导读:本文包含了快速瞬态论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:快速,时域,变换器,声源,过电压,转换器,曲率。
快速瞬态论文文献综述
张燕燕[1]（2019）在《基于超快速瞬态测试技术的超薄硅和锗膜热导研究及其对器件自热效应的影响》一文中研究指出随着集成电路技术的发展,晶体管的尺寸的减小和新结构的导入(FinFET和SOI),自热效应对晶体管性能和可靠性的影响也越来越严重。由于硅(Si)薄膜在垂直方向上的热导较大,提取困难,导致当前对硅薄膜截面热导的研究少之又少。在本论文中我们结合超快速测试和瞬态热阻(Transient Hot Strip,THS)法,利用绝缘体上硅结构(Silicon-on-Insulator,SOI)成功提取了不同温度(75-400 K)下硅薄膜厚度为30/17/10 nm时的截面热导。在已知范围内,这是首次从实验中提取到硅材料的截面热导。环境温度为300 K时,硅薄膜厚度为30/17/10 nm 时的热导仅为体硅的 6.9%,4.3%和 3.8%。EIT(Heat Transport based on Extended Irreversible Hydrodynamic Method)模型为常用的热传导经验模型。本文将实验提取的数据与EIT模型的理论值进行比较,发现两者符合得较好。这从实验上验证了该厚度下硅材料截面方向上声子的输运为弹道输运。锗(Ge)材料由于其同时具有较高的电子迁移率和空穴迁移率而备受关注。因此,利用相同的方法我们还提取了超薄绝缘体上锗(GeOI)厚度为50/13/5 nm时的热导。环境温度为300K时,50/13/5 nm的锗薄膜的热导分别为体锗的42.35%,12.3%和2.7%。同样的,锗薄膜热导的实验值与EIT模型的理论值也取得了较好的一致性。由于锗材料的表面相比硅材料的表面更容易引起较大的表面粗糙度,本文还系统地研究了干法刻蚀条件对锗表面形貌的影响。在四氟化碳(CF4)气体中加入20%的氧气(O2),能在锗表面生成氧化锗(GeOx),使锗表面在刻蚀过程中变得光滑。而增大或减小氧气的含量,都会增大锗的表面粗糙度。此外,用氧化硅(SiO2)代替光刻胶作为硬掩模,能通过减少含碳物质的产生而减小表面粗糙度。因此,我们可以通过调节干法刻蚀条件改变材料的表面粗糙度,进而改变材料的热导。基于上述实验,我们对声子-边界散射作用下热导对晶体管自热效应的影响进行了探究。随着硅薄膜和锗薄膜厚度的减小,声子-边界散射的影响逐渐增大,晶体管的自热效应变得更加严重。在同一硅薄膜厚度下,声子-边界散射的影响随着温度升高而逐渐减小,SOI器件的自热效应有所减缓。而锗薄膜的热导与温度的依存关系较小,自热效应对GeOI器件的影响随环境温度的上升并无较大的起伏。比较SOI和GeOI器件由于自热效应引起的电流退化程度(Ion_reduction)和最大温度(Max_T),发现在环境温度较低时SOI器件的自热效应要比GeOI器件的自热效应严重。但随着环境温度的升高或薄膜厚度的减小,两者由于自热效应引起的器件特性退化程度的差异减小。此外,声子-边界散射作用下的热导还会严重影响晶体管内部的温度分布。因此,不考虑声子-边界散射对热导的影响会严重低估器件的自热效应。最后,我们还系统地研究了应力作用下热导对器件中自热效应的影响。利用相变材料(PCM)在较低工艺温度下在硅和锗衬底上引入较大的应力。结合实验中相变材料体积的变化,利用有限元计算得到GST,GeTe和Sb2Te3叁种相变材料在硅薄膜中(TSi=30 nm)产生的压应变分别为1.0%,1.5%和2.8%,在锗薄膜中(TGe=13 nm)产生的应变分别为1.0%,2.1%和3.0%。