导读:本文包含了外腔式半导体激光器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:激光器,半导体激光器,体布拉格光栅,光谱
外腔式半导体激光器论文文献综述
刘荣战,薄报学,么娜,徐雨萌,高欣[1]（2019）在《体布拉格光栅外腔红光半导体激光器实验研究》一文中研究指出采用反射型体布拉格光栅作为反馈元件构成红光外腔半导体激光器,对器件输出光特性进行了实验研究。重点研究了体布拉格光栅的位置对红光外腔半导体激光器远场特性的影响。实验结果表明,减小体布拉格光栅与激光器芯片之间的距离可提高激光器的锁模效果,窄化光谱,并且改善慢轴方向的光束发散角。使用衍射效率为20%的体布拉格光栅,可将半导体激光器的输出波长稳定锁定在634 nm附近,光谱线宽压缩至0.7 nm左右,输出功率可达1.06 W。(本文来源于《发光学报》期刊2019年11期）
田景玉[2]（2019）在《高功率半导体激光器外腔合束技术及白激光研究》一文中研究指出半导体激光器具备寿命长、电光转换效率高、功率体积比大、调制性能优异、可选波长宽、易于集成等诸多性能优势,随着功率、亮度、光束质量、频谱稳定性等性能的不断提升,半导体激光器已直接或间接应用在空间通信、激光加工、激光照明与显示、激光测量与监测、国防安全等领域,在全球范围内半导体激光器市场规模也在不断扩大。作为间接光源,半导体激光泵浦固体、光纤及碱金属等多种类型激光器,要求泵浦光谱与吸收光谱严格匹配,而半导体激光器存在光谱较宽、频谱稳定性较差的问题,导致泵浦效率较低。作为直接能量光源,半导体激光器单元器件功率较低,光束质量差等问题都亟待解决。另外,基于红、绿、蓝(RGB)叁基色半导体激光器的合成光源应用在激光显示及照明领域,具有显色性好、亮度高等优势,但由于处于起步阶段,存在激光功率低的问题,不能满足高功率、高亮度激光显示的使用要求。本论文基于半导体激光外腔反馈波长锁定及合束技术,研制出高功率、高光束质量的直接光源和适用于碱金属蒸汽激光器泵浦的高功率、窄线宽泵浦光源;基于RGB叁基色半导体激光器研制出高功率白激光显示光源。具体的研究内容和成果如下:(1)基于RGB叁基色半导体激光器件,通过空间合束、波长合束等,叁基色光耦合进单光纤,光纤输出合束光功率超过100W。根据色度学原理进行颜色功率配比,获得了功率达63W,色温为5710K的白光输出,比标准白光D_(65)的色温低12.2%。在此基础上,进行调温、调色实验,获得了功率达58.4W,色温为6480K的白光输出,比标准白光D_(65)的色温低3.08%。基于该光源,通过调整激光功率配比,可实现不同色温的合束激光输出。(2)针对Rb碱金属蒸汽激光器泵浦光需求,提出了快轴准直镜-光束变换器-慢轴准直镜-反射式体布拉格光栅(FAC+BTS+SAC+RVBG)的结构,通过压缩入射到RVBG的激光发散角,提高RVBG有效反馈率的方式,研制出780nm窄线宽半导体激光器,光谱宽度为0.064nm(FWHM),进一步精确温控RVBG,可将中心波长稳定在780.00nm,温漂系数为0.0012nm/℃,电流漂移系数为0.0013nm/A,连续功率达到47.2W。基于该结构,合束四个波长可控的激光线阵,输出功率达到173.8W,电光转换效率为46.6%。(3)基于单线阵800nm半导体激光器,实现了19个激光单元的光谱合束输出,合束后的光谱宽度为3.94nm,相邻峰之间的间隔约为0.22nm,输出功率为31W,电光转换效率达到51.5%。在此基础上,实现了四个800nm半导体激光线阵的光谱合束。(4)提出了一种双谐振腔共用单光栅实现多激光单元光谱合束的结构,基于透射式衍射光栅,搭建了外腔反馈光谱合束双谐振腔原理样机,并结合偏振合束,实现8个800nm半导体激光线阵的激光合束,连续输出功率超过200W,光束质量M~2为2.2×16.7,可以被耦合到50μm/0.22NA光纤中,其亮度高于商用的的光纤(100μm/0.22NA,800nm,100W)亮度数十倍。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)》期刊2019-06-01）
