导读:本文包含了铁电特性论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,铁电体,特性,溶胶,凝胶,结构,居里。
铁电特性论文文献综述
李延青,吴曼,杨静[1]（2019）在《锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响（英文）》一文中研究指出通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰掺杂的收缩可以归因为锰3d轨道降低了导带底的能级及掺杂后晶格的减小.掺杂锰离子的随机占位和非等价掺杂后氧空位浓度的增加则是导致局域带尾态拓宽的主要原因.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年05期）
王步冉,李珍,谭欣,翟亚红[2]（2019）在《SOI铁电负电容晶体管亚阈值特性研究》一文中研究指出随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体管基于铁电材料的负电容效应可有效地降低器件的亚阈值摆幅,从而降低器件的功耗。该文设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)结构的铁电负电容场效应晶体管,利用TCAD Sentaurus仿真工具对负电容晶体管进行仿真研究,得到了亚阈值摆幅为30.931 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构和参数。最后仿真研究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度对负电容场效应晶体管亚阈值特性的影响。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年05期）
郑隆立,齐世超,王春明,石磊[3]（2019）在《高居里温度铋层状结构钛钽酸铋(Bi_3TiTaO_9)的压电、介电和铁电特性》一文中研究指出随着现代信息技术的飞速发展,压电材料的应用范围进一步拓展,使用的温度环境越来越严苛,在一些极端环境下对压电材料的服役性能提出了新的挑战.因此研究具有高居里温度同时具有较强压电性能的压电材料,是迫切需要解决的问题.本文利用普通陶瓷工艺制备了高居里温度铋层状结构钛钽酸铋Bi_3TiTaO_9+x wt.%CeO_2(x=0—0.8,简写为BTT-10xCe)压电陶瓷,研究了钛钽酸铋陶瓷的压电、介电和铁电特性.压电特性研究表明,稀土Ce离子的引入可以提高BTT陶瓷的压电性能, BTT-6Ce (x=0.6)陶瓷具有最大的压电系数d33～16.2 pC/N,约为纯的BTT陶瓷压电系数(d33～4.2 pC/N)的4倍.介电特性研究显示, BTT和BTT-6Ce (x=0.6)陶瓷均具有高的居里温度, T_C分别为890℃和879℃,同时稀土Ce离子的引入降低了BTT陶瓷的高温介电损耗tand.铁电特性研究表明,稀土Ce离子的引入提高了BTT陶瓷的极化强度.在180℃温度下和110 kV/cm的电场驱动下, BTT和BTT-6Ce (x=0.6)陶瓷的矫顽场Ec分别为53.8 kV/cm和57.5 kV/cm,剩余极化强度Pr分别为3.4μC/cm~2和5.4μC/cm~2.退火实验显示:稀土Ce离子组分优化的BTT压电陶瓷经800℃的高温退火后,仍具有优异的压电性能温度稳定性.研究结果表明, BTT-6Ce (x=0.6)陶瓷兼具高的居里温度T_c约为879℃和强的压电性能d33约为16.2 pC/N、较好的压电性能温度稳定性,是一类压电性能优异的高温压电陶瓷.(本文来源于《物理学报》期刊2019年14期）
李立谦,王一豪,章天金,马志军[4]（2019）在《Pt/MgO/Pb_(0.2)Zr_(0.8)TiO_3/SrRuO_3复合铁电隧道结的阻变特性研究》一文中研究指出采用脉冲激光和磁控溅射技术制备Pt/MgO/Pb_(0. 2)Zr_(0. 8)Ti O_3(PZT)/SrRu O_3复合铁电隧道结.固定MgO/PZT复合层的厚度为10 nm,改变MgO与PZT的相对厚度,研究其隧道结的阻变特性.研究结果表明,随MgO厚度的增加,高低阻态比值呈现先增加后减小的趋势.这些结果可以用隧穿势垒的非对称性解释.(本文来源于《湖北大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
王健健,白华,许高博,李梅,毕津顺[5]（2019）在《Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2基铁电电容器的特性研究》一文中研究指出利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2)铁电薄膜。通过淀积TiN顶/底电极形成Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响。实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达31.7μC/cm~2,矫顽电压约为1.6 V,电学性能明显提高。在150℃高温下,Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2基铁电电容器的电学性能仍然良好,证明了退火工艺和机械夹持工艺对电学性能的优化作用。(本文来源于《微电子学》期刊2019年03期）
