导读:本文包含了助溶剂法论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:溶剂,熔剂,生长,晶体,碳化硅,超导体,方解石。
助溶剂法论文文献综述
李华兵,叶万能,宿杰,卢朝靖[1]（2015）在《助溶剂法生长Bi_4Ti_3O_(12)单晶的形貌和缺陷研究》一文中研究指出采用助溶剂缓慢降温自发成核法生长钛酸铋Bi4Ti3O12(BIT)单晶,晶体呈淡黄色,尺寸达到40mm×20mm×0.4mm。BIT单晶(001)面生长速度最慢,其(001)面成为热力学上稳定存在的自然显露晶面。在光学显微镜下观察到BIT晶体中出现的两种缺陷:包裹体和枝晶,对其形成的机制进行分析并提出了减少和消除缺陷的相应措施。用光学显微镜对BIT单晶的90°电畴结构进行了较好的观察和分析。(本文来源于《青岛大学学报(自然科学版)》期刊2015年03期）
殷绍唐,王迪,万松明,傅佩珍,张国春[2]（2012）在《高温助溶剂法晶体生长边界层研究》一文中研究指出高温助熔剂晶体生长方法是晶体生长的重要方法之一。认识这类晶体生长的微观机理和助熔剂在生长过程中的微观作用机理是晶体生长机理研究的一项重要内容。我们采用高温激光显微Raman光谱技术对多个助熔剂法生长的晶体:如LBO,KGW的微观生长机制进行了原位观测研究。结果表明高温助熔剂法晶体生长时,和熔体生长一样,在晶体和高温溶液之间存在一个生长基元从高温溶液结构向晶体结构转化的过渡层,即晶体生长边界层。在生长边界层内生长基元逐渐形成了具有某些晶体单胞结构特征的生长基元,并最终形成晶体。研究还表明优良的助熔剂可以使高温溶液中生成较小的生长基元,降低了高温溶液的粘度,例如:在LBO晶体的MoO3助熔剂生长时,可使长链的B-O基团断裂变成较小的B-O基团,从而降低高温溶液的粘度,有利于生长基元的运动和迁移,有利于高质量的晶体生长。同样还发现生长边界层内晶体生长基元与高温溶液结构基元之间的相互转化与晶体的生长习性(例如:晶面显露)有着密切的联系。因此,高温助熔剂法晶体生长微观机理的研究是揭示助熔剂法晶体生长的规律以及助熔剂作用机理的重要途径,是晶体生长微观机理研究的重要组成部分。(本文来源于《第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-01晶体生长基础与数值模拟》期刊2012-10-21）
桑元华,王继扬,刘宏,叶宁[3]（2012）在《助溶剂法和水热法制备的KBBF晶体结构组成分析》一文中研究指出KBe2BO3F2(KBBF)晶体是目前唯一能够直接应用于深紫外激光的非线性光学晶体[1],但是由于其很强的层状生长习性,导致助溶剂法得到的KBBF晶体厚度不足,制约了其广泛的应用。随着水热法的引入,KBBF晶体厚度得到了显着的提高,但是其非线性光学效应却相对助溶剂法得到的晶体低很多[2]。本文对这两种方法得到的KBBF晶体进行了研究,以讨论结构与性能之间的关系。通过X射线单晶衍射发现水热法得到的KBBF中具有R-3c结构,与助溶剂法得到的KBBF中只有R32结构不同。利用中子单(本文来源于《中国晶体学会第五届全国会员代表大会暨学术大会（晶体生长分会场）论文摘要集》期刊2012-08-20）
金滕滕,胡关钦,陈昊鸿,杨昕昕,赵景泰[4]（2009）在《新型闪烁晶体硼酸镥的助溶剂法生长》一文中研究指出硼酸镥(LuBO3)由于具有高的真空紫外透过率和光学损伤阀等特点,近年来引起普遍的关注。它存在低温方解石相和高温球霰石相两种结构,球霰石结构的纯相没有发光现象。本实验使用固相合成法在不同温度下合成了LuBO3:Ce3+粉体,XRD结果表明分别为纯的方解石相和球霰石相。样品在紫外-可见光激发下出现很强的发射带,这主要是由掺杂离子Ce3+典型的5d→4f能级跃迁引起的。尝试用助溶剂方法生长LuBO3:Ce3+,但是挥发损耗现象严重,生长难度很大,需要进一步改善生长条件,调整组分以生长出透明的单晶。LuBO3具有很高的密度、发光波长与光电倍增管相匹配,不易潮解等特点,因此是一种具有潜在应用价值的闪烁材料。(本文来源于《第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集》期刊2009-11-06）
