导读:本文包含了离子刻蚀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:离子束,离子,等离子体,亚铁,氧化钨,光刻,聚酰亚胺。
离子刻蚀论文文献综述写法
韩佳锡,蓝邦,周子昊,余林,孙明[1]（2019）在《亚铁离子刻蚀α-MnO_2纳米棒的制备及其氧还原性能的研究》一文中研究指出通过简单的液相氧化还原反应,使用亚铁离子对α-MnO_2一维纳米棒做表面刻蚀改性,获得了不同刻蚀程度的α-MnO_2纳米棒。电化学研究表明,20%刻蚀条件下获得的纳米棒相较原样的氧还原反应活性得到提高(半波电位0.79 V对0.75 V)且加速了氧还原反应的动力学过程。与之相反的是30%过度刻蚀的纳米棒的氧还原性能和导电性则大幅度下降。氧还原性能的提升归因于材料缺陷的产生,降低了Mn4+的含量,从而使Mn3+活性位点相对提高,加速了O_2吸附这一速控步骤,加快了氧还原反应的动力学过程。30%过度的刻蚀使得材料的导电性降低,导致了催化性能的下降。结果表明,适度的刻蚀能调和刻蚀作用在缺陷暴露和导电性的削弱方面的矛盾,从而获得高效的氧还原电催化剂。(本文来源于《无机盐工业》期刊2019年11期）
李国荣,赵馗,严利均,Hiroshi,Iizuka,刘身健[2]（2019）在《等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化》一文中研究指出由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。(本文来源于《北京大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
李国荣,张洁,赵馗,耿振华,曹思盛[3]（2019）在《FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化》一文中研究指出由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布的影响,在偏置射频频率为60 MHz的条件下得到较为收敛的离子能量分布。进一步分析了13和60 MHz偏置射频频率条件下FinFET器件制造中底部抗反射层工艺的刻蚀选择比、Ar等离子体对氧化硅晶圆的刻蚀速率及刻蚀后鳍(Fin)表面氮化钛的剩余厚度。结果显示,当偏置射频频率由13 MHz提高为60 MHz时,获得了对氧化硅材料121.9的刻蚀选择比,且对氮化钛薄膜的刻蚀离子损伤降低了58.6%。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年09期）
罗志永,廖楚剑,蔡传兵,刘志勇,李敏娟[4]（2019）在《氩离子刻蚀对TFA-MOD法YBa_2Cu_3O_(7–x)薄膜性能的影响研究》一文中研究指出TFA-MOD工艺制备的YBa_2Cu_3O_(7–x)(YBCO)薄膜有独特的生长机制,高温晶化后的YBCO薄膜表面存在一层由Ba-Cu-O异质相及a轴生长的YBCO晶粒组成的杂质层。为了满足零电阻超导焊接和超导带材钎焊搭接的研究需要,在不破坏超导特性和晶体结构的前提下,采用Ar离子对TFA-MOD工艺制备的YBCO薄膜进行刻蚀,对薄膜进行纳米级的减薄,实现对薄膜表面杂质的去除。利用拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线衍射等方法对不同刻蚀时间下的薄膜状态进行表征。结果表明,1.3μm厚的YBCO薄膜表面杂质层厚度约为220nm,并且在过度刻蚀的情况下, YBCO薄膜仍然是c轴取向,晶体结构没有被破坏。刻蚀后,薄膜内部氧空位缺陷的产生会造成超导转变及载流性能的降低,但通过吸氧处理后薄膜性能可恢复。(本文来源于《无机材料学报》期刊2019年12期）
刘向阳,徐国庆,贾嘉,孙艳,李向阳[5]（2019）在《基于水平集方法的离子束刻蚀碲镉汞的轮廓演变模拟》一文中研究指出用水平集方法建立了碲镉汞的离子束刻蚀轮廓的数值模型,模型的输入参数包括掩膜厚度、掩膜侧壁倾角、掩膜沟槽宽度、离子束散角、刻蚀速度等参数.对碲镉汞的刻蚀轮廓和刻蚀速度减缓现象进行了模拟和实验验证,结果表明,在沟槽宽度为4～10μm的范围内,计算得到的刻蚀深度和SEM测量结果相差6～20%.对掩膜的轮廓演变进行了模拟,给出了一个优化设计掩膜厚度来提高深宽比的实例.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年03期）