曹宇轩[3]（2019）在《中红外锑化物半导体激光器外腔光谱合束研究》一文中研究指出中红外半导体激光器在环境监测、激光雷达、医学诊断、空间通信及军事国防等领域有着重要的应用前景。由于受到器件结构及材料性质限制,进一步提高输出功率变得十分困难。合束是半导体激光器实现高功率、高亮度激光输出的关键技术。相比于其他合束技术,通过光谱合束技术最有可能获得高功率,高亮度的中红外激光光源。本论文主要围绕中红外锑化物半导体激光器光谱合束技术,开展中红外光谱合束中激光外腔特性相关的研究。进行研究主要工作如下:(1)调研了国内外对于中红外半导体激光器合束技术的研究进展,分析了国内外研究机构对于中红外半导体激光器合束技术的研究,并撰写了一篇综述文章,发表在《红外与激光工程》杂志。(2)在采用输出耦合镜的单管锑化物半导体激光器外腔结构中,探究了输出耦合镜反射率对于激光器谐振腔、输出光束的功率、光束质量和光谱的影响。在输出耦合镜反射率为33.5%时,获得快慢轴M~2因子分别为7.68和10.87,光谱谱宽为490pm,输出效率为72.5%的输出光束。(3)针对输出耦合镜外腔的输出效率低的局限性,首次在中红外锑化物半导体激光器外腔结构中采用小角度V型腔。在单管锑化物半导体激光器小角度V型腔实验中,研究小角度V型腔中反射镜位置对于输出光束的功率、光束质量的影响。得出在小角度V形腔结构中,可以通过改变反射镜位置来改变输出光束的功率以及慢轴光束质量。当反射镜遮挡距离0.5mm时,获得快慢轴M~2因子分别为7.75和12.95,输出效率为87%的输出光束。(4)对空间合束后的锑化物半导体激光器,进行基于输出耦合镜的外腔模式和小角度V形腔模式的光谱合束。分别获得慢轴M~2为35,合束效率为45.8%,慢轴M~2=38.1,合束效率为72.3%的输出光束。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)》期刊2019-06-01）
李文睿[4]（2019）在《应用于外腔可调谐半导体激光器的MEMS静电驱动设计与仿真》一文中研究指出随着科学技术的发展,外腔可调谐半导体激光器受到人们的极大关注。与其他可调谐激光器相比,可调谐半导体激光器具有波长调谐范围宽、结构紧凑和调谐速度快等优点,这些优点使其在频谱分析,光纤传感和污染气体检测等领域具有广泛应用。其中,基于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)转镜的外腔可调谐激光器因其本身具有结构紧凑、可调谐范围宽、光谱线宽窄、控制精度高等优点,一直是可调谐半导体激光领域的研究热点。对于这类激光器,最关键的技术是按照激光器特定需求驱动腔内全反镜或者光栅移动的MEMS驱动器的设计。目前市面上的MEMS驱动器仍存在一些问题,如旋转角度有限制,驱动电压过高,或者结构本身不能满足外腔可调谐激光器无跳模连续调谐、光谱线宽窄等需求。因此本文在现有研究基础上,对应用于外腔可调谐激光器的MEMS驱动开展相关研究,提出了四种可绕虚轴点旋转的新型MEMS驱动结构。具体工作如下:(1)本文在详细分析单梳静电梳齿驱动原理的基础上,利用COMSOL Multiphysics软件,构建了单梳MEMS驱动模型,并对结构进行仿真,同时分析了其旋转特性。同时,构建了多个不同梳齿间距、梳齿宽度、悬臂梁长度、梳齿弧度的单梳结构模型,对这些参数逐个进行仿真对比分析,重点探讨了这些参数对结构旋转结果的影响,为应用于外腔可调谐激光器的MEMS静电驱动结构提供了最优梳齿参数及优化依据。(2)本文提出了一种应用于外腔可调谐激光器的MEMS突出梳齿对称驱动结构。