李建宏,李勇华,王鸿雁[5]（2009）在《助溶剂法大尺寸KTP晶体生长成功》一文中研究指出工艺成熟稳定,晶体光学均匀性好,成品率高,生长条件宽松等优点,决定了目前KTP晶体多采用助溶剂法生长。但是,由晶体的生长习性决定此法生长的KTP晶体a方向尺寸小,大尺寸器件的应用难以实现。(本文来源于《量子电子学报》期刊2009年05期）
张静雅,邬国英,林西平,周玲,王佳铭[6]（2008）在《助溶剂法管道反应连续制备生物柴油》一文中研究指出在菜籽油和甲醇以KOH为催化剂的酯交换反应中,加入助溶剂形成均相,在管道反应器内进行连续反应生成生物柴油。通过叁相图的绘制,选择了甲基叔丁基醚作为助溶剂并确定了其加入量;考察了醇油物质的量比、催化剂用量、反应温度和反应停留时间对反应的影响。通过正交实验方法得出最佳工艺条件为醇油物质的量比为27∶1,助溶剂和油的体积比为1.6∶1,催化剂用量0.5%,反应温度65℃,反应停留时间1 h,在此反应条件下粗菜籽油的转化率可达到98.4%。(本文来源于《江苏工业学院学报》期刊2008年02期）
翟蕊[7]（2007）在《助溶剂法不同形貌SiC晶体的生长》一文中研究指出SiC半导体材料是自第一代半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第叁代宽带隙半导体材料，具有优异的物理化学性能。SiC体单晶和一维纳米晶须在制备高温、高频、大功率的光电子器件方面具有较大的应用潜力。本文在前人SiC单晶和一维纳米晶须生长研究的基础上，开展金属硅化物熔体中，SiC体单晶和一维纳米晶须的生长及其机理的研究。FeSi熔体做助溶剂，石墨坩锅做碳源，开展液相法SiC单晶生长研究。研究表明FeSi熔体能溶解足够的C并有SiC单晶从熔体中析出。XRD分析表明反应产物基本上都是3C-SiC，并伴有少量的6H-SiC，一般认为这是晶体中存在的层错或寄生相等缺陷造成的。Raman分析确认熔体中所生长的SiC单晶为3C-SiC，并存在一定程度的层错等缺陷和较大的金属元素掺杂。SiC单晶的典型形貌表明熔体中SiC单晶的生长遵循二维形核-层生长机理。在助溶剂法SiC单晶生长中发现，在一定含量的氧气氛下倾向于纳米晶须的生长。基于这一事实，进行了以FeSi和NiSi为助溶剂SiC一维纳米材料生长的研究，得到大量高质量的SiC纳米晶须。分析表明，纳米晶须产物为3C-SiC，其晶格常数为4.364(?)，(111)面晶面间距为0.25nm，生长方向为[111]晶向。Raman分析表明，所得的3C-SiC纳米晶须结晶化程度良好，由于尺寸效应，纳米晶须的散射峰相对标准3C-SiC单晶向低波数偏移。对SiC纳米晶须的生长机理进行研究表明，SiC晶须的形成经历了两个阶段：晶核形成阶段和晶须长大阶段。各个温度下生长的SiC纳米晶须均植根于FeSi和NiSi助溶剂，且顶端有球形助溶剂液滴。这些事实暗示了晶须的生长机理是固-液-固(SLS)形核和气-液-固(VLS)生长的联合生长机理。在晶核形成阶段，石墨(S)中的C在助溶剂(L)中溶解，其中的Fe(Ni)增大了熔体中C的溶解度，熔体中Si和C以SLS模式形成SiC晶核(S)；在晶须生长过程中，气氛中微量的O_2与Si和C反应生成的CO和SiO(V)溶解在晶须顶端液滴(L)内，在金属Fe(Ni)的催化作用下，以气-液-固(VLS)模式沿[111]方向生长为SiC纳米晶须(S)。