导读:本文包含了磁控溅射法论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:磁控溅射,薄膜,太阳能电池,结构,矫顽力,明治,负极。
磁控溅射法论文文献综述
曹雪芹,李晗芳,李国然,高学平[1]（2019）在《磁控溅射法原位制备电催化活性的MoSe_2用于染料敏化太阳能电池对电极（英文）》一文中研究指出采用低成本材料取代铂对电极对于染料敏化太阳能电池的发展非常重要.金属硫族化合物MoSe_2对于I_3-的还原反应具有电催化活性,有望用作染料敏化太阳能电池对电极材料.而除了材料本身,电极的制作能够直接影响其电催化活性和稳定性.本文报道一种采用磁控溅射在FTO导电玻璃基底上原位制备MoSe_2电极的方法,并考察其作为对电极的综合性能.制备过程中,首先将硒刮涂在基底,接着在上层磁控溅射金属钼,然后于不同温度下在氩气氛中焙烧制得MoSe_2对电极.详细研究了焙烧温度对MoSe_2对电极结构、形貌,及其对最终电池性能的影响.形貌分析结果显示,所获得的MoSe_2呈现纳米板状形态,厚度约为20 nm,直径约为100 nm,纳米板交织成一层MoSe_2膜,平均厚度约为1.3μm.光伏测量结果表明,当焙烧温度在400和450℃时的电池效率分别是6.83%和6.68%,与传统的Pt作对电极时的效果(6.51%)相近.随着MoSe_2电极的制备温度进一步提高,相应的DSSC在550℃时逐渐降低至5.96%.对于层状MoSe_2,其对于I_3?的电催化还原活性位处于层状结构的边缘面(100晶面),而非基面(002晶面),合适的焙烧温度能够使对电极中MoSe_2暴露更多的活性位点.电化学阻抗谱显示,MoSe_2电极的电荷转移电阻(R_(ct))随温度从400℃增加到500℃而升高,表明电催化活性下降.虽然在550℃下制备的MoSe_2电极显示出降低的R_(ct),但其串联电阻和扩散电阻明显增加.考虑到MoSe_2相不能在300℃下形成,可见,尽可能低的制备温度有利于提高其最终的电化学性能.(本文来源于《Chinese Journal of Catalysis》期刊2019年09期）
安仲鑫[2]（2019）在《磁控溅射法晶界扩散Tb对烧结Nd-Fe-B永磁体组织和性能的影响》一文中研究指出现代高新技术应用领域要求烧结Nd-Fe-B永磁体在保证高剩磁前提下,具备高矫顽力、高磁能积、高稳定性等特点。晶界扩散工艺是一种制备高性能烧结Nd-Fe-B永磁体的方法,它可以在大幅提升磁体矫顽力的同时不降低剩磁,显着减小重稀土元素的添加量,降低生产成本。但目前有关晶界扩散Tb的最佳热处理工艺尚不确定,还未见大规模工业应用。另外,不同工艺条件下磁体内Tb分布仍有待深入研究。本文通过磁控溅射法在烧结Nd-Fe-B表面沉积金属Tb膜层,用脉冲磁场磁强计(PFM)、扫描电子显微镜(SEM)、辉光放电光谱分析仪(GDOES)、磁通计等研究不同热处理工艺及金属Tb膜厚度对磁体组织和磁性能的影响,进一步阐明晶界扩散机制和矫顽力提升原理,为大规模制备高性能低重稀土烧结Nd-Fe-B永磁体提供技术参数。主要结果如下:1.晶界扩散处理后磁体表面Tb元素沿晶界进入磁体内部,在主相晶粒外形成高磁晶各向异性的(Nd,Tb)2Fe14B壳层,增强了磁性相晶粒表面的各向异性场,抑制反磁化畴形核;同时富Nd相沿晶界均匀连续地分布,有效降低磁性相颗粒间磁交换耦合作用,从而显着提升磁体矫顽力。由于Tb在晶粒表层区域富集而不进入内部,避免了与Fe形成反铁磁耦合,因此晶界扩散磁体仍然具有较高的剩磁。