导读:本文包含了同质缓冲层论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:ITO,同质缓冲层,电阻率,透过率
同质缓冲层论文文献综述
宋淑梅,宋玉厚,杨田林,贾绍辉,辛艳青[1]（2013）在《同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响》一文中研究指出采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜。利用X射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分光光度计等测试了薄膜的特性。结果表明:与单层ITO薄膜相比,具有厚度16nm ITO同质缓冲层的ITO薄膜的电阻率下降了30%,薄膜的电阻率达到2.65×10-4Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为91.5%。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2013年12期）
赵强[2]（2013）在《退火条件及同质缓冲层对生长ZnO薄膜特性的研究》一文中研究指出氧化锌(ZnO)是一种II-VI族直接宽带隙新型半导体，室温禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。在大气条件下，ZnO具有六方纤锌矿结构。ZnO无毒，原料廉价易得，且具有优异的光学、电学等特性，在发光二极管、太阳能电池、光探测器、电致荧光器件、透明导电薄膜、表面声波器等诸多领域有着广泛的应用。磁控溅射在沉积半导体薄膜方面具有大面积均匀沉积的优点。通常，沉积制备的薄膜需要通过热处理来提高其稳定性并可能减少衬底的一些不良影响。在提高晶体质量与研究材料结构缺陷方面，退火处理是一种广泛使用的方法。这是因为在退火过程中,会减少薄膜的本征缺陷，有利于提高其稳定性和提高薄膜的结晶质量，这对半导体器件性能、光发射器件产生重大的影响。除此之外，由于衬底和薄膜之间巨大的晶格失配和热膨胀系数，直接在基片上生长ZnO会导致出现无定型多晶薄膜，所以在基片和薄膜之间引入缓冲层是一种不错的方式。本论文采用磁控溅射方法制备了ZnO薄膜，并研究了退火条件和同质缓冲层对ZnO薄膜结构及光学特性的影响，从而为ZnO薄膜的应用提供一些实验数据和理论基础。主要研究结果如下：1.在处理过(300℃真空退火)的同质缓冲层上制备了不同退火温度下的ZnO薄膜。研究了退火温度对同质缓冲层上ZnO薄膜的微观结构和发光特性。结果表明：在6min缓冲层上制备的ZnO薄膜有较好的结晶质量，并且在适当的退火温度下薄膜的结晶质量进一步提高。薄膜在可见光范围内的平均透过率均超过90%，光学带隙值随退火温度的增加由3.221eV减小为3.184eV。在光致发光谱(PL)中观测到了五个主要的发光峰位，分别是紫外光(384nm)、紫光(420nm)、蓝光(455nm和473nm)和绿光(530nm)。并对发光机制进行了详细的讨论，认为紫外光是自由激子的复合形成的，紫光与晶界缺陷的辐射跃迁有关，蓝光与氧空位和间隙锌缺陷有关，绿光发射主要是电子从氧空位深施主能级向锌空位浅受主能级上的辐射跃迁。退火温度从400℃增加到600℃时，455nm处的蓝光峰蓝移至447nm处，发光强度随退火温度增加而增加。继续升高退火温度至700℃，530nm处的绿光峰强度降低，认为和锌空位的减少有关。2.在Si基底上制备了有无ZnO缓冲层的Al掺杂ZnO(AZO)薄膜，其中ZnO缓冲层进行了退火处理。研究了引入缓冲层与否对AZO薄膜的微观结构和光学性能的影响。结果表明引入ZnO缓冲层后薄膜c-轴择优取向加强，晶粒尺寸变大，残余应力减小，薄膜质量变好，薄膜缺陷减少。薄膜在紫外区有较强的光吸收，在可见光区的平均透过率都超过90%。对PL谱的分析可知，发光谱由极强的UV发光组成。增加ZnO缓冲层后AZO薄膜UV发光峰变窄，这是由于AZO薄膜其晶界界面缺陷减少，使得结晶质量变好，从而导致UV发光得到改善。3.在有缓冲层的衬底上制备了不同退火气氛和温度下Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)等表征技术，研究了ZnO薄膜的微观结构和发光特性。结果表明：在缓冲层上制备的AZO薄膜有较好的(002)择优取向，其结晶质量在退火过程中变好。基于光致发光谱(PL)，氧气中退火的AZO薄膜的紫外(UV)发光峰要强于真空中退火的薄膜，并且UV与可见光发射的比率强烈地依赖于退火条件。通过对发光机制的分析，认为可见光发射带与退火过程中氧浓度相关的缺陷有关。并对蓝/绿发光与薄膜中氧浓度的关系进行了讨论。(本文来源于《西北师范大学》期刊2013-05-01）
