缓冲层论文_赵亮,刘平,焦大丁,王家杰,潘东玥

导读:本文包含了缓冲层论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:薄膜,凝胶,铅铁,微结构,盾构,性能,热传导。

缓冲层论文文献综述

赵亮,刘平,焦大丁,王家杰,潘东玥[1](2019)在《膨润土-砂混合物缓冲层径向热传导性》一文中研究指出膨润土-砂混合物作为高放废物处置库缓冲材料,在核废料衰变热影响作用下,其稳定性及物理力学性能产生显着变化,这对缓冲回填材料的包封阻隔作用及处置库的安全运行产生重要影响。采用自行设计的装置对按比例缩小后的不同干密度、含水率、掺砂率试样进行热传导模拟试验,并对试验过程进行热-力耦合数值模拟分析,得到了缓冲层温度、应力和应变的变化及分布情况。结果表明,增大试样干密度、含水率和掺砂率均可提高导热性,应力和应变也随之增大,且不同含水率试样产生的结果变化显着;缓冲层靠近热源的位置温度、应力和应变最大,且沿径向方向减小,初始时刻各值变化显着。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2019年32期)

谢丹丹,周静,吴智,沈杰[2](2019)在《铌镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅薄膜漏电流的抑制》一文中研究指出将铌镁酸钡(Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3,BMN)作为缓冲层,通过溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3,PZT)铁电薄膜。探究BMN缓冲层对PZT铁电薄膜介电、铁电性能影响。研究发现:BMN缓冲层不仅可以改善PZT薄膜晶化生长,同时阻碍了PZT与Pt的互扩散而降低了漏电流。由于对漏电流的抑制作用,适当厚度BMN缓冲层的引入可改善PZT的铁电性能,但随着缓冲层厚度的增加,由于其分压作用,复合膜铁电性减弱。当厚度为10 nm时,薄膜的综合性能最好:介电常数ε_r=1612.03,介电损耗tanδ=0.024,剩余极化值P_r=31.65μC/cm~2,矫顽场E_c=71.5 kV/cm,漏电流密度J=4.4×10~(-6) A/cm~2。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2019年11期)

曲晶晶,张林睿,宋雪梅,张永哲,严辉[3](2019)在《无镉缓冲层CIGS太阳电池仿真模拟与性能优化》一文中研究指出铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池是目前光伏行业中最有前景的薄膜太阳电池之一。铜铟硒化物(CuInSe2或CIS)是一种属于I-III-VI族的化合物,在太阳电池中常用作p型吸收层材料。CIGS太阳电池中通常使用CdS作为缓冲层,但CdS层的制备工艺阻碍电池的产业化及未来的进一步发展,同时Cd的毒性对电池的制备与回收亦都存在一定的影响。因此本文使用SCAPS软件对CIGS电池进行了仿真模拟,使用Zn S替换传统的CdS,并进一步对ZnS缓冲层CIGS太阳电池进行了优化,为电池结构的优化提供了理论依据。本文通过SCAPS软件,建立了一个典型的CIGS电池模型(Mo/CIGS/ZnS/i-ZnO/n+-ZnO)。之后在太阳光谱AM 1.5,P=1000 W/m2,温度T=300k的常规条件下,对电池的输出特性(Voc/Jsc/FF/Eff)进行了研究。首先对CIGS层的厚度进行了改变,结果表明,随着吸收层厚度增加,电池效率前期得到明显提升,当厚度超过2.0μm后,Eff提升趋势逐渐降低。这是因为吸收层厚度增加,更多光子在p区吸收层被吸收,从而增加了光生电子空穴对,提高了电池效率。对吸收层的缺陷态密度进行的模拟结果表明,CIGS层缺陷态密度越低,其Voc,Jsc越高,Eff越高,但FF呈下降趋势。其次针对ZnS层的厚度进行了模拟,其结果表明,随着缓冲层厚度增加,电池的Voc呈现上升趋势,其他参数都呈下降趋势。这是因为随着厚度增加,光子透过缓冲层到达吸收层的过程会被阻碍,同时串联电阻增加,使电池性能下降。最后针对ZnS层的缺陷态密度进行了计算,其结果表明随着ZnS层缺陷态密度的增加,电池的Voc和Jsc都逐渐上升,但FF与Eff逐渐下降,所以低缺陷态密度的Zn S层可使电池效率得到优化。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15)

王伟,欧阳本红,徐明忠,张静,严有祥[4](2019)在《电缆缓冲层烧蚀现象初步分析》一文中研究指出高压电力电缆的事故中发现大量电缆缓冲层烧蚀现象。从材料调研和试验数据着手,对缓冲层运行环境中过电压进行了分析,在此基础上建立缓冲层理论模型和等值电路,通过分压、产热过程计算,得到在绝热环境下缓冲层的温升值。通过电化学分析,进一步说明作用于缓冲层的电压极性对皱纹铝护套的危害性。另外,根据所得结果,也对其它材料的烧蚀现象给予了分析。依此提出,电缆生产和运检工作中需要注意的问题。(本文来源于《电线电缆》期刊2019年05期)