利用密度泛函(D F T)方法计算得到硅和锗薄膜在不同应变下的声子谱,结合声子谱计算得到的声子群速度和Holland模型可以获得硅和锗衬底不同应变下的热导。结果表明,随着压应力增大,硅和锗的的热导逐渐增大;随着拉应力的增大,硅和锗的热导逐渐减小。最后通过TCAD模拟仿真,分析了应力作用下热导对晶体管自热效应的影响。分析发现,应力作用下热导对晶体管自热效应的影响远小于应力对载流子迁移率的影响。但应力技术仍可以作为热电材料提升热电优值的一种有效技术手段。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-09-10）
施一飞[2]（2019）在《加速瞬态场求解的时域快速多极子算法》一文中研究指出本文介绍了一种新型的时域快速算法-时域快速多极子算法。时域快速多极子算法通过多极子(平面波)展开来对角化阻抗矩阵,降低时域积分方程法的计算复杂度。文中的算例验证了其精确性。(本文来源于《2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）》期刊2019-05-19）
郑怀仓[3]（2019）在《具有快速瞬态响应的Buck型DC-DC转换器研究与设计》一文中研究指出DC-DC转换器能够根据输入电压和负载电流的变动调节输出电压,具有转换效率高、输入电压范围大、输出电流大等技术优势。大规模集成电路对DC-DC转换器芯片的响应速度要求日益增高,因此,如何设计一款具有快速瞬态响应的DC-DC转换器芯片逐渐成为电子工程师越来越关注的研究内容。理想的DC-DC转换器输出电流与负载电流时刻保持相同,以提供稳定的输出电压。但在实际应用中,由于DC-DC转换器在负载电流变化时的响应时间是有限的,当负载发生跳变时,输出电流滞后负载电流的变化,从而导致输出电压下冲或过冲。如果输出电压变化非常大,则可能导致异常操作或使便携式设备的性能劣化。针对以上问题,提出了一种具有快速瞬态响应的Buck型DC-DC转换器的设计方案。在负载大小改变时,将反馈电压的变化量反馈到振荡器电路,改变此时振荡器频率,根据负载轻重变化调节输出电流的变化斜率,达到快速稳定电路的目的。此外,对Buck转换器电流环路稳定性以及电压环路稳定性做了分析。通过对系统架构的分析,给出了部分模块电路的具体设计方案。该系统由快速瞬态响应电路、驱动电路、软启动电路、输入欠压锁定电路以及恒压恒流切换电路等构成,具有恒定电流输出和恒定电压输出两种不同的工作状态,由切换电路保证了转换的平顺性。设计的DC-DC转换器芯片基于0.18?m BCD工艺。对所设计的具有快速瞬态响应的Buck型DC-DC转换器系统进行仿真和测试,测试结果表明:当芯片的输入电压为12V,负载电流在小于5A的范围内变化时,系统转换效率都在90%以上,尤其当输出电流为0.3A至2A范围内时的转换效率更是高达95%以上,同时负载瞬态响应稳定。(本文来源于《长安大学》期刊2019-04-10）
石旺[4]（2019）在《快速瞬态响应降压变换器的环路研究与设计》一文中研究指出随着消费类电子产品和半导体集成电路的快速发展,电源管理(PM)已经从最初的特种应用普及到人们的日常生活中。在种类繁多的电源管理芯片中,开关电源芯片以其高效率、小体积、高可靠性等优势而被广泛应用于为各种电子系统供电。电流模控制BUCK(降压)变换器因其较宽的输入电压范围、较为简单的补偿方式、较好的瞬态响应特性等优点而成为了应用最为广泛的开关电源芯片之一。本文就基于电流模控制BUCK变换器,从小信号环路建模出发,详细推导了电流模BUCK电流内环及电压外环的传输函数,明确了环路品质因数对二分之一开关频率处双极点的影响以及斜坡补偿量与环路品质因数Q值之间的关系。