张启程[6]（2019）在《界面调控铁电薄膜电容器肖特基势垒及其瞬态电流特性研究》一文中研究指出人工智能、物联网、大数据以及5G通讯的高速发展,非易失性存储器的市场需求日益强烈;在体积日益小型化、应用环境日益多样化、能耗绿色环保的要求下,发展新一代非易失性存储器的需求变得越来越强烈。阻变式存储器作为下一代非易失性存储器的可能选择之一,是以铁电薄膜电容作为存储单元的器件。锆钛酸铅(PZT)铁电电容具有较大的剩余极化强度、极快的读写速度、成本价格低廉等优点。在本论文中,采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备厚度可达6μm、不同铁电薄膜生长诱导层、以及通过界面调控不同肖特基势垒接触的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3铁电薄膜。采用磁控溅射法以及化学溶液沉积法生长PZT薄膜的诱导层,其中,分别研究了厚度、退火时间、以及退火温度对镍酸镧薄膜晶向、表面纹理、以及方块电阻的影响。利用XRD观察诱导层诱导PZT薄膜晶向生长结构。从电滞回线以及电容电压曲线可知,剩余极化强度可达27μC/cm~2。利用SEM以及PFM在微米纳米区域观察,均可看到光滑平整致密的表面,没有裂纹。在SEM下可观察到LNO薄膜诱导生长的PZT薄膜具有更大的晶粒尺寸。PFM可观察到LNO上生长的薄膜具有更大的表面粗糙度,表明其结晶性能更好。PZT电容的瞬态电流机理、疲劳特性机理尚需进一步研究。电滞回线分析表明,其铁电性随厚度变化先增加后减小。不同结构的瞬态电流表现出典型的铁电峰结构,随着外加电场,其正向峰值电压逐渐减少,负向峰值电压逐渐增加。晶向以及不同的势垒接触对铁电薄膜的非翻转电流没有影响,对翻转电流影响极大。势垒接触界面调控电容的电流特性。而PFM研究表明,镍酸镧薄膜上生长的PZT薄膜压电响应更大。(本文来源于《中北大学》期刊2019-05-30）
张奇伟,孙海勤,郝喜红[7]（2019）在《稀土掺杂钙钛矿铁电材料的荧光翻转特性》一文中研究指出光致变色材料在一定强度和波长的光辐照时,引起光吸收峰值(即颜色)的相应改变,形成两种不同的稳定状态。无机光致变色材料具有热稳定性高、变色持续时间长、抗疲劳和抗氧化性强、受环境影响小等优点,已成为众多光致变色体系中的重点研究对象[1,2]。压电、铁电材料作为典型的具有钙钛矿结构的多场耦合材料(机电、磁电、电光等)尽管已经广泛应用于各种智能结构及传感器和驱动器等器件中,然而,元器件微小型化的发展趋势使得集两种或两种以上功能特性于一身的多功能材料研究与日剧增[3]。基于钙钛矿基无铅压电材料优越的铁电压电性能,我们系统探究了该材料体系的光致变色特性及其相应机理。采用传统的高温固相烧结法制备稀土改性的KNN基陶瓷材料,在可见光或者太阳光(λ=407 nm)的辐照下,材料的颜色由白色变色浅灰色[4,5]。在光辐照和热激励交替作用下,可以实现颜色之间的可逆变化,其显色的程度取决于辐照光的波长和强度。深入探究光致变色与光致发光之间的耦合关系,为构筑具有新型多功能钙钛矿基光电材料在光信息存储领域中的应用提供新的依据和途径。(本文来源于《第九届国际稀土开发与应用研讨会暨2019中国稀土学会学术年会摘要集》期刊2019-05-15）
李敏,时鑫娜,张泽霖,吉彦达,樊济宇[8]（2019）在《柔性Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜的高温铁电特性》一文中研究指出随着柔性电子产品的迅速发展,具有优异铁电和压电性的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3 (PZT)薄膜在柔性的非易失性存储器、传感器和制动器等器件中有广泛的应用前景.同时,由于外部环境越来越复杂,具有高温稳定特性的材料和器件受到越来越多的关注.本文在耐高温的二维层状氟晶云母衬底上,用脉冲激光沉积技术制备出外延的PZT薄膜,并通过机械剥离的方法,得到柔性的外延PZT薄膜.研究了Pt/PZT/SRO异质结的铁电和压电性及其高温特性,发现样品表现出优越的铁电性,剩余极化强度(P_r)高达65μC/cm~2,在弯曲104次后其铁电性基本保持不变,且样品在275℃高温时仍然保持良好的铁电性.本文为柔性PZT薄膜在航空航天器件中的应用提供了实验基础.(本文来源于《物理学报》期刊2019年08期）
