导读:本文包含了外延片论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:外延,成核,表面,多量,薄层,倒角,碳化硅。
外延片论文文献综述写法
潘文宾,黄宇程,王银海,杨帆[1]（2019）在《高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法》一文中研究指出高压IGBT/FRD管(1200 V以上)用外延片外延厚度通常在100μm以上,远超常规外延材料,使用傅里叶红外光谱法(FTIR)测量时,往往光谱center burst出现变异,对测量结果计算造成误差。实验分析不同因素对光谱的影响,同时确认重掺衬底条件下光谱正向峰型稳定规律,重新定义取值峰,采用正向峰值计算方法避免产生测试误差,提高测试稳定性。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年12期）
[2]（2019）在《两大本土GaN外延片项目宣布投产》一文中研究指出近日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称"公司")发布公告,其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称"聚能晶源")投资建设的第叁代半导体材料制造项目(一期)已达到投产条件,于2019年9月10日正式投产。聚能晶源于同日举办了"8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式"。据介绍,聚能晶源位于青岛市即墨区,主要从事半导体材料,尤其是氮化镓(本文来源于《半导体信息》期刊2019年05期）
彭永纯,边娜[3]（2019）在《硅外延片背面边缘异常黑斑原因分析及研究》一文中研究指出随着客户对外延片边缘的关注度不断增加,部门对质量意识的不断提升,针对硅外延片边缘异常黑斑进行原因分析及研究,分别从异物沾污、晶棒缺陷、衬底加工及外延工艺方面展开分析,最终确定此异常现象为衬底加工中倒角工艺过度研磨及外延生长中HCL抛光共同导致。由此,供应商通过进一步改善倒角工艺,提高了外延片边缘质量水平。(本文来源于《天津科技》期刊2019年09期）
杨龙,赵丽霞[4]（2019）在《4HN碳化硅外延片标准研究》一文中研究指出本文通过介绍碳化硅材料的发展趋势,提出了碳化硅外延片标准体系建立对产业发展的意义。标准中规定了SiC同质外延片使用的衬底参数规范、外延片测试表征方法及技术规范、包装运输及储存。本标准的提出将碳化硅衬底参数与测试方法及技术规范结合,大大降低了衬底因素对产品质量的影响,促进了外延技术和产品质量的提升。(本文来源于《中国标准化》期刊2019年S1期）
杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰[5]（2019）在《InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱》一文中研究指出利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。(本文来源于《发光学报》期刊2019年07期）
薛宏伟,周晓龙,刘永刚[6]（2019）在《影响功率半导体器件用硅外延片清洗质量的因素》一文中研究指出硅外延片非常适合且已经被广泛用作制备功率半导体器件,但其供给远远不能满足市场需求。硅外延片清洗后,可能会造成表面有机物、颗粒、金属污染物和水痕残留,直接影响到功率半导体器件用晶圆加工过程的稳定性和加工产品的最终良率。从人机料法环等环节,分析了这些影响因素的来源和实际生产过程中使用的方法。利用新型清洗技术,可以减少传统清洗工艺对环境的影响。根据清洗机和工艺的实际情况,及时发现和解决清洗遇到的问题,才能保证清洗质量稳定在较高的水平,满足晶圆加工厂家的要求。(本文来源于《清洗世界》期刊2019年06期）
王云彪,何远东,吕菲,陈亚楠,田原[7]（2019）在《清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响》一文中研究指出锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100>锗单面抛光片进行清洗试验,研究了SC-1溶液的不同清洗时间、清洗温度和去离子水冲洗温度对锗抛光片外延后点状缺陷的影响,分析了表面SiO_2残留和锗片表面粗糙度对外延片表面点状缺陷的影响。结果表明点状缺陷主要是由于锗单晶抛光片表面沾污没有彻底清洗干净以及清洗过程中产生新的缺陷造成的。采用氢氟酸溶液浸泡、SC-1溶液低温短时间清洗结合低温去离子水冲洗后的锗抛光片进行外延,用其制备的太阳电池光电转换效率由原来的25%提高到31%。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年06期）
王肖波[8]（2019）在《8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法》一文中研究指出作为半导体硅器件和集成电路中经常会使用的一种基础功能的材料,硅外延片的性能非常优越,是我国电子信息技术产业发展过程中经常会用到的材料。半导体器件薄层硅外延片在半导体中的应用范围非常广泛,其在半导体器件中担任的主要是电路功能。该文就8英寸薄层硅外延片的均匀性控制进行研究,希望能够在一定程度上提高8英寸薄层硅外延片的质量。(本文来源于《中国新技术新产品》期刊2019年09期）
孟锡俊,李建婷[9]（2019）在《成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响》一文中研究指出目前LED产品已经形成了成熟且稳定的产业,新兴的紫外LED的市场也随之发展迅速,使得越来越多的技术人员开始开发研究。本文通过对成核层工艺的研究,结合外延过程中的翘曲情况,得到了成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响效果。(本文来源于《电子元器件与信息技术》期刊2019年04期）
付国森[10]（2019）在《大尺寸外延片表面暗点现象的工艺研究》一文中研究指出对桶式外延炉在大尺寸外延片生长过程中出现表面暗点的形成原因进行分析,并结合桶式外延炉的结构特点,依据外延炉结构的气流模型提出对支承筒结构的改造方案。经实验验证,改造方案解决了桶式外延炉在大尺寸外延片生长过程中形成暗点问题,极大提高了产品合格率,降低维护成本,经济成果明显。(本文来源于《天津科技》期刊2019年01期）
外延片论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称"公司")发布公告,其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称"聚能晶源")投资建设的第叁代半导体材料制造项目(一期)已达到投产条件,于2019年9月10日正式投产。聚能晶源于同日举办了"8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式"。据介绍,聚能晶源位于青岛市即墨区,主要从事半导体材料,尤其是氮化镓
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
外延片论文参考文献
[1].潘文宾,黄宇程,王银海,杨帆.高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法[J].电子与封装.2019
[2]..两大本土GaN外延片项目宣布投产[J].半导体信息.2019
[3].彭永纯,边娜.硅外延片背面边缘异常黑斑原因分析及研究[J].天津科技.2019
[4].杨龙,赵丽霞.4HN碳化硅外延片标准研究[J].中国标准化.2019
[5].杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰.InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱[J].发光学报.2019
[6].薛宏伟,周晓龙,刘永刚.影响功率半导体器件用硅外延片清洗质量的因素[J].清洗世界.2019
[7].王云彪,何远东,吕菲,陈亚楠,田原.清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响[J].半导体技术.2019
[8].王肖波.8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法[J].中国新技术新产品.2019
[9].孟锡俊,李建婷.成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响[J].电子元器件与信息技术.2019
[10].付国森.大尺寸外延片表面暗点现象的工艺研究[J].天津科技.2019