导读:本文包含了导电高分子薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:高分子,薄膜,酸根,吡咯,电化学,电极,纳米。
导电高分子薄膜论文文献综述
赵宗煌[1]（2011）在《导电高分子薄膜吸声材料的研究》一文中研究指出现有的吸声材料，包括高分子吸声材料，都存在吸声频带较窄，低频效果差、材料厚且重，大大的限制了它的应用范围。为改善高分子吸声材料的吸声性能，本文首先合成了聚苯胺、聚吡咯、八羧基酞菁铜叁种高电导率的高分子聚合物，然后用上述自制的导电聚合物与石墨、环氧树脂、聚酰胺树脂、N-甲基吡咯烷酮等混合，用球磨机制成浆液，涂覆在载体上，制成了吸声性能优异，尤其是低频吸声效果好，吸声频带宽，重量轻、厚度薄的薄膜材料。采用了测厚仪、数字万用电表、SE M和智能电声测试仪等手段，研究了导电聚合物与石墨的不同比例、材料的厚度、表面形貌和测试的空腔对材料的吸声性能的影响，得到如下结论：1．当n(APS) :n( An) :n(DBSA) =1. 6:1: 1，聚合反应时间为20h时，可得到电导率为0. 2 5 s/c m的聚苯胺；2．当n(APS) :n( PP y ): n(DBSA) =1: 1:2，聚合反应温度为0℃时，可得到电导率为0. 2 2 s/c m的聚吡咯；3．在反应物熔融均匀升到反应温度后再加入催化剂，得到的八羧基铜酞菁的导电率比无取代酞菁高6个数量级，达到10~(-3) s/ cm；4．当导电聚合物与石墨的重量比为2：4、材料的厚度为300μm左右、共混时球磨机的转速控制在252 r/ mi n、球磨时间为4 h，可制得最佳吸声效果材料。该材料厚度只有0. 1~0. 6 mm，每平方米重量只有200～500 g，在声波125Hz～4000H z频率范围内的平均吸声系数大于0.5，最大吸声系数达到0.95，解决了目前吸声材料低频吸声效果差的问题。(本文来源于《武汉工业学院》期刊2011-05-01）
黄春玉,卜凤泉,马任平,齐殿鹏,吕男[2]（2010）在《在导电高分子薄膜表面沉积密度可控的银纳米粒子》一文中研究指出由于导电高分子的导电性和化学性质可以在导体和半导体区间内快速调节[1],因此其复合材料受到了越来越多的关注[2].金属纳米粒子在光电子器件、检测及传感等诸多领域表现出独特的性能[3],在生物技术领域中的重要性尤为突出[4].因此,如果将导电高分子和金属纳米粒子结合在一起,将有利于拓展导电高分子的应用范围.本文研究了银纳米粒子在聚苯胺薄膜表面的沉积行为,分别用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2010年07期）
靳健[3]（2010）在《气/液界面制备自支持导电高分子薄膜》一文中研究指出导电高分子薄膜由于其优异的光电响应性成为有机光电器件的重要组成部分。随着有机光电器件的柔性化、超薄轻质的发展趋势,开发导电高分子薄膜特别是不依赖衬底(自支持)、纳米级厚度(本文来源于《中国化学会第27届学术年会第16分会场摘要集》期刊2010-06-20）
章从福[4]（2005）在《日本东北大学使用导电高分子薄膜开发出电化学晶体管》一文中研究指出由日本东北大学多元物质科学研究所教授宫下德治等人组成的研究小组, 利用Langmuir-Blodgett(LB)法研制出了数10 nm厚的导电高分子 (polythoiphene,聚噻吩)薄膜,使用它设计并试制了驱动原理采用电化学氧化还原反应的晶体管。试制出的晶体管在1.2 V电压下工作,导通截止比为2000。(本文来源于《半导体信息》期刊2005年05期）
王习术,左建平[5]（2005）在《导电高分子薄膜的微纳米结构形貌分形表征与工艺力学》一文中研究指出导电高分子薄膜随着制备技术的日趋成熟,导电高分子薄膜的强度、弹性模量等力学参数分别达到100MPa和3GPa,已基本具备实用价值,尤其是导电高分子纳米管阵薄膜在隐形及表面保护等方面具有很广泛的应用前景。本文通过对导电高分子纳米管阵薄膜生长机理的认识,基于分形理论提出了一种表征具有薄膜生长的表面微结构的分形维数的计算方法,建立了分形维数与导电高分子纳米管薄膜表面行形貌间的联系,从物理意义上赋予了分形维数的在导电高分子纳米管阵列薄膜的含义。该方法首先对导电高分子纳米管阵薄膜表面形貌SEM图像进行二值化处理,并编制相关计算(本文来源于《中国力学学会学术大会'2005论文摘要集（下）》期刊2005-08-01）