郇正利,闫锋,王文林,陆宏婷,王春明[9]（2019）在《复合离子(NaCe)取代SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的介电、铁电、压电特性研究》一文中研究指出利用普通陶瓷工艺制备了A位复合离子(NaCe)取代的Sr_(1-)_x(NaCe)_x_(/2)Bi_4Ti_4O_(15)(x=0.00～0.20)压电陶瓷,研究了(NaCe)对SrBi_4Ti_4O_(15)(SBT)陶瓷的介电、铁电和压电特性的影响。研究表明,复合离子(NaCe)的取代降低了SBT陶瓷的介电损耗tanδ,降低了SBT陶瓷的矫顽电场E_c,提高了SBT陶瓷的压电系数d_(33)。纯的SBT压电陶瓷的矫顽场E_c=94 kV/cm,复合离子(NaCe)取代的SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷的矫顽场E_c=70 kV/cm。随着复合离子(NaCe)含量的增加,SBT的压电性能先增加,然后减小。在x=0.10组分处,SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷具有最大的压电系数d_(33)=28 pC/N,约为纯的SBT陶瓷压电系数(d_(33)约15 pC/N)的两倍,其居里温度T_C为510℃。复合离子(NaCe)取代SBT陶瓷压电性能的提高归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的矫顽电场,使得SBT压电陶瓷更容易极化,从而发挥其潜在的压电性能。同时,压电性能的提高还归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的介电损耗和漏电流。材料的退火实验表明:复合离子(NaCe)取代的SrBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷在400℃以下具有较好的压电性能温度稳定性。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年03期）
李祯,杨得草,李尔波,岳建设[10]（2019）在《光化学溶胶-凝胶制备PLZT铁电薄膜及其光电特性》一文中研究指出为了降低PLZT铁电薄膜的结晶温度,使用溶胶-凝胶法配合紫外光辐照的光化学工艺,在单晶硅基板上低温制备了PLZT铁电薄膜。经过紫外辐照过的凝胶膜可以在400℃促使PLZT获得良好的铁电性能,剩余极化强度为12. 3μC/cm~2。紫外辐照过的薄膜可以在低温下有效地分解金属醇盐,形成活性金属氧化物,保证材料低温结晶。辐照过程中产生的臭氧可以带走薄膜中的残炭,使得薄膜具有良好的铁电性能。低温制备的PLZT铁电薄膜获得了稳定的光电流和较好的光电转化效率。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年02期）
铁电特性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体管基于铁电材料的负电容效应可有效地降低器件的亚阈值摆幅,从而降低器件的功耗。该文设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)结构的铁电负电容场效应晶体管,利用TCAD Sentaurus仿真工具对负电容晶体管进行仿真研究,得到了亚阈值摆幅为30.931 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构和参数。最后仿真研究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度对负电容场效应晶体管亚阈值特性的影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铁电特性论文参考文献
[1].李延青,吴曼,杨静.锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响（英文）[J].红外与毫米波学报.2019
[2].王步冉,李珍,谭欣,翟亚红.SOI铁电负电容晶体管亚阈值特性研究[J].压电与声光.2019
[3].郑隆立,齐世超,王春明,石磊.高居里温度铋层状结构钛钽酸铋(Bi_3TiTaO_9)的压电、介电和铁电特性[J].物理学报.2019
[4].李立谦,王一豪,章天金,马志军.Pt/MgO/Pb_(0.2)Zr_(0.8)TiO_3/SrRuO_3复合铁电隧道结的阻变特性研究[J].湖北大学学报(自然科学版).2019
[5].王健健,白华,许高博,李梅,毕津顺.Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2基铁电电容器的特性研究[J].微电子学.2019
[6].张启程.界面调控铁电薄膜电容器肖特基势垒及其瞬态电流特性研究[D].中北大学.2019
[7].张奇伟,孙海勤,郝喜红.稀土掺杂钙钛矿铁电材料的荧光翻转特性[C].第九届国际稀土开发与应用研讨会暨2019中国稀土学会学术年会摘要集.2019
[8].李敏,时鑫娜,张泽霖,吉彦达,樊济宇.柔性Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜的高温铁电特性[J].物理学报.2019
[9].郇正利,闫锋,王文林,陆宏婷,王春明.复合离子(NaCe)取代SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的介电、铁电、压电特性研究[J].电子元件与材料.2019
[10].李祯,杨得草,李尔波,岳建设.光化学溶胶-凝胶制备PLZT铁电薄膜及其光电特性[J].人工晶体学报.2019
论文知识图