杨小明[5](2019)在《染料敏化太阳电池TiO_2缓冲层厚度对性能的影响》一文中研究指出影响染料敏化太阳电池性能因素较多。用水热法制备不同维数的TiO_2纳米棒阵列作太阳电池缓冲层,其光电转换效率低。为深入研究Ti02缓冲层厚度与染料敏化太阳电池性能之间关系,采用凝胶法处理实验原料制备缓冲层薄膜,将缓冲层薄膜和TiO_2纳晶胶体制备成染料敏化纳晶多空TiO_2电极,将TiO_2电极和镀铂电极组装成染料敏化太阳电池(DSSC)。利用仪器测试和表征缓冲层薄膜。数据表明:缓冲层薄膜结构和颗粒间连接性的修正对电子的传递有积极作用,DSSC无缓冲层时,染料敏化太阳电池短路电流、开路电压为10.06 m A/cm2和0.707 V;有缓冲层,测试数据随厚度呈一定规律性变化,且厚度为10μm时,电池转换效率最大,短路电流、开路电压为11.42 m A/cm2、0.724 V。(本文来源于《电源技术》期刊2019年09期)

林伟,巴振宁,刘冰松,王智恺[6](2019)在《EPS混凝土缓冲层对隧道抗爆性能有限元分析》一文中研究指出我国沿海的城市,尤其是天津、上海、广州等的轨道交通在市区多为穿行于软土地层中的地铁线路,而软土地层自身对于外部爆炸的抵抗能力又较弱,因而上研究软土地铁区间隧道的抗爆防护能力十分必要。EPS混凝土缓冲层作为提高隧道抗爆性能的方法,具有经济高效的特点。本文利用ANSYS/LS-DYNA有限元软件,模拟了可能发生的燃气管线爆炸所产生的冲击荷载对饱和软土中埋置盾构隧道的结构动力响应。通过对比有无EPS混凝土缓冲层下,隧道结构的振速响应结果;可以看到,有缓冲层的情况下,隧道结构的振动速度幅值被显着削弱,隧道抗爆性能得到显着增强。结论对于爆破与防护工程设计均具有很好的参考价值。(本文来源于《第十九届全国现代结构工程学术研讨会论文集》期刊2019-07-19)

邹延珂,周俊,倪径,郭韦,徐德超[7](2019)在《缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜静态磁性能的影响》一文中研究指出采用直流磁控溅射法沉积了Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜系列样品。通过振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等检测手段研究了Ta缓冲层厚度对Ni Fe/FeMn薄膜交换偏置场、矫顽力的影响。VSM测试结果表明,交换偏置场He随Ta缓冲层厚度增加而增大,矫顽力Hc随随Ta缓冲层厚度增加有减小的趋势。通过AFM检测了不同厚度Ta缓冲层上生长的Ni Fe层表面均方根粗糙度,发现其随Ta缓冲层厚度的增加而减小,表明NiFe/FeMn界面变得更加均匀,这导致了较大的He和较小的Hc。另外,通过XRD分析,发现随着Ta层厚度的增加Ta由非晶态转化为结晶状态并先后显示出Ta(300)、Ta(200)取向,表明随着Ta缓冲层厚度增加,其织构转变也可能会导致静态磁性的变化。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2019年04期)

陈周宇,杨志斌,刘文燕,杨琼,姜杰[8](2019)在《LaFeO_3缓冲层对BaTiO_3铁电薄膜电学性能的调控》一文中研究指出采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了BTO、LFO/BTO和LFO/BTO/LFO叁种结构的BTO铁电薄膜,旨在通过LFO缓冲层来调控BTO薄膜的电学性能.研究发现:LFO缓冲层的引入减小了BTO铁电薄膜的漏电流,提高了其电滞回线的矩形度,获得了更高的剩余极化、饱和极化和更低的矫顽电压.这种调控作用在LFO/BTO/LFO薄膜中的效果要比在LFO/BTO中更加明显.结果表明,通过合理地设计LFO缓冲层,可以有效地改善BTO铁电薄膜的宏观电学性能.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期)