首先对单梳突出梳齿结构进行分析,构建单梳突出梳齿结构模型,并进行仿真分析,结果表明突出梳齿能够有效减小驱动电压。在此基础上,对突出梳齿的参数进行了进一步建模分析,探讨了这些参数对结构旋转结果的影响。其次,改进并提出了一种绕虚轴点旋转的MEMS对称驱动结构,该结构可以实现窄结构下,大角度绕虚轴点旋转。同时考虑突出梳齿的优点,提出了 MEMS突出梳齿对称驱动结构,对所提结构进行建模分析,并不断优化参数与结构,最终得到了结构顶端距虚轴点2500 μm,施加52 V电压,可以实现旋转2.5°的MEMS对称驱动结构。(3)本文提出了一种应用于外腔可调谐激光器的ME入MS突出梳齿扇环驱动结构。首先对绕虚轴点旋转的MEMS扇环驱动结构的原理进行详细分析,其本身可以实现绕外侧虚轴点大角度旋转。同时结合突出梳齿的特点,提出了 MEMS突出梳齿扇环驱动结构。然后对所提结构进行建模分析,并不断优化参数与结构,最终得到了结构顶端距虚轴点3200 μm,施加140 V电压,可以实现旋转3°的MEMS扇环驱动结构。(4)本文提出了一种应用于外腔可调谐激光器的MEMS拉链梳齿对称驱动结构。首先对单梳拉链梳齿结构进行分析,构建单梳拉链梳齿结构模型,并进行仿真分析,结果表明拉链梳齿在结构尺寸一定时,可以有效增加旋转角度。在此基础上,对拉链梳齿参数进行了进一步分析,探讨了这些参数对结构旋转结果的影响。在对称结构原理分析的基础上,提出了MEMS拉链梳齿对称驱动结构,对所提结构进行建模分析,通过对参数的不断优化,最终得到了结构顶端距虚轴点2500 μm,施加262 V电压,可以实现旋转3.7°的MEMS对称驱动结构。(5)本文提出了一种应用于外腔可调谐激光器的MEMS拉链梳齿扇环驱动结构。在拉链梳齿参数分析与扇环驱动原理分析的基础上,提出了MEMS拉链梳齿扇环驱动结构,进行建模分析,得到了拉链梳齿对扇环驱动结构优化作用较小的结论。本文创新点如下:(1)为了降低MEMS驱动结构对高驱动电压的要求,我们首次将突出梳齿结构应用于绕虚轴点旋转的MEMS对称结构中,将工作时梳齿间距缩小至1 μm。由此设计的应用于无跳模、窄线宽外腔可调谐激光器的MEMS突出梳齿对称驱动结构,施加52 V电压,可以实现绕虚轴点双侧旋转2.5°。相比于已有绕虚轴点旋转的MEMS驱动结构需要几百伏的驱动电压,我们提出的MEMS突出梳齿对称驱动大幅减小了驱动电压和结构宽度。(2)为了不影响光路设计并降低MEMS驱动结构对高驱动电压的要求,我们首次将突出梳齿结构应用于绕虚轴点旋转的MEMS扇环结构中,使结构可以绕外侧虚轴点旋转同时减小梳齿间距。由此设计的应用于无跳模、窄线宽外腔可调谐激光器的MEMS突出梳齿扇形驱动结构,施加140 V电压,可以实现绕虚轴点双侧旋转3°。相比于已有绕虚轴点旋转的MEMS驱动结构,MEMS突出梳齿扇环驱动可以绕外侧虚轴点旋转且有效减小了驱动电压。(3)为了获得更大的旋转角度,我们首次将拉链梳齿结构应用于绕虚轴点旋转的MEMS对称结构中,缩短内侧梳齿长度。由此设计的应用于无跳模、窄线宽外腔可调谐激光器的MEMS拉链梳齿对称驱动结构,施加262 V电压,可以实现3.7°的绕虚轴点双侧旋转角度。相比于已有绕虚轴点旋转的MEMS驱动结构最大旋转角度为3°,MEMS拉链梳齿对称驱动进一步提升了旋转角度至3.7°。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-25）
杜悦宁,陈超,秦莉,张星,陈泳屹[5]（2019）在《硅光子芯片外腔窄线宽半导体激光器》一文中研究指出随着超高速光互连、相干光通信、相干检测等技术的不断发展,对激光光源的线宽、相频噪声、可调谐性和稳定性等都提出了更为严格的要求。利用基于CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的硅光子芯片与半导体增益芯片各自的优势,将二者准单片集成实现结构紧凑、低功耗和高稳定性的窄线宽半导体激光器成为近年的研究热点。该结构可通过微环谐振器、环形反射镜和马赫曾德干涉仪等提供光反馈压窄线宽,并实现宽调谐范围和稳定功率输出。本文主要阐述了硅光子芯片外腔半导体激光器的最新研究进展,针对几种包含微环谐振器的结构进行了分类介绍,深入讨论了增加耦合效率和降低端面反射率等技术难题。针对未来空间光通信和光互连等应用前景,展望了该类激光器在功率提升和光子集成方面的未来发展方向。(本文来源于《中国光学》期刊2019年02期）
