中交叉耦合管的体效应对AM-PM转换的影响。结果表明,引入体效应可提高交叉耦合管的线性范围,增大振荡器的振荡幅度和谐振腔的品质因数,使漏极-衬底寄生电容工作在C-V曲线更加平滑的区域,从而减小了压控振荡器的AM-PM转换系数和降低了1/f~3区域的相位噪声,提高了1/f~3区域的品质因数FoM~(1/f~3)。基于含反馈电阻共源共栅接地有源电感电路,通过引入一个片上电容提高其品质因数。结果表明,引入片上电容增大了有源电感的等效电感和减小了串联等效电阻,从而提高了有源电感的品质因数。为了实现有源电感在整个电感值可调的范围内具有大的品质因数,进一步引入一个可变电容器,通过控制可变电容器的电容值实现有源电感品质因数的调节。最后设计了一个采用有源电感代替无源电感的压控振荡器,采用TSMC0.18-μm工艺,用Cadence Virtuoso软件对电路进行了版图设计,压控振荡器调谐范围为136%,在频偏为1 MHz处的相位噪声为-112.5 dBc/Hz。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-09)

庞博[8](2019)在《宽带低相位噪声压控振荡器芯片设计》一文中研究指出近年来5G通信以及物联网系统引起的技术热潮推动了新的无线通信技术的研究与发展。随着通信标准的不断更新和提高,对于无线通信系统中的射频收发机的性能要求也日益增加。压控振荡器(VCO)是无线通信收发系统中的重要模块之一,它为无线收发机提供相位稳定的本振信号,参与信号调制和解调过程。它的相位噪声、调谐范围、压控增益等指标对无线通信收发系统的性能有着非常重要的影响。如何实现同时具备较宽调谐频带和较好相位噪声特点的单片集成压控振荡器,成为了近年来人们所关注的焦点。本文针对上述问题,系统学习了压控振荡器的原理和实现方法,调研了国内外宽带低相位噪声压控振荡器的研究现状,探究了宽调谐范围压控振荡器的设计方法。基于不同的芯片制造工艺,设计了两款宽调谐范围、低相位噪声的压控振荡器。本文针对窄带物联网(NB-IoT)的通信应用需求,设计了一款工作频率为2倍NB-IoT频段的L波段宽带低相位噪声压控振荡器。由于NB-IoT应用需要整个系统的总体功耗尽量低,所以选取了硅基55 nm CMOS LPe工艺进行低功耗设计。本设计为了拓宽压控振荡器的调谐带宽,引入了开关电容技术。出于优化相位噪声性能的考虑,采用了Class-C结构来提升压控振荡器在低功耗工作时的相位噪声表现;同时采取了变压器结构电感代替传统的差分电感,增加LC谐振回路的Q值来进一步优化相位噪声性能表现。本文针对飞机应用特殊需求,设计了一款调谐频带为10 GHz~20 GHz的低相位噪声压控振荡器。由于所设计的宽带压控振荡器工作频率较高,并且该设计对相位噪声和输出功率都具有较高要求,所以本设计考虑基于0.15μm GaAs工艺进行研究设计。本设计的要求中需要仅由一个外加调谐电压进行连续调谐控制,在综合比较片上可变电容与片外变容二极管的变容比和Q值之后,采取了片外高变容比、高Q值变容二极管,然后再通过多芯片组件技术(MCM)进行集成的方案进行设计,即将电感电容谐振回路的可变电容部分放在芯片外,采用片外高性能变容二极管,将电路的其他部分放在芯片上,然后通过倒装工艺将两者进行集成处理,再将所得到的集成芯片进行统一的封装。通过采用片外高变容比和高Q值的变容管实现了10 GHz的调谐带宽和-90 dBc/Hz@100kHz的相位噪声性能。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01)

谭文[9](2019)在《CMOS毫米波压控振荡器研究与设计》一文中研究指出随着华为、叁星和高通等电信巨头纷纷宣布推出最新的第五代(5G)产品,预示着5G时代已经到来。5G技术至少会带来叁个技术提升:用于更大规模电子设备的通信,超可靠和低延迟的通信以及增强的移动宽带。自动驾驶是5G技术在交通系统中的一个典型应用,而作为自动驾驶“眼睛”之一的毫米波雷达又是其最关键的传感器。毫米波雷达大多采用传统的叁五族制程,由于工艺昂贵导致其成本太高从而无法大面积地在市场推广。因此,基于价格更低、硬件兼容性更高的CMOS制程的毫米波雷达研究受到了工业界与学术界大量关注。压控振荡器(VCO,Voltage-Controlled Oscillator)是毫米波雷达电路中不可或缺的关键模块,它的相位噪声、调谐范围等参数对雷达的探测精度至关重要。本文使用了65nm CMOS制程对VCO的电路设计进行了比较深入的讨论,为国内24GHz毫米波雷达的设计提供了借鉴。本文首先对毫米波压控振荡器的背景与研究意义进行了介绍,同时也对比了国内外相关工作的研究现状,指出了国内相关设计研究的不足。对压控振荡器的基础知识进行了讲解,使读者对VCO的电路设计有一个全面的认识。最后重点分析了VCO电路的关键参数-相位噪声,对相位噪声的产生原理做了很详细的探讨,并总结了优化方法。基于上述认识,本文使用标准的65nm CMOS制程设计了两款不同结构的VCO芯片。1、基于Class-B电路结构的8GHz VCO,通过3倍频器倍频到24GHz,实测的频率调谐范围为23~26.5GHz,在载波频率为24GHz处时相位噪声为-104dBc/Hz@1MHz,芯片面积大小为650μm×500μm。2、基于Class-C电路结构的24GHz VCO,电路引入了两组开关电容阵列,拓展了压控振荡器的频率调谐范围,同时也减小了VCO的K_(VCO)。实测的频率调谐范围为21.95~24.25GHz,在载波频率为24.25GHz时的相位噪声为-100.79dBc/Hz@1MHz,芯片面积大小为380μm×500μm。两款CMOS毫米波VCO芯片的设计加深了笔者对VCO基本原理的理解,同时也为国内毫米波VCO芯片的研究提供了思路。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01)

