基于Langmuir-Blodgett技术制备的二硫化钨可饱和吸收体在调Q固体激光器中的研究

论文摘要

基于Langmuir-Blodgett（LB）方法,研究了新型二硫化钨可饱和吸收体应用于Nd:GdVO4晶体中实现了Q激光的输出.结果表明,通过LB技术在石英玻璃片上制备的二硫化钨可饱和吸收体表面均匀,有利用实现稳定调Q脉冲输出.通过调节谐振腔,在泵浦功率为5.1W时实现了最窄脉冲宽度为337ns的调Q激光输出,相对应的重复频率为614.8kHz,平均输出功率为811mW,斜效率达到36.1%.

论文目录

• 0 引言
• 1 可饱和吸收体的制备与表征
• 2 被动调Q激光器原理图
• 3 实验结果
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王江,汪太进,刘思聪,王勇刚

关键词: 技术,二硫化钨,可饱和吸收体,被动调激光器

来源: 聊城大学学报(自然科学版) 2019年05期

年度: 2019

分类: 基础科学,信息科技

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 陕西师范大学物理学与信息技术学院

基金: 国家自然科学基金项目(61378024),陕西省自然科学基金项目(2017JM6091)资助

分类号: TN248.1

DOI: 10.19728/j.issn1672-6634.2019.05.003

页码: 15-18+93

总页数: 5

文件大小: 337K

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