本文还以电流模环路的增益裕度作为设计Q值的上限,以环路相位裕度作为设计Q值的下限而得到了理论最优品质因数,同时使用simplis软件验证了理论分析的正确性和预见性,从而为自适应斜坡补偿电路的设计提供了理论指导。为了设计一个高性能的BUCK变换器,本文从芯片系统级设计开始,一步步明确芯片外置功率管、片外电容、片外电感、DCR采样网络、频率补偿网络及软启动电容的选取。随后本文还详细说明了快速瞬态响应BUCK变换器中关键子电路的设计原理与设计规则,具体有固定斜坡补偿及振荡器电路,为实现最优Q值控制和快速瞬态响应的自适应斜坡补偿电路,以及优化本芯片因过小的输入输出压差而导致的瞬态出错的I_error瞬态纠错模块。本文使用cadence软件实现了快速瞬态响应BUCK变换器的子电路及环路搭建,并通过电路整体仿真验证了系统的上电逻辑、输出电压纹波、线性调整率、负载调整率、负载瞬态响应时间以及系统转换效率等关键参数。最终使用高精度电源、电子负载、示波器等测试工具验证了BUCK芯片的功能及性能达到了预期目标。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
赵琳,叶丽雅,杨勇,蒋鹏[5]（2018）在《550 kV GIS隔离开关操作引起特快速瞬态过电压仿真研究》一文中研究指出为计算分析洪屏抽水蓄能电站550 k V GIS变电站在电机以发电机和电动机运行方式下投切主变压器、母线、出线操作时的VFTO(特快速瞬态过电压)以及影响因素,采用EMTP-ATP电磁暂态程序建立了电路仿真模型。分析结果可知,主变压器处VFTO幅值并不大,但是在高频振荡分量作用下有可能激起局部共振过电压,对主变压器匝间绝缘有危害。同时,连接地上地下部分的长电缆加速暂态过程的衰减。最后选取较严重VFTO下的操作方式进行了主变压器VFTO抑制措施的研究,结果表明,在GIS母线与主变压器之间连接一条3 m长的架空线即可限制VFTO波前陡度对主变压器纵绝缘的危害。(本文来源于《浙江电力》期刊2018年12期）
周慧华,邹喜萍[6]（2018）在《地回线对容性耦合钳快速瞬态脉冲注入的影响》一文中研究指出介绍了容性耦合快速瞬态脉冲抗扰度试验方法,分析了线束间的不同耦合路径,并通过实验法验证了地回线对试验结果的影响。最后,为试验的实施提出了理论指导。(本文来源于《上海计量测试》期刊2018年06期）
黄时春,张焕强,蒋伟康[7]（2018）在《基于小型叁维阵列的瞬态声源快速被动定位方法》一文中研究指出重物在落水和着底过程中都会产生瞬态声信号,这类信号可被运用于浅水区域水下目标定位。针对浅水区域目标定位的问题,提出了一种基于小型立体五元基阵的瞬态声源快速被动定位算法。在分析重物落水信号特征的基础上,选取合适的广义互相关加权函数求得传声器之间的声程差,运用快速最小二乘搜索算法进行声源定位。结果表明:运用5传声器阵列可以同时兼顾定位精度和鲁棒性,且满足实时性要求,该方法可运用于浅水区域瞬态声源定位等领域。(本文来源于《数字海洋与水下攻防》期刊2018年03期）
Ying,Cheng[8]（2018）在《设计要点 具快速瞬态响应和超低EMI辐射的单片式65V、8A降压型稳压器》一文中研究指出引言LT8645S和LT8646S是65V同步降压型单片式稳压器,能支持8A输出。它们的Silent Switcher~? 2架构可实现优异的EMI性能,这与电路板布局无关。LT8646S具有RC外部补偿功能以优化瞬态响应。宽输入范围和高输出电流单片式解决方案当设计用于48V总线系统的降压型转换器时,电源设计师倾向于选择控制器解决方案(外部MOSFET),而非尺寸小得多的单片式稳压器(内部MOSFET),这是因为能够处理这么高输入电压的单片式稳压器寥(本文来源于《电子产品世界》期刊2018年12期）