李志芸[10](2019)在《47/94GHz毫米波压控振荡器的研究与设计》一文中研究指出伴随着电子、计算机以及网络技术的不断革新,我们已经生活在一个信息技术时代,科学技术的进步使我们生活更加便利化,对人们的生活方式带来了深远的影响。在电子应用中,毫米波因其具有独特的优势而广受欢迎,首先在毫米波频段应用极其少,来自不同应用的干扰较少,另一方面毫米波具有可用频谱非常丰富。毫米波具有一个非常大的优势在于,因毫米波的波长更短,相比较于射频收发机设计,毫米波芯片更容易全集成。本文研究了毫米波频段的压控振荡器,研究InPHBT工艺中毫米波压控振荡器的设计与优化,实现低噪声低功耗的频率源,在国内外学者研究的基础上,对毫米波芯片进行了深入分析和研究,尤其对工作与47/94GHz VCO进行了更加全面细致的分析及设计。本文主要的研究内容分为两部分。首先,本文主要集中对当前毫米波频段的划分以及应用背景进行分析,对当前毫米波VCO的研究现状及进行全面的、深入的调研。在当前学者的研究基础上提出新的VCO结构。其次分析了两种振荡器模型及其起振条件,分别是反馈型放大器模型和负阻模型,通过对模型的分析,理解了振荡器的基本原理。随后介绍了 VCO设计中重要的性能参数,并分析了重要参数之间的冲突和权衡,这是设计时所需要考虑的因素,减小相位噪声是VCO设计的重点。随后分析了相位噪声模型,提出了减小相位噪声的方法。最后分析了 Colpitts拓扑结构。随后分析讨论了毫米波电路设计中关键的无源元件,包括电感,电容,微带线,巴伦。讨论了在毫米波频段电路设计中,如何设计出具有较好高频特性的无源器件并应用于电路设计中。最终设计了以下两种不同中心工作频率VCO电路:1.基于InP HBT工艺设计了一种中心频率工作于47GHz的Colpitts结构宽带压控振荡器,运用了变容管阵列,该VCO在全频带内具有5dBm以上的输出功率,最高达到9dBm。电路输出频率为41.3GHz~55GHz,调谐范围为13.7GHz,并且具有相对较好的调谐线性度,相位噪声的范围为-61.277~-89.039dBc/Hz@1MHz,此VCO调谐频率范围比达到28%。2.基于InPHBT工艺设计了一种单端Colpitts压控振荡器与倍频器集成的电路。在0~1.1V电压范围内,输出频率为96.4~101.6GHz,调谐范围为5GHz,输出端口为50欧姆时,输出功率在-9dBm以上,中心频率为1MHz时,相位噪声为-76.3dBc/Hz。该压控振荡器适用于W波段应用。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2019-03-01)

压控振荡器论文开题报告范文

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

设计了一款K波段准单片压控振荡器。其中负阻电路部分采用1.6μm InP DHBT工艺,以单片形式制作,谐振电路及变容管外置,键合引线形式连接负阻单片。当电源电压4 V、调谐电压0~15 V时,该电路输出频率为17.97~20.13 GHz,输出功率大于2 dBm,工作电流18 mA。当调谐电压13 V、输出频率19.95 GHz时,相位噪声达到-90.1 dBc/Hz@100 kHz。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

压控振荡器论文参考文献

[1].许奔,丁庆,王鑫,冯军正,吴光胜.一种低相位噪声压控振荡器的设计[J].通信技术.2019

[2].沈一鸣,陈鹏鹏,程伟,张君直,黄港膑.InPDHBT准单片压控振荡器的设计[J].固体电子学研究与进展.2019

[3].玄甲辉.应用于DAB系统Ⅲ波段的LC压控振荡器设计研究[J].现代信息科技.2019

[4].张陶.一种跨导线性化低相噪压控振荡器[J].微电子学.2019

[5].朱玲,单奇星,胡成成,高海军.一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器[J].杭州电子科技大学学报(自然科学版).2019

[6].周鑫,田晔非.一种基于阻抗变换的低噪声LC压控振荡器设计[J].电子器件.2019

[7].陈成.宽带低相位噪声压控振荡器的研究与设计[D].华南理工大学.2019

[8].庞博.宽带低相位噪声压控振荡器芯片设计[D].电子科技大学.2019

[9].谭文.CMOS毫米波压控振荡器研究与设计[D].电子科技大学.2019

[10].李志芸.47/94GHz毫米波压控振荡器的研究与设计[D].杭州电子科技大学.2019

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