以NiSi熔体为助溶剂的反应温度较低的的试样，由于同石墨基板的浸润性比较差，被SiC晶须蓬松覆盖的NiSi熔体呈球状分布在石墨基板上。在降温过程中，反应气氛中未消耗的中间产物CO和SiO，反应生成SiO_2，并以无定形态包覆在先前生成的SiC晶须表面，生成SiO_2包覆的SiC晶须。另外，加热1600℃保温3h的NiSi助溶剂的石墨坩埚壁上生长有大量SiC晶须，XRD分析表明其晶型以3C-SiC为主，并含有少量6H-SiC变体。SiC晶须产率很高，但在晶须顶端没有发现作为催化剂熔球的球形颗粒。分析表明，坩埚壁上的SiC晶须是以VS机制生长沿[111]方向不断沉积生长的。(本文来源于《浙江大学》期刊2007-05-01）
徐家跃,范世(?),孙仁英[8]（2002）在《0.91Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-0.09PbTi0_3的析晶行为及助溶剂法生长》一文中研究指出研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只有适当比例的。PbO助溶剂比较适合于生长具有铁电性的钙钛矿相PZNT91/9单晶。助溶剂法生长的工艺参数为:溶质与PbO助溶剂的摩尔比为l:l,泡料温度1 150-1 200℃,泡料时间10 h,晶体生长时降温速度0.8-2℃/h,当温度降到900℃时停止生长,以50℃/h快速冷却至室温。所得晶体为琥珀色,最大尺寸达φ30 mm×15 mm,其压电系数和机电偶合系数分别为2000 pc/N和0.92。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2002年06期）
王晓洋,李卫,王胜军,袁欣,齐家宝[9]（2000）在《助溶剂法晶体生长过程中降温曲线设置的研究》一文中研究指出本文研究了助溶剂法晶体生长过程中降温曲线的设置原理。助溶剂法晶体生长过程中降温曲线的设置是十分重要而又是复杂的工作 ,就是对于溶解度和温度成线性关系的最简单的情形 ,降温曲线也不是简单的直线。我们按照晶体生长的固有特点 ,将助溶剂法晶体生长过程简化成一维、二维及叁维生长模型 ,分别进行了具体的演算。尤其是对于溶解度相对于温度的曲线为直线的情形 ,给出了精确的求解结果。我们首先作出一个假设来作为理论推导的基础 ,即单位时间吸附到晶体上的溶质正比于晶体的表面积S(t)。在此假设下 ,经过推导 ,我们得出结论 ,晶体发育完整后在各个方向上的生长速度是线性的 ,亦及dl/dt=常数 ,l(t)为垂直于晶体表面方向的线度。积分后得l=k1t+k0 ,k1和k0 为常数。假设溶解度为s,它是温度的函数 ,表示为s=f(T) ,我们所要求解的是温度和时间的函数关系。在时间允许的条件下 (实际的晶体生长过程也是满足这个条件的 ) ,溶解度变量的负数 -ds即可以认为是吸附到晶体上的溶质量 ,即我们有如下的方程 :dsdt=dsdTdTdt =f′(T) dTdt =cS(t) ,式中 c为常数 ,S(t)为晶体的表面积 ,对于不同的生长模型 ,有不同的表达形式。( 1 )一维生长模型 : 其特点是晶体只在 1个方向生长 ,实际上这种情况很少见 ,在此仅作?(本文来源于《人工晶体学报》期刊2000年S1期）
王弘,尚淑霞,王卓,赵焕遂,杨兆荷[10]（1990）在《助溶剂法生长Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x超导晶体》一文中研究指出用助溶剂法从非同成份配比的 Bi-Sr-Ca-Cu-O 体系中生长了 Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 高 T_c 超导晶体。晶体具有层状结构,易解理成片状。分离的晶体尺寸达7×4×3mm~3。用四引线法测量 R-T 曲线表明 T(?)=110K,T_(?)=90K。X 射线衍射分析表明晶体属正交晶系,晶胞参数为 a=5.39(?),b=5.37(?),c=31.01(?)。能谱分析表明晶体组份为 Bi∶Sr∶Ca∶Cu=3∶3∶1∶2∶2.5。差热分析测得晶体熔点为866℃。测验显示Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 晶体具有较钇系超导体更强的抗水解性。(本文来源于《无机材料学报》期刊1990年02期）