马书懿,赵强,靳钰珉,马李刚,张小雷[3]（2012）在《退火温度对同质缓冲层ZnO薄膜微观结构和光学特性的影响》一文中研究指出采用射频磁控溅射法在300℃真空退火处理过的同质缓冲层上制备了不同退火温度下的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)等表征技术,研究了ZnO薄膜的微观结构和发光特性.结果表明:在6min缓冲层上制备的ZnO薄膜有较好的结晶质量,并且在适当的退火温度下薄膜的结晶质量进一步提高.薄膜在可见光范围内的平均透过率均超过90%,光学带隙值随退火温度的增加由3.221eV减小为3.184eV.在光致发光谱(PL)中观测到了5个主要的发光峰位,分别是紫外光(384nm)、紫光(420nm)、蓝光(455nm和473nm)和绿光(530nm).对发光机制进行详细讨论认为,紫外光是自由激子复合形成的,紫光与晶界缺陷的辐射跃迁有关,蓝光与氧空位和间隙锌缺陷有关,绿光发射主要是电子从氧空位深施主能级向锌空位浅受主能级上的辐射跃迁.退火温度从400℃增加到600℃时,455nm处的蓝光峰蓝移至447nm处,发光强度随退火温度增加而增加.继续升高退火温度至700℃,530nm处的绿光峰强度降低,认为和锌空位的减少有关.(本文来源于《西北师范大学学报(自然科学版)》期刊2012年04期）
徐锋,蒋大勇,曹雪,孙云刚,陈蒙[4]（2012）在《同质缓冲层温度对ZnO薄膜质量的影响》一文中研究指出ZnO是一种宽禁带半导体,由于其优良的物理和化学性能得到越来越多的青睐,并成为了光电器件的首选材料。本文采用射频磁控溅射技术在石英衬底上溅射ZnO同质缓冲层,之后再生长ZnO薄膜。缓冲层温度分别为373、473、573和673 K,生长温度为773 K。X射线衍射结果表明ZnO薄膜为六方结构,并且是(002)择优取向。综合吸收光谱和和光致发光谱,缓冲层温度为673 K时制备的薄膜的结晶质量最好。(本文来源于《长春理工大学学报(自然科学版)》期刊2012年01期）
杨斌,王连杰,张平,宋淑梅,杨田林[5]（2010）在《同质缓冲层厚度对掺铝氧化锌薄膜性能的影响》一文中研究指出室温下,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备具有同质缓冲层的ZnO∶Al(AZO)薄膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针探测仪等对薄膜的结构和光电性能进行了研究。结果表明:当薄膜总厚度为400 nm时,制备具有66 nm同质缓冲层的AZO薄膜的方块电阻为26Ω.□–1,与单层AZO(400 nm)薄膜的方块电阻(63Ω.□–1)相比,下降了59%,其在可见光范围内的平均透过率为91%。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2010年01期）
贾仁需,张义门,张玉明,王悦湖,栾苏珍[6]（2009）在《Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层》一文中研究指出利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)对在4H-SiC单晶衬底上采用CVD同质外延的4H-SiC单晶薄膜的特性进行研究,发现外延层有很好的晶格结构和完整性。由于Al原位掺杂引起的晶格失配和衬底和外延的晶向偏离,在样品的衬底和外延的界面出现了约1μm的缓冲层,使得XRD摇摆曲线距主峰左侧约41arcs出现了强衍射峰。缓冲层中存在大量的堆垛缺陷和位错,引入缺陷能级,使室温PL测试为"绿带"发光。通过PL全片扫描发现缓冲层在整个样品中普遍存在且分布均匀。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2009年02期）