扩散处理温度升高和时间延长能提高重稀土扩散至磁体内的深度和浓度,增加磁体内(Nd,Tb)2Fe14B比例从而提升矫顽力,但扩散温度过高和时间过长会导致晶粒长大和富Nd相结构及分布发生变化,并使磁体矫顽力提升幅度放缓。2.925℃×10 h扩散处理后Tb元素能够进入磁体芯部,并提高磁体内核壳结构比例、组织及化学成分均匀性;500℃退火处理2 h能优化磁体内富Nd相形态及分布,磁体矫顽力由1077.25 kA/m提升至1630.9 kA/m,增幅51.39%,退磁曲线方形度保持在90%以上,剩磁和磁能积几乎不变。综合分析得出925℃×10 h+500℃×2 h为N52烧结Nd-Fe-B永磁体晶界扩散Tb处理的最佳热处理工艺参数。3.Tb膜层较薄时磁体表层区域无(Nd,Tb)2Fe14B晶粒层,磁体内Tb扩散距离不超过300μm。随磁体表面Tb膜层变厚,Tb在磁体内的扩散距离及深度显着增加,(Nd,Tb)2Fe14B晶粒层厚度和核壳结构比例也逐渐增加;Tb膜厚13μm磁体的内Tb浓度随扩散深度分布规律近似线性关系。4.单面镀膜磁体矫顽力随Tb膜厚增加逐渐提升,但剩磁和磁能积较原始磁体有所降低。与单面沉积Tb膜磁体相比,双面沉积磁体矫顽力增加幅度更为显着,剩磁和磁能积接近原始磁体,同时具有较高的退磁曲线方形度。5.晶界扩散处理使N52烧结Nd-Fe-B永磁体高温磁性能得到提升,最高使用温度提高至120℃。综合比较得出,磁控溅射法晶界扩散重稀土Tb元素是一种有效改善烧结Nd-Fe-B磁体温度稳定性的工艺。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-08）
屈思吉[3]（2019）在《磁控溅射法改性金属锂负极的研究》一文中研究指出随着便携式电子设备和电动汽车的快速发展,对电池的能量密度也有了更高的要求。金属锂负极由于超高的比容量(3860 mAh/g)以及极低的氧化还原电势(-3.045 V vs.SHE)被认为最有可能取代石墨,是下一代锂电池负极的首选材料。然而,金属锂负极在使用时存在的一些缺点却阻止了它的应用。首先是金属锂负极的枝晶生长问题,这很容易导致电池短路产生安全风险。其次金属锂在电解液中极不稳定,容易与电解液发生反应被消耗,这也降低了金属锂电池的循环寿命。还有金属锂负极在循环过程中较大的体积变化也是一个棘手的问题。因此对金属锂负极的改性势在必行。在众多的改性方法中,界面改性由于方法简单有效且对于金属锂的性质影响较小,而被广泛研究。因此本文采用经济实惠、易于大规模实用的磁控溅射技术对金属锂负极的表面进行包覆改性研究。(1)首先采用金属氧化物材料(ZrO_2)对金属锂进行了包覆尝试。由于其较好的化学惰性,能够有效阻挡电解液对金属锂的腐蚀。在实验中制备了不同厚度的ZrO_2薄膜,发现37 nm厚度的ZrO_2薄膜包覆的金属锂负极具有最佳的循环表现。其在0.5 mA/cm~2的电流密度下电化学性能提升明显,能够稳定循环超过900 h,这得益于ZrO_2包覆后的金属锂负极界面性质更加稳定。而且与Li_4Ti_5O_(12)组成的锂电池在2 C倍率下展现出了比未改性样品更高的容量保持率(92.9%)以及更稳定的极化。最后对其保护机理进行了深入研究,发现包覆后的ZrO_2薄膜有效隔绝了电解液,并为锂离子的还原沉积提供了一个平整致密的新表面,因而循环100周后锂负极的结构依然致密完整、产生的锂枝晶和副产物都较少。(2)锂铝合金有较高的锂离子扩散系数(6.0×10~(-10) cm~2 s~(-1)),相比纯锂(5.69×10~(-11) cm~2 s~(-1))提高了近一个数量级。因此利用磁控溅射沉积了一层74 nm厚的铝薄膜对金属锂进行包覆改性,并对包覆后的金属锂负极进行了系统的研究。