文常保,郑怀仓,刘雨鑫,崔现锋[9]（2018）在《用于开关DC-DC转换器的快速负载瞬态响应电路》一文中研究指出设计了一种提高固定开关频率DC-DC转换器负载瞬态速度的电路。该电路通过在负载跳变过程中改变开关频率的方式来提高负载瞬态响应速度。在负载电流瞬态变化时,DC-DC输出电压的跳变量通过反馈电压采样和放大后来控制开关频率。负载电流从小到大跳变时开关频率增加,在负载电流从大到小跳变时开关频率降低。整个芯片后仿真结果表明,所设计的电路可以改善负载瞬态响应,在输入电压12 V、输出电压5 V条件下,负载电流由1 A到3 A跳变时,输出电压过冲量降低了26 mV,负载电流由3 A跳变到1 A时,输出电压过冲量降低了52 mV。该电路在一款0. 18μm高压BCD工艺的降压型DC-DC转换器芯片中进行了投片验证,测试结果表明,负载瞬态时,输出电压过冲量减小,增加了系统稳定性。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年11期）
刘智,姜洪雨,梁希,葛梅[10]（2018）在《高精度、快速瞬态响应LDO电路设计》一文中研究指出文章设计实现了一款高精度、快速瞬态响应LDO电路。该设计采用高阶曲率补偿技术,以提高带隙基准电压的温度特性;采用多级熔丝修调技术,以提高基准电压和基准电流精度;采用调整管栅极寄生电荷泄放技术和负载电流泄放技术,以优化LDO快速瞬态响应特性。这里采用0. 6μm Trench SOI CMOS工艺设计、制造。测试结果表明,输出误差小于1%,瞬态响应特性与国外产品相当。(本文来源于《空间电子技术》期刊2018年05期）
快速瞬态论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文介绍了一种新型的时域快速算法-时域快速多极子算法。时域快速多极子算法通过多极子(平面波)展开来对角化阻抗矩阵,降低时域积分方程法的计算复杂度。文中的算例验证了其精确性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
快速瞬态论文参考文献
[1].张燕燕.基于超快速瞬态测试技术的超薄硅和锗膜热导研究及其对器件自热效应的影响[D].浙江大学.2019
[2].施一飞.加速瞬态场求解的时域快速多极子算法[C].2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2019
[3].郑怀仓.具有快速瞬态响应的Buck型DC-DC转换器研究与设计[D].长安大学.2019
[4].石旺.快速瞬态响应降压变换器的环路研究与设计[D].电子科技大学.2019
[5].赵琳,叶丽雅,杨勇,蒋鹏.550kVGIS隔离开关操作引起特快速瞬态过电压仿真研究[J].浙江电力.2018
[6].周慧华,邹喜萍.地回线对容性耦合钳快速瞬态脉冲注入的影响[J].上海计量测试.2018
[7].黄时春,张焕强,蒋伟康.基于小型叁维阵列的瞬态声源快速被动定位方法[J].数字海洋与水下攻防.2018
[8].Ying,Cheng.设计要点具快速瞬态响应和超低EMI辐射的单片式65V、8A降压型稳压器[J].电子产品世界.2018
[9].文常保,郑怀仓,刘雨鑫,崔现锋.用于开关DC-DC转换器的快速负载瞬态响应电路[J].半导体技术.2018
[10].刘智,姜洪雨,梁希,葛梅.高精度、快速瞬态响应LDO电路设计[J].空间电子技术.2018
论文知识图