孙舒娟,谭昊,孟慧成,郭林辉,高松信[6]（2019）在《高亮度半导体激光器无输出耦合镜光栅外腔光谱合束》一文中研究指出宽面发射半导体激光器的光谱合束技术对发展高功率直接半导体激光光源具有重要意义。光栅外腔光谱合束基于光栅的波长选择特性和外腔半导体激光技术,实现单个合束单元的光谱锁定和所有合束单元的合束输出,输出光束质量与单个合束单元相当,而亮度和功率得到很大的提高。基于无输出耦合镜光栅外腔光谱合束结构,实现了单个半导体激光短阵列的光谱合束,分析了光谱合束的输出光谱、输出功率和光束质量的特性,获得了70 A工作电流下40.8 W的连续输出功率,快轴和慢轴方向的光束质量分别为0.41 mm·mrad和9.16 mm·mrad(包含95%能量),相应的电光转换效率为38.4%,亮度高达67.90 MW/(cm~2·sr)。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2019年03期）
孙舒娟,谭昊,孟慧成,郭林辉,高松信[7]（2018）在《半导体激光器迭阵无输出耦合镜光栅外腔光谱合束》一文中研究指出宽面发射半导体激光器的光谱合束技术对发展高功率直接半导体激光光源具有重要意义。光栅外腔光谱合束基于光栅的波长选择特性和外腔半导体激光技术,实现单个合束单元的光谱锁定和所有合束单元的合束输出,输出光束质量与单个合束单元相当,亮度和功率得到很大提高。基于两个半导体激光器短阵列迭阵,进行了无输出耦合镜光栅外腔光谱合束实验研究,实现了12个半导体激光器短阵列的光谱合束。分析了光谱合束的输出光谱、输出功率和光束质量,在70 A的抽运电流下,连续输出功率为578 W,光谱带宽为10.26 nm,电光转换效率46.5%。(本文来源于《中国激光》期刊2018年10期）
孙舒娟[8]（2018）在《半导体激光器无输出耦合镜光栅外腔光谱合束技术研究》一文中研究指出半导体激光器在固体激光器泵浦、显示和材料处理等许多应用中起着重要作用。对半导体激光器输出光束进行合束,常用的合束方法有空间合束、偏振合束和光谱合束。其中只有光谱合束(Spectral Beam Combination,SBC)能够在保持输出光束与单个发光单元光束质量相当的情况下,将亮度提高数倍,因而逐渐成为研究热点,并取得了一些较大突破。近年来,Teradiode公司利用光谱光束合成技术使的半导体激光器输出功率达到了数千瓦级。本论文主要围绕半导体激光器的波分复用合束技术之一——光谱合束展开研究。设计了无输出耦合镜光栅外腔光谱合束的研究方案,研制了高功率、高光束质量、高亮度的光谱合束直接输出半导体激光光源。具体工作内容如下:1)梳理了近几年来国内外半导体激光器光谱合束技术发展的最新重大成果和在发展高功率高亮度直接应用半导体激光光源方面极具有潜力的波分复用合束技术。将半导体激光器的波长合束、光谱合束(密集光谱合术和粗谱合束)、波分复用统一为波分复用合束技术,总结了半导体激光器波分复用合束技术中所用的波长锁定和复用元件的发展现状,总结了目前已经商业化的光谱合束直接输出光源。2)以提高光谱合束输出功率、合束效率和光束质量为目的,分析了输出耦合镜光栅外腔光谱合束结构,设计了无输出耦合镜外腔光栅光谱合束结构,对该结构的反馈光束和输出光束组成进行了分析阐述,并得到了其等效外腔结构。3)分析了半导体激光器外腔波长锁定的原理及过程,并就光栅外腔光谱合束中,外腔结构参数与外腔反馈耦合带宽进行了简要分析,分析了外腔耦合带宽与半导体激光器波长锁定后残余线宽的关系。