朱孟花,唐江[9](2019)在《高效PbSe量子点太阳能电池采用低温溶液过程SnO_2为缓冲层》一文中研究指出硒化铅(PbSe)量子点具有禁带宽度可调,吸光系数大及多重激子效应等特性,被广泛应用到太阳能电池中。然而,硒化铅太阳能电池多采用高温过程制备氧化锌为电子传输层,其制备工艺复杂,电池稳定性差,限制了其在光伏领域的应用。低温制备的SnO_2具有较合适的带隙和更高的电子迁移率,可以增强PbSe向电子传输层的电荷转移,减少界面电荷积聚。因此,我们采用了低温溶液过程制备了氧化锡电子传输层。同时,为了解决硒化铅量子点在空气中的稳定性及提高电池效率等问题,我们通过使用碘化铅溶液与表面含镉的硒化铅量子点之间进行相交换,在硒化铅量子点表面形成更稳性的卤化物钝化层。这一方法有效的提高了硒化铅量子点在空气中的稳定性,同时增加了硒化铅量子点的荧光产率,组装结构为ITO/SnO_2/PbSe/PbS-EDT/Au的硒化铅量子点太阳能电池最高光电转化效率达9.59%。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25)

陈志文,袁宁一,丁建宁[10](2019)在《基于La掺杂SnO_2缓冲层的高效Sb_2Se_3薄膜电池的研究》一文中研究指出硒化锑(Sb_2Se_3)具有物相单一稳定,合适的禁带宽度,吸收系数高,组成元素地壳丰富度高等优点,是一种很有潜力的无机化合物薄膜太阳电池的光吸收层材料。目前CdS薄膜是Sb_2Se_3薄膜电池最常用的缓冲层材料,但是由于其有毒性所以我们选用无毒的,宽带隙并且传输电子能力强的SnO_2薄膜作为缓冲层。然而SnO_2/Sb_2Se_3薄膜太阳电池的效率受到SnO_2薄膜的结晶度和表面粗糙度的限制。因此我们采用低温溶液法将La掺杂到SnO_2的晶格当中,并且研究不同的La掺杂量对SnO_2薄膜的结晶性和表面粗糙度的影响。研究结果表明:随着掺杂量的增加,有利于改善SnO_2薄膜的结晶性和表面粗糙度,并在La浓度为0.001M时效果达到最佳,因此,基于FTO/La:SnO_2/Sb_2Se_3/Au结构的Sb_2Se_3薄膜电池的光电转换效率由2.47%提升至3.25%。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25)

缓冲层论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

将铌镁酸钡(Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3,BMN)作为缓冲层,通过溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3,PZT)铁电薄膜。探究BMN缓冲层对PZT铁电薄膜介电、铁电性能影响。研究发现:BMN缓冲层不仅可以改善PZT薄膜晶化生长,同时阻碍了PZT与Pt的互扩散而降低了漏电流。由于对漏电流的抑制作用,适当厚度BMN缓冲层的引入可改善PZT的铁电性能,但随着缓冲层厚度的增加,由于其分压作用,复合膜铁电性减弱。当厚度为10 nm时,薄膜的综合性能最好:介电常数ε_r=1612.03,介电损耗tanδ=0.024,剩余极化值P_r=31.65μC/cm~2,矫顽场E_c=71.5 kV/cm,漏电流密度J=4.4×10~(-6) A/cm~2。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

缓冲层论文参考文献

[1].赵亮,刘平,焦大丁,王家杰,潘东玥.膨润土-砂混合物缓冲层径向热传导性[J].科学技术与工程.2019

[2].谢丹丹,周静,吴智,沈杰.铌镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅薄膜漏电流的抑制[J].硅酸盐通报.2019

[3].曲晶晶,张林睿,宋雪梅,张永哲,严辉.无镉缓冲层CIGS太阳电池仿真模拟与性能优化[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019

[4].王伟,欧阳本红,徐明忠,张静,严有祥.电缆缓冲层烧蚀现象初步分析[J].电线电缆.2019

[5].杨小明.染料敏化太阳电池TiO_2缓冲层厚度对性能的影响[J].电源技术.2019

[6].林伟,巴振宁,刘冰松,王智恺.EPS混凝土缓冲层对隧道抗爆性能有限元分析[C].第十九届全国现代结构工程学术研讨会论文集.2019

[7].邹延珂,周俊,倪径,郭韦,徐德超.缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜静态磁性能的影响[J].磁性材料及器件.2019

[8].陈周宇,杨志斌,刘文燕,杨琼,姜杰.LaFeO_3缓冲层对BaTiO_3铁电薄膜电学性能的调控[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019

[9].朱孟花,唐江.高效PbSe量子点太阳能电池采用低温溶液过程SnO_2为缓冲层[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019

[10].陈志文,袁宁一,丁建宁.基于La掺杂SnO_2缓冲层的高效Sb_2Se_3薄膜电池的研究[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019

论文知识图

(a)纳米钉的透射(TEM)照片;(b)高分...西安电子科技大学微电子学院自主研制...反应进行10min后,CuZn41合金不同放...论文3号样品渐变组分SiGe/Si异质结的...不同厚度NiO的器件ITO/nc-TiO2/RR-P...样品的SEM图(a)LZO平坦...

标签:;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  

缓冲层论文_赵亮,刘平,焦大丁,王家杰,潘东玥
下载Doc文档

猜你喜欢