李敏睿,杜丕一,袁东升,王问斯[7]（2008）在《磁控溅射法制备具有同质缓冲层的PST薄膜》一文中研究指出采用射频磁控溅射法制备了以低功率溅射得到的PbxSr1-xTiO3(PST)薄膜为缓冲层(同质缓冲层)的PST双层薄膜。通过X-射线衍射、扫描电镜、阻抗分析仪和铁电分析仪对薄膜相结构、表面形貌、介电损耗和铁电性能进行了测试分析。结果表明,以低功率溅射得到的PST薄膜作为同质缓冲层的双层薄膜可减少薄膜的缺陷,从而有效降低介电损耗。(本文来源于《压电与声光》期刊2008年03期）
梁俊华,郭冰,刘旭[8]（2007）在《利用同质缓冲层溅射生长c轴择优取向氮化铝薄膜》一文中研究指出采用射频反应磁控溅射技术,利用低温低功率下生长的氮化铝(AlN)作为缓冲层,在铟锡复合氧化物(ITO)玻璃衬底上制备出具有良好c轴择优取向的多晶AlN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)研究了缓冲层对薄膜结晶特性和表面形貌的影响.结果表明,该缓冲层在提高AlN薄膜结晶质量的同时,薄膜的表面粗糙度由19.1 nm减小到2.5 nm,使薄膜表面更为平滑、致密.剖面扫描电子显微镜(SEM)照片显示AlN晶粒呈高度一致的柱状生长体制.通过分析样品的透射光谱,计算得到AlN薄膜的折射率和消光系数分别为2.018 7和0.007 7.(本文来源于《浙江大学学报(工学版)》期刊2007年09期）
王鹏,赵青南,周祥,赵修建[9]（2007）在《同质缓冲层厚度对磁控溅射法制备玻璃基AZO薄膜的结构与光电性能影响》一文中研究指出室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率。并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化。结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2007年S3期）
朱慧群,丁瑞钦,蔡继业,胡怡[10]（2006）在《同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响》一文中研究指出利用射频磁控溅射技术,在单晶硅衬底上生长出高质量(0002)晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究,发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓冲层,可有效降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。在衬底温度200℃、沉积时间5min的ZnO缓冲层上,以450℃衬底温度溅射ZnO薄膜主层,得到的ZnO样品的晶体结构、表面形貌和光学性质均有较明显的改善。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2006年07期）
同质缓冲层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氧化锌(ZnO)是一种II-VI族直接宽带隙新型半导体，室温禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。在大气条件下，ZnO具有六方纤锌矿结构。ZnO无毒，原料廉价易得，且具有优异的光学、电学等特性，在发光二极管、太阳能电池、光探测器、电致荧光器件、透明导电薄膜、表面声波器等诸多领域有着广泛的应用。磁控溅射在沉积半导体薄膜方面具有大面积均匀沉积的优点。通常，沉积制备的薄膜需要通过热处理来提高其稳定性并可能减少衬底的一些不良影响。在提高晶体质量与研究材料结构缺陷方面，退火处理是一种广泛使用的方法。这是因为在退火过程中,会减少薄膜的本征缺陷，有利于提高其稳定性和提高薄膜的结晶质量，这对半导体器件性能、光发射器件产生重大的影响。除此之外，由于衬底和薄膜之间巨大的晶格失配和热膨胀系数，直接在基片上生长ZnO会导致出现无定型多晶薄膜，所以在基片和薄膜之间引入缓冲层是一种不错的方式。