4)分析了光栅光谱合束的原理,根据光栅色散特性,以光栅刻线1600条/mm,光栅Littrow角aLittrow=51.33°@976nm为例,建立了光栅的波长-角度对应系统。根据所建立的波长-角度对应系统,分析了光栅外腔结构里半导体激光器阵列条上发光单元间隔、变换柱透镜焦距、光栅周期和光栅Littrow角等参数对合束输出光谱的谱峰间隔、输出谱宽等的影响。分析了导致光栅外腔光谱合束输出光束质量劣化的主要原因—残余光谱线宽、发光点间串扰和阵列条“smile”效应。5)进行了所用的波长976nm、9个发光点半导体激光短阵列条的测试,并进行了单阵列条无输出耦合镜光谱合束验证实验。实现了 70A工作电流下40.8W的输出功率,验证了无输出耦合镜光栅外腔结构的可行性。6)基于单阵列条的验证实验,设计了 6个阵列条快轴方向堆栈成迭阵,两迭阵进行空间合束之后进行光谱合束的高功率直接输出半导体激光光源的研制方案,研制了一套输出功率578W,电光效率46.5%,快轴和慢轴光束质量分别为BPPFA=7.35mm·mrad、BPPSA=6.03mm mrad(包含95%能量),空间亮度为132.14MW/(cm2· sr),光谱亮度为12.88MW/(cm2·sr·nm)的直接输出光源。(本文来源于《中国工程物理研究院》期刊2018-05-01）
刘金玉,何军,王军民[9]（2018）在《852nm窄带滤光片外腔反馈半导体激光器的优化》一文中研究指出外腔半导体激光器是激光光谱学、原子物理学及量子光学领域广泛应用的光源。本文介绍我们研制的利用超窄带宽滤光片作为激光纵模选择元件且反馈量可变的猫眼型852nm外腔半导体激光器(IFECDL)。旋转窄带滤光片的角度,激光波长粗调范围为14nm。利用光纤延时自差拍法测量了窄带滤光片外腔半导体激光器的线宽,单滤光片进行选频的IF-ECDL线宽约为211kHz,双滤光片情形的IF-ECDL线宽约为187kHz。激光频率连续调谐范围大于1.5 GHz,获得了铯原子D2线的两组饱和吸收光谱。所研制的IF-ECDL可应用于精密光谱测量、光通信、激光冷却与俘获铯原子等方面。(本文来源于《量子光学学报》期刊2018年01期）
孙广伟,魏芳,张丽,陈迪俊,张茜[10]（2018）在《基于保偏光纤光栅的低噪声外腔半导体激光器》一文中研究指出研制了1550nm波段的窄线宽、低噪声混合集成外腔半导体激光器,将保偏光纤布拉格光栅(FBG)作为反馈元件与半导体增益芯片进行耦合,并利用FBG斜边处的大群时延特性将半导体激光器的线宽压窄。所得到的蝶形封装激光器原型器件实现了稳定的单纵模、单偏振激光的保偏输出,在1kHz处积分线宽为15.9kHz的输出功率≥30mW,洛伦兹线宽为4.85kHz,本征线宽为4.06kHz,相对强度噪声≤-155dB·Hz~(-1)@1 MHz,偏振消光比>25dB,无跳模电流调谐范围≥8 GHz,无跳模温度调谐范围≥14 GHz,6h功率稳定度为1.7%,频率漂移量<50 MHz。(本文来源于《中国激光》期刊2018年06期）
外腔式半导体激光器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
半导体激光器具备寿命长、电光转换效率高、功率体积比大、调制性能优异、可选波长宽、易于集成等诸多性能优势,随着功率、亮度、光束质量、频谱稳定性等性能的不断提升,半导体激光器已直接或间接应用在空间通信、激光加工、激光照明与显示、激光测量与监测、国防安全等领域,在全球范围内半导体激光器市场规模也在不断扩大。作为间接光源,半导体激光泵浦固体、光纤及碱金属等多种类型激光器,要求泵浦光谱与吸收光谱严格匹配,而半导体激光器存在光谱较宽、频谱稳定性较差的问题,导致泵浦效率较低。作为直接能量光源,半导体激光器单元器件功率较低,光束质量差等问题都亟待解决。