助溶剂法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
高温助熔剂晶体生长方法是晶体生长的重要方法之一。认识这类晶体生长的微观机理和助熔剂在生长过程中的微观作用机理是晶体生长机理研究的一项重要内容。我们采用高温激光显微Raman光谱技术对多个助熔剂法生长的晶体:如LBO,KGW的微观生长机制进行了原位观测研究。结果表明高温助熔剂法晶体生长时,和熔体生长一样,在晶体和高温溶液之间存在一个生长基元从高温溶液结构向晶体结构转化的过渡层,即晶体生长边界层。在生长边界层内生长基元逐渐形成了具有某些晶体单胞结构特征的生长基元,并最终形成晶体。研究还表明优良的助熔剂可以使高温溶液中生成较小的生长基元,降低了高温溶液的粘度,例如:在LBO晶体的MoO3助熔剂生长时,可使长链的B-O基团断裂变成较小的B-O基团,从而降低高温溶液的粘度,有利于生长基元的运动和迁移,有利于高质量的晶体生长。同样还发现生长边界层内晶体生长基元与高温溶液结构基元之间的相互转化与晶体的生长习性(例如:晶面显露)有着密切的联系。因此,高温助熔剂法晶体生长微观机理的研究是揭示助熔剂法晶体生长的规律以及助熔剂作用机理的重要途径,是晶体生长微观机理研究的重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
助溶剂法论文参考文献
[1].李华兵,叶万能,宿杰,卢朝靖.助溶剂法生长Bi_4Ti_3O_(12)单晶的形貌和缺陷研究[J].青岛大学学报(自然科学版).2015
[2].殷绍唐,王迪,万松明,傅佩珍,张国春.高温助溶剂法晶体生长边界层研究[C].第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-01晶体生长基础与数值模拟.2012
[3].桑元华,王继扬,刘宏,叶宁.助溶剂法和水热法制备的KBBF晶体结构组成分析[C].中国晶体学会第五届全国会员代表大会暨学术大会（晶体生长分会场）论文摘要集.2012
[4].金滕滕,胡关钦,陈昊鸿,杨昕昕,赵景泰.新型闪烁晶体硼酸镥的助溶剂法生长[C].第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2009
[5].李建宏,李勇华,王鸿雁.助溶剂法大尺寸KTP晶体生长成功[J].量子电子学报.2009
[6].张静雅,邬国英,林西平,周玲,王佳铭.助溶剂法管道反应连续制备生物柴油[J].江苏工业学院学报.2008
[7].翟蕊.助溶剂法不同形貌SiC晶体的生长[D].浙江大学.2007
[8].徐家跃,范世(?),孙仁英.0.91Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-0.09PbTi0_3的析晶行为及助溶剂法生长[J].硅酸盐学报.2002
[9].王晓洋,李卫,王胜军,袁欣,齐家宝.助溶剂法晶体生长过程中降温曲线设置的研究[J].人工晶体学报.2000
[10].王弘,尚淑霞,王卓,赵焕遂,杨兆荷.助溶剂法生长Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x超导晶体[J].无机材料学报.1990
论文知识图