本论文采用磁控溅射方法制备了ZnO薄膜，并研究了退火条件和同质缓冲层对ZnO薄膜结构及光学特性的影响，从而为ZnO薄膜的应用提供一些实验数据和理论基础。主要研究结果如下：1.在处理过(300℃真空退火)的同质缓冲层上制备了不同退火温度下的ZnO薄膜。研究了退火温度对同质缓冲层上ZnO薄膜的微观结构和发光特性。结果表明：在6min缓冲层上制备的ZnO薄膜有较好的结晶质量，并且在适当的退火温度下薄膜的结晶质量进一步提高。薄膜在可见光范围内的平均透过率均超过90%，光学带隙值随退火温度的增加由3.221eV减小为3.184eV。在光致发光谱(PL)中观测到了五个主要的发光峰位，分别是紫外光(384nm)、紫光(420nm)、蓝光(455nm和473nm)和绿光(530nm)。并对发光机制进行了详细的讨论，认为紫外光是自由激子的复合形成的，紫光与晶界缺陷的辐射跃迁有关，蓝光与氧空位和间隙锌缺陷有关，绿光发射主要是电子从氧空位深施主能级向锌空位浅受主能级上的辐射跃迁。退火温度从400℃增加到600℃时，455nm处的蓝光峰蓝移至447nm处，发光强度随退火温度增加而增加。继续升高退火温度至700℃，530nm处的绿光峰强度降低，认为和锌空位的减少有关。2.在Si基底上制备了有无ZnO缓冲层的Al掺杂ZnO(AZO)薄膜，其中ZnO缓冲层进行了退火处理。研究了引入缓冲层与否对AZO薄膜的微观结构和光学性能的影响。结果表明引入ZnO缓冲层后薄膜c-轴择优取向加强，晶粒尺寸变大，残余应力减小，薄膜质量变好，薄膜缺陷减少。薄膜在紫外区有较强的光吸收，在可见光区的平均透过率都超过90%。对PL谱的分析可知，发光谱由极强的UV发光组成。增加ZnO缓冲层后AZO薄膜UV发光峰变窄，这是由于AZO薄膜其晶界界面缺陷减少，使得结晶质量变好，从而导致UV发光得到改善。3.在有缓冲层的衬底上制备了不同退火气氛和温度下Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)等表征技术，研究了ZnO薄膜的微观结构和发光特性。结果表明：在缓冲层上制备的AZO薄膜有较好的(002)择优取向，其结晶质量在退火过程中变好。基于光致发光谱(PL)，氧气中退火的AZO薄膜的紫外(UV)发光峰要强于真空中退火的薄膜，并且UV与可见光发射的比率强烈地依赖于退火条件。通过对发光机制的分析，认为可见光发射带与退火过程中氧浓度相关的缺陷有关。并对蓝/绿发光与薄膜中氧浓度的关系进行了讨论。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
同质缓冲层论文参考文献
[1].宋淑梅,宋玉厚,杨田林,贾绍辉,辛艳青.同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响[J].人工晶体学报.2013
[2].赵强.退火条件及同质缓冲层对生长ZnO薄膜特性的研究[D].西北师范大学.2013
[3].马书懿,赵强,靳钰珉,马李刚,张小雷.退火温度对同质缓冲层ZnO薄膜微观结构和光学特性的影响[J].西北师范大学学报(自然科学版).2012
[4].徐锋,蒋大勇,曹雪,孙云刚,陈蒙.同质缓冲层温度对ZnO薄膜质量的影响[J].长春理工大学学报(自然科学版).2012
[5].杨斌,王连杰,张平,宋淑梅,杨田林.同质缓冲层厚度对掺铝氧化锌薄膜性能的影响[J].电子元件与材料.2010
[6].贾仁需,张义门,张玉明,王悦湖,栾苏珍.Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层[J].固体电子学研究与进展.2009
[7].李敏睿,杜丕一,袁东升,王问斯.磁控溅射法制备具有同质缓冲层的PST薄膜[J].压电与声光.2008
[8].梁俊华,郭冰,刘旭.利用同质缓冲层溅射生长c轴择优取向氮化铝薄膜[J].浙江大学学报(工学版).2007
[9].王鹏,赵青南,周祥,赵修建.同质缓冲层厚度对磁控溅射法制备玻璃基AZO薄膜的结构与光电性能影响[J].稀有金属材料与工程.2007
[10].朱慧群,丁瑞钦,蔡继业,胡怡.同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响[J].电子元件与材料.2006