导读:本文包含了漏源电阻论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电阻,沟道,晶体管,氧化物,级数,广义,数值。
漏源电阻论文文献综述
孙乐尚[1]（2018）在《基于广义傅里叶级数的平面MOSFET漏/源电阻半解析模型》一文中研究指出随着微电子技术的快速发展,集成电路的集成度迅速提高,晶体管作为集成电路的基本单元,其结构尺寸也在不断缩小。MOSFET尺寸的缩小,可以减小器件体积,提高器件性能,降低系统功耗,提高系统的集成度,但同时也会改变器件的物理特性。当MOSFET尺寸缩小到纳米级时,其漏/源区电阻不能和沟道电阻一样符合等比例缩小理论,漏/源区电阻在总电阻中的占比逐渐增大,MOSFET电阻的计算也成为器件研究的热点之一。使用建模法研究MOSFET时,建立简明准确的计算模型,得到物理参数意义明确的解析表达式,对减小漏/源电阻,提高器件性能,优化制造工艺都有重要的作用。本文采用半解析法对浅结MOSFET漏/源区进行建模,深入研究影响器件漏/源区电势及电阻的因素。文章的内容由以下几部分组成:首先,对近些年国内外提出的MOSFET漏/源电阻研究方法,做了详细地分析和总结。并且通过分析具体的计算实例,阐明了这些方法的优点、适用范围和不足之处。其次,针对这些方法的不足,本文采用半解析法对浅结MOSFET漏/源区建模,使用积分方程和傅里叶级数相结合的方法,求解漏/源电阻。根据浅结MOSFET正常工作时的特性,将漏/源区分为感应沟道区和掺杂浓度不连续的扩展电阻区两个部分。其中感应沟道区电阻可作为集总电阻计算,而扩展区电阻则利用半解析法建模求解。根据矩形等效源理论对漏/源扩展区进行分区,建立各个区域的二维电势模型,列出边值问题及各区域间的衔接条件。利用分离变量法求解边值问题,得到各个区域的电势积分表达式,代入衔接条件后,得到一组含有未知函数的待定方程。根据广义傅里叶级数展开法将未知函数展开后,即可得到含有未知系数的方程组。使用MATLAB建立矩阵方程求出未知系数,将求得的未知系数代入方程组中,得到扩展区电势的解析表达式,进而求出MOSFET漏/源扩展区的电阻。最后,验证浅结MOSFET二维漏/源电阻模型。首先在扩展电阻区掺杂浓度相同的情况下,通过对比模型与PDEToolbox作出的电势分布曲线图,证明了该模型的理论和计算过程的正确性。然后改变MOSFET物理参数,得到不同参数下的电阻,通过模型的计算结果和ATLAS仿真结果的对比,证明该模型的准确性。此外本文还深入研究了 MOSFET各个物理参数对漏/源电阻变化趋势的影响。本文在计算MOSFET漏/源电阻时,用广义傅里叶级数将方程展开,从而消去了指数项,使方程中的无穷级数可以运算到任意项,大幅度提高了计算结果的精度。与其他建模计算法相比,该模型最大的优点是可用于求解非同质、结构复杂的漏/源区电阻值。(本文来源于《安徽大学》期刊2018-03-01）
柯导明,杨建国,常红,杨菲,胡鹏飞[2]（2017）在《MOSFET漏/源电阻的半经验模型》一文中研究指出本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有3个待定参数的超深亚微米MOSFET的漏/源电阻模型,而这3个参数可以用多元线性回归方法得到.论文用数值模拟数据,拟合了衬底掺杂是1×10~(15)~1×10~(16)cm~(-3)、沟道长度是45～2000 nm的平面n MOSFET和n LDD-MOSFET的漏/源电阻模型的待定参数,得到了它们的半经验公式,最大误差仅有9.5%.漏/源电阻模型和它的半经验公式计算结果表明,漏/源电阻仅与漏/源pn结结深、电阻率和沟道到漏/源电极长度有关,沟道长度、迭栅长度和电极长度对它的影响可以忽略.由于这个半经验表达式形式简单、精度高、物理概念清晰、易于提取参数,所以它既可以用于MOSFET的特性分析又可以用于电路模拟器.(本文来源于《中国科学:信息科学》期刊2017年12期）
吴晓鹏,张娜[3]（2008）在《沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R_(ds(on))》一文中研究指出近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds(on)方面的技术发展,下篇着重于降低优值FOM方面的技术发展。(本文来源于《中国集成电路》期刊2008年05期）
吴晓鹏,张娜,亢宝位[4]（2004）在《沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R_(DS(on))》一文中研究指出近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)方面的技术发展;下篇重点阐述了降低优值FoM方面的技术发展。(本文来源于《电力电子》期刊2004年04期）
李学勇[5]（2000）在《VMOSFET漏—源导通电阻的检测》一文中研究指出VMOSFET,全称为垂直导电型金属氧化物半导体场效应管,是一种广泛应用于开关电源、马达控制、开关型变换器和削波器等电路中的电子元件,它具有功耗小、温度稳定性高、输入阻抗大等许多优点。VMOSFET元件的主要技术参数有漏—源导通电阻(又称通态电阻)R_(DS(ON))、漏—源击穿电压U_((BR)DSS)、漏极直流电流I_D等。本文介绍一种业余条件下漏—源导通电阻的检测方法,当在削波器中使用VMOSFET元件时,该参数对于电路设计具有重要的意义。 本方法需要元件少,操作方便,结论可靠。具体检测电路如附图所示。图中元件选择如下:R_1、R_2为10W/18Ω的(本文来源于《电气时代》期刊2000年11期）
孙兴初[6]（1990）在《MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度的萃取方法》一文中研究指出提出一个精确萃取MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度等参数的方法.这些参数的确定对于器件特性的模拟、分析以及对于生产工艺的监控具有实际意义.该方法采用一组特定的测试器件并使用计算机程序辅助来进行参数的萃取.使用萃取到的参数计算器件的漏电流特性并将其与实测数据进行比较,结果表明两者相符很好.(本文来源于《应用科学学报》期刊1990年03期）
漏源电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有3个待定参数的超深亚微米MOSFET的漏/源电阻模型,而这3个参数可以用多元线性回归方法得到.论文用数值模拟数据,拟合了衬底掺杂是1×10~(15)~1×10~(16)cm~(-3)、沟道长度是45～2000 nm的平面n MOSFET和n LDD-MOSFET的漏/源电阻模型的待定参数,得到了它们的半经验公式,最大误差仅有9.5%.漏/源电阻模型和它的半经验公式计算结果表明,漏/源电阻仅与漏/源pn结结深、电阻率和沟道到漏/源电极长度有关,沟道长度、迭栅长度和电极长度对它的影响可以忽略.由于这个半经验表达式形式简单、精度高、物理概念清晰、易于提取参数,所以它既可以用于MOSFET的特性分析又可以用于电路模拟器.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
漏源电阻论文参考文献
[1].孙乐尚.基于广义傅里叶级数的平面MOSFET漏/源电阻半解析模型[D].安徽大学.2018
[2].柯导明,杨建国,常红,杨菲,胡鹏飞.MOSFET漏/源电阻的半经验模型[J].中国科学:信息科学.2017
[3].吴晓鹏,张娜.沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R_(ds(on))[J].中国集成电路.2008
[4].吴晓鹏,张娜,亢宝位.沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R_(DS(on))[J].电力电子.2004
[5].李学勇.VMOSFET漏—源导通电阻的检测[J].电气时代.2000
[6].孙兴初.MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度的萃取方法[J].应用科学学报.1990
论文知识图