朱随群[6]（2003）在《导电高分子薄膜力学性能实验研究》一文中研究指出作为信息革命基础的高科技材料之一，导电高分子薄膜材料是近年来材料界研究的热点。不过，到目前为止，人们主要关心的是材料的物理和化学特性、制备方法、电化学反应控制、聚合链上多种相互作用的分子形成过程和分子聚合特性等，而对与实际应用密切相关的材料力学特性和疲劳损伤机理等力学问题的研究则相当匮乏。本文采用对面内位移敏感的电子散斑干涉技术和带有自制的灵敏力传感器的实验装置对不同厚度的聚噻吩薄膜试样进行了拉伸实验。此外，还利用岛津电子万能实验机对聚吡咯薄膜进行了拉伸实验。实验结果表明，聚噻吩和聚吡咯材料具有较好的力学性能。同时，这些导电高分子薄膜材料的力学性能受薄膜厚度的影响：在某一临界厚度内其力学性能非常优异，超过这一厚度力学性能有所下降。在电子扫描电镜下，通过对导电高分子薄膜拉断试样的端口SEM图和薄膜自由表面形貌SEM图的分析发现：导电高分子薄膜材料的微结构和它们的力学性能之间有非常密切的关系。薄膜自由表面结构越均匀越致密，薄膜的力学性能越好。河床状结构、帽状聚合体结构和叁维岛状结构的薄膜具有优异的力学性能（拉伸强度和韧性）。论文很重要的一个工作是研究导电高分子薄膜制备工艺参数对薄膜力学性能的影响。通过对聚吡咯导电高分子薄膜制备工艺涉及到的电解液浓度、生长位置、溶液温度等参数的调节，并对所得薄膜材料进行了物理和力学性能检测。结果发现，当添加剂PEG的浓度不变时，改变BFEE的浓度可以改变薄膜材料的性能，其中以30％的BFEE浓度为最佳；当固定电解液中BFEE浓度不变时，改变添加剂的浓度对制备的薄膜性能参数影响不明显，但以PEG100为临界；降低温度，可以使薄膜生长减缓，有利于得到性能更好的薄膜。论文的最后部分是薄膜和基底系统疲劳破坏模式实验研究。在高倍显微镜下进行观察得到薄膜在不锈钢基底上疲劳破坏形式主要表现为微裂纹的萌生和扩展、碎片和脱粘。薄膜的疲劳破坏受薄膜合成工艺的影响非常大。特别地，疲劳脱粘和碎片破裂可能主要是由电化学沉积机理和边缘效应引起的。(本文来源于《清华大学》期刊2003-06-01）
丁杰,董绍俊[7]（1996）在《导电高分子薄膜修饰电极的研究（Ⅱ）──杂聚阴离子掺杂聚吡咯膜的性质》一文中研究指出制备了钨钴酸根与钨铜酸根阴离子掺杂的聚吡咯膜电极，并对其电化学行为进行了初步研究。结果表明，在微酸性或近中性的溶液中，该电极有良好的电化学稳定性及循环伏安行为。聚吡咯膜对钨铜酸根阴离子的第２个氧化还原过程有明显的催化作用。电子自旋共振显示杂聚阴离子与聚吡咯分子链形成了某种复合物，此复合物对聚吡咯电结构的影响随阴离子的不同而异。(本文来源于《高等学校化学学报》期刊1996年08期）
顾庆超,徐海生,徐炜政,吴卫东,莫天麟[8]（1991）在《聚苯胺和高分子固态离子导体形成的双层导电高分子薄膜》一文中研究指出电子型导电高分子和高分子固态离子导体都是具有广阔应用领域和远大发展前景的新型材料,它们有时各有用途,有时则相辅相成。例如,用作全固态蓄电池的电解质的高分子固(本文来源于《自然杂志》期刊1991年04期）
董绍俊,丁杰[9]（1988）在《导电高分子薄膜修饰电极的研究 Ⅰ.聚吡咯薄膜电极的电化学合成及行为》一文中研究指出聚吡咯(PPy)是发展较早的一种杂环导电高分子,有关其制备、电化学形为和表征已有文献报道.PPy 不仅具有良好的导电性和较高的稳定性,而且易于制备.利用在电化学聚合过程中可能掺入目的功能团的特点,PPy 作为一种修饰电极对电催化和电分析方面的研究已引起了注意.目前,PPy 的制备主要集中于有机体系,而在水溶液中的研究还较少.本文用电(本文来源于《化学学报》期刊1988年08期）
导电高分子薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于导电高分子的导电性和化学性质可以在导体和半导体区间内快速调节[1],因此其复合材料受到了越来越多的关注[2].金属纳米粒子在光电子器件、检测及传感等诸多领域表现出独特的性能[3],在生物技术领域中的重要性尤为突出[4].因此,如果将导电高分子和金属纳米粒子结合在一起,将有利于拓展导电高分子的应用范围.本文研究了银纳米粒子在聚苯胺薄膜表面的沉积行为,分别用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
导电高分子薄膜论文参考文献
[1].赵宗煌.导电高分子薄膜吸声材料的研究[D].武汉工业学院.2011
[2].黄春玉,卜凤泉,马任平,齐殿鹏,吕男.在导电高分子薄膜表面沉积密度可控的银纳米粒子[J].高等学校化学学报.2010
[3].靳健.气/液界面制备自支持导电高分子薄膜[C].中国化学会第27届学术年会第16分会场摘要集.2010
[4].章从福.日本东北大学使用导电高分子薄膜开发出电化学晶体管[J].半导体信息.2005
[5].王习术,左建平.导电高分子薄膜的微纳米结构形貌分形表征与工艺力学[C].中国力学学会学术大会'2005论文摘要集（下）.2005
[6].朱随群.导电高分子薄膜力学性能实验研究[D].清华大学.2003
[7].丁杰,董绍俊.导电高分子薄膜修饰电极的研究（Ⅱ）──杂聚阴离子掺杂聚吡咯膜的性质[J].高等学校化学学报.1996
[8].顾庆超,徐海生,徐炜政,吴卫东,莫天麟.聚苯胺和高分子固态离子导体形成的双层导电高分子薄膜[J].自然杂志.1991
[9].董绍俊,丁杰.导电高分子薄膜修饰电极的研究Ⅰ.聚吡咯薄膜电极的电化学合成及行为[J].化学学报.1988
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