罗远东,朱学进,彭强祥,刘巧灵,廖佳佳[6]（2019）在《PZT铁电薄膜的离子束刻蚀表面形貌研究》一文中研究指出采用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基片上制备了约200 nm厚的PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜,然后用氩离子束对PZT薄膜进行刻蚀.研究了不同的离子束刻蚀工艺参数(如离子束入射角θ、屏级电压U_s和氩气流量F_(Ar))对PZT薄膜刻蚀速率及表面粗糙度的影响.采用原子力显微镜(AFM)对PZT薄膜的表面微观形貌和表面粗糙度值R_q(均方根值)和R_a(算术平均值)进行测试和分析,通过探针式表面轮廓分析仪测量刻蚀深度d并计算出刻蚀速率V_(etc).结果表明:刻蚀速率V_(etc)严重依赖于离子束入射角θ,在0～75°的θ范围内呈类抛物线关系;当θ为45°时,刻蚀速率达到最大值.随着F_(Ar)和U_s的增加,V_(etc)与两者分别呈成正相关关系,且越来越大.表面粗糙度值R_q和R_a随F_(Ar)和θ的改变而变化,在7 sccm、45°时会有最优值出现;而随屏级电压U_s的增加,在800 V处表面粗糙度值最低.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
赵纲[7]（2019）在《氩离子束刻蚀与氢离子掺杂调控六方晶相氧化钨纳米线的电输运性能》一文中研究指出忆阻器不仅具有低能耗、可擦写速度快、结构简单以及与CMOS工艺流程兼容等优点,而且能实现非易失性状态逻辑运算、类脑神经形态计算、高密度信息储存等功能。然而,由于电子-离子耦合输运的微观机制尚不清晰,导致忆阻器件稳定性差、性能分散等。因此,改善器件性能、深入讨论阻变机制对其广泛应用至关重要。本论文所选六方晶相的叁氧化钨纳米线不仅在c轴方向具有准一维孔道结构,可容纳直径较小的离子,其在电场的作用下在孔道内迁移;更重要的是,WO_3具有特殊的电子能带结构,为氢离子-电子双注入、及其耦合输运提供先决可能性。此外,氩离子束刻蚀大大改良了器件的电输运性能。本论文的主要研究内容及结果如下:1.采用简单水热法制备分散性好、结晶性好的六方相叁氧化钨纳米线,再进行SEM、TEM、XRD、Ramam等基本表征;使用紫外曝光技术和电子束曝光技术成功构筑了品质优良的基于单根叁氧化钨纳米线的忆阻器件。2.使用氩离子束刻蚀叁氧化钨米线之后,做XPS、XRD、TOPAS拟合、Ramam、光吸收谱表征,结果表明随着刻蚀的时间加长,氧空位浓度增大。与此同时,晶格常数a、c、晶面间距d、带隙等均随之减小而递减;刻蚀器件后测试I-V特性曲线,结果表明刻蚀时间增长,氧空位浓度增大,器件的电输运性能增强,氧空位能级浅掺杂于带隙之间。3.在不同相对湿度下,我们探究了两端器件Au/hexagonal WO_3nanowire/Au的I-V特性和阻变机制。高相对湿度下,水氧化氢离子以格罗特胡斯机制被输运到负极,这些吸附在纳米线表面的氢离子能吸引、耗尽内部电子,从而增大了肖特基势垒的高度。此时电输运特性被电极限制的导电机制(Schottky)所主导。当扫描偏压大于开启电压时,这些堆积的氢离子将被从负极注入的热电子迅速还原,此时主导其电输运特性则是体积限制的导电机制(Poole-Frankel)。在偏压的作用下,氢离子的产生与还原赋予了基于单根叁氧化钨纳米线器件丰富的阻变特性。(本文来源于《湖南师范大学》期刊2019-05-01）
许钊,薛鹏[8]（2019）在《离子束刻蚀机电控系统设计》一文中研究指出运动控制系统是实现离子束刻蚀机控制算法和轨迹拟合算法的硬件基础,因此需要在传动运动控制系统上,进行进一步的研究,以满足离子束刻蚀机刻蚀闪耀曲面光栅的要求,文章按照离子束刻蚀机运动控制系统的功能要求设计了工作平台的电控系统,首先介绍了电控系统的结构和功能模块布置,之后分别对电控系统的四个主要功能模块的软件和硬件电路进行设计,分别为:供电模块、真空获得模块、运动控制模块、通讯模块。为实现离子束刻蚀机控制算法和轨迹拟合算法提供了实际实验平台基础。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2019年13期）