另外,基于红、绿、蓝(RGB)叁基色半导体激光器的合成光源应用在激光显示及照明领域,具有显色性好、亮度高等优势,但由于处于起步阶段,存在激光功率低的问题,不能满足高功率、高亮度激光显示的使用要求。本论文基于半导体激光外腔反馈波长锁定及合束技术,研制出高功率、高光束质量的直接光源和适用于碱金属蒸汽激光器泵浦的高功率、窄线宽泵浦光源;基于RGB叁基色半导体激光器研制出高功率白激光显示光源。具体的研究内容和成果如下:(1)基于RGB叁基色半导体激光器件,通过空间合束、波长合束等,叁基色光耦合进单光纤,光纤输出合束光功率超过100W。根据色度学原理进行颜色功率配比,获得了功率达63W,色温为5710K的白光输出,比标准白光D_(65)的色温低12.2%。在此基础上,进行调温、调色实验,获得了功率达58.4W,色温为6480K的白光输出,比标准白光D_(65)的色温低3.08%。基于该光源,通过调整激光功率配比,可实现不同色温的合束激光输出。(2)针对Rb碱金属蒸汽激光器泵浦光需求,提出了快轴准直镜-光束变换器-慢轴准直镜-反射式体布拉格光栅(FAC+BTS+SAC+RVBG)的结构,通过压缩入射到RVBG的激光发散角,提高RVBG有效反馈率的方式,研制出780nm窄线宽半导体激光器,光谱宽度为0.064nm(FWHM),进一步精确温控RVBG,可将中心波长稳定在780.00nm,温漂系数为0.0012nm/℃,电流漂移系数为0.0013nm/A,连续功率达到47.2W。基于该结构,合束四个波长可控的激光线阵,输出功率达到173.8W,电光转换效率为46.6%。(3)基于单线阵800nm半导体激光器,实现了19个激光单元的光谱合束输出,合束后的光谱宽度为3.94nm,相邻峰之间的间隔约为0.22nm,输出功率为31W,电光转换效率达到51.5%。在此基础上,实现了四个800nm半导体激光线阵的光谱合束。(4)提出了一种双谐振腔共用单光栅实现多激光单元光谱合束的结构,基于透射式衍射光栅,搭建了外腔反馈光谱合束双谐振腔原理样机,并结合偏振合束,实现8个800nm半导体激光线阵的激光合束,连续输出功率超过200W,光束质量M~2为2.2×16.7,可以被耦合到50μm/0.22NA光纤中,其亮度高于商用的的光纤(100μm/0.22NA,800nm,100W)亮度数十倍。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
外腔式半导体激光器论文参考文献
[1].刘荣战,薄报学,么娜,徐雨萌,高欣.体布拉格光栅外腔红光半导体激光器实验研究[J].发光学报.2019
[2].田景玉.高功率半导体激光器外腔合束技术及白激光研究[D].中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所).2019
[3].曹宇轩.中红外锑化物半导体激光器外腔光谱合束研究[D].中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所).2019
[4].李文睿.应用于外腔可调谐半导体激光器的MEMS静电驱动设计与仿真[D].山东大学.2019
[5].杜悦宁,陈超,秦莉,张星,陈泳屹.硅光子芯片外腔窄线宽半导体激光器[J].中国光学.2019
[6].孙舒娟,谭昊,孟慧成,郭林辉,高松信.高亮度半导体激光器无输出耦合镜光栅外腔光谱合束[J].红外与激光工程.2019
[7].孙舒娟,谭昊,孟慧成,郭林辉,高松信.半导体激光器迭阵无输出耦合镜光栅外腔光谱合束[J].中国激光.2018
[8].孙舒娟.半导体激光器无输出耦合镜光栅外腔光谱合束技术研究[D].中国工程物理研究院.2018
[9].刘金玉,何军,王军民.852nm窄带滤光片外腔反馈半导体激光器的优化[J].量子光学学报.2018
[10].孙广伟,魏芳,张丽,陈迪俊,张茜.基于保偏光纤光栅的低噪声外腔半导体激光器[J].中国激光.2018