梁加刚,许昌庆,王标,高营,蔡飞[9]（2019）在《高能离子刻蚀前处理对AlTiSiN涂层切削性能的影响》一文中研究指出目的提高AlTiSiN涂层与刀具基材的结合强度,降低涂层表面的粗糙度,减少切削过程中涂层的剥落,改善涂层刀具的切削寿命。方法采用离子源增强的多弧离子镀设备刻蚀清理基体材料,并制备AlTiSiN涂层。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、粗糙度仪、划痕仪和铣削实验探讨涂层沉积前不同Ar离子刻蚀清洗工艺对AlTiSiN涂层结构、膜基结合力和涂层表面形貌的的影响,探究不同刻蚀清洗工艺对涂层刀具切削机理和切削性能的影响。结果 AlTiSiN涂层的相结构主要由(Al,Ti)N固溶体相组成,涂层沿着基体呈现柱状生长。随着高能Ar离子刻蚀电流由40 A增加至100 A,涂层的表面粗糙度降低,Ra值由140 nm降至69 nm,Sq值由226 nm降至117 nm;涂层与基体之间的结合强度增加,Lc2由41 N增加至52 N;切削加工DC53模具钢结果显示,当清洗电流增加至100 A,涂层的剥落几率降低,涂层刀具的切削寿命增加,由11 m增加至23 m。结论高能离子刻蚀前处理过程可有效增加涂层与基体之间的结合强度,降低涂层表面粗糙度,进而提高涂层刀具的切削寿命。刻蚀清洗所用电流强度越大,清洗效果越好,刀具涂层切削性能提高越明显。(本文来源于《表面技术》期刊2019年04期）
杨正,靳志伟,陈建军,饶先花,尹韶云[10]（2019）在《聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光》一文中研究指出为进一步提高聚酰亚胺薄膜光学器件的表面质量,提出了一种聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光方法,对其抛光原理和抛光实验进行了研究。利用光刻胶流体的低表面张力及流动特性,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆光刻胶对其表面缺陷进行填补;结合聚酰亚胺与光刻胶的反应离子高各向异性等比刻蚀工艺,将光刻胶光滑平整表面高保真刻蚀转移至聚酰亚胺表面,从而实现聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光。实验结果表明:PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面,通过二次抛光其粗糙度可降低至75nm和13nm;PV、RMS分别为61nm和8nm的表面,其粗糙度可降低至9nm和1nm。该抛光方法能有效提高聚酰亚胺薄膜的表面光洁度,可为以聚酰亚胺薄膜为代表的高分子柔性光学器件的精密加工提供新的工艺思路。(本文来源于《光学精密工程》期刊2019年02期）
离子刻蚀论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
离子刻蚀论文参考文献
[1].韩佳锡,蓝邦,周子昊,余林,孙明.亚铁离子刻蚀α-MnO_2纳米棒的制备及其氧还原性能的研究[J].无机盐工业.2019
[2].李国荣,赵馗,严利均,Hiroshi,Iizuka,刘身健.等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化[J].北京大学学报(自然科学版).2019
[3].李国荣,张洁,赵馗,耿振华,曹思盛.FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化[J].半导体技术.2019
[4].罗志永,廖楚剑,蔡传兵,刘志勇,李敏娟.氩离子刻蚀对TFA-MOD法YBa_2Cu_3O_(7–x)薄膜性能的影响研究[J].无机材料学报.2019
[5].刘向阳,徐国庆,贾嘉,孙艳,李向阳.基于水平集方法的离子束刻蚀碲镉汞的轮廓演变模拟[J].红外与毫米波学报.2019
[6].罗远东,朱学进,彭强祥,刘巧灵,廖佳佳.PZT铁电薄膜的离子束刻蚀表面形貌研究[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019
[7].赵纲.氩离子束刻蚀与氢离子掺杂调控六方晶相氧化钨纳米线的电输运性能[D].湖南师范大学.2019
[8].许钊,薛鹏.离子束刻蚀机电控系统设计[J].科技创新与应用.2019
[9].梁加刚,许昌庆,王标,高营,蔡飞.高能离子刻蚀前处理对AlTiSiN涂层切削性能的影响[J].表面技术.2019
[10].杨正,靳志伟,陈建军,饶先花,尹韶云.聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光[J].光学精密工程.2019