结果表明,包覆后的金属锂负极表面形成的锂铝合金层能够有效减缓与电解液的副反应,且锂铝合金较高的锂离子扩散系数也可以帮助锂更加均匀的沉积。因此包覆铝后的金属锂展现出了较好的界面稳定性,在空气中能够稳定保存超过1 h,而且在电解液的静置阻抗测试中也更加稳定。通过电化学循环测试发现,对称电池在0.5 mA/cm~2电流密度、0.5 mAh/cm~2面容量下能够稳定循环超过950 h,且在1mA/cm~2条件下也能循环超过300 h。在循环200周之后,包覆铝的金属锂表面依然具有金属光泽,且表面和截面都保持了完整致密的结构。(3)通过采用易与锂合金化的锌对金属锂负极进行包覆改性。锂锌合金有高达4.7×10~(-8) cm~2 s~(-1)的锂离子扩散系数,可以满足更高电流密度的充放电循环需求。在金属锂表面沉积一层600 nm厚的锌薄膜,锌与锂会立即自发反应形成锂锌合金层。包覆锌后的金属锂在1 mA/cm~2电流密度下、1 mAh/cm~2面容量下循环寿命超过500 h,相比未改性锂电极(~150 h)提升超过3倍。在大电流3 mA/cm~2测试条件下,依然能够循环超过200 h。在PEO基固态电解质中也展现出了良好的循环性能,0.1 mA/cm~2、1 mAh/cm~2条件下能稳定循环920 h,相比未改性金属锂循环寿命提升超过6倍。这说明锂锌合金较高的锂离子扩散系数极大的帮助了锂离子的均匀沉积、减少了枝晶生长。在液态电池中较厚的锂锌合金层也较长时间的稳定了电极的界面,减缓了副反应发生,从而延长了电池的循环寿命。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
陈望,黄有林,罗军明,关耀威,葛现金[4]（2018）在《晶界扩散处理对磁控溅射法沉积DyMn复合薄膜的Nd-Fe-B磁体性能的影响》一文中研究指出采用磁控溅射技术在烧结Nd-Fe-B磁体表面沉积DyMn复合薄膜,研究了不同晶界扩散工艺对磁体微观结构和磁性能的影响。研究结果表明:当采用晶界扩散条件为750℃/5 h、500℃/1 h时,磁体获得的综合磁性能最佳,其矫顽力、剩磁和最大磁能积分别为H_(ci)=1310 kA·m~(-1)、J_r=1.208 T和(BH)_(max)=259 kJ·m~(-3),相较于原始磁体,磁性能获得全面提升,其中矫顽力增幅高达34.8%。微观组织结构研究发现,晶界扩散后富稀土相分布变化所导致的退磁场减小和Dy、Mn元素在主相晶粒外延层分布所引起的反磁化畴形核场的增加是磁体综合磁性能提高的主要原因。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2018年11期）
宋建民,代秀红,梁杰通,赵磊,周阳[5]（2018）在《偏轴磁控溅射法外延BiFeO_3薄膜的介电性能与阻变效应》一文中研究指出利用偏轴射频磁控溅射法,在(001)SrTiO_3(STO)单晶基片上制备了Pt/BiFeO_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/STO(Pt/BFO/LSCO/STO)异质结电容器。研究了BiFeO_3薄膜的结构和物理性能。原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析表明:BFO薄膜结晶质量良好,且为单相(00l)外延钙钛矿结构。介电性能测试结果发现:在5 V驱动电压下,Pt/BFO/LSCO电容器呈现饱和的蝶形回线,调谐率和介电损耗分别为14.1%和0.19。此外,阻变机制研究表明:在0→5→0 V正向电压和0→–5→0 V负向电压下,阻变均为高阻向低阻转变规律,呈现为铁电二极管的阻变开关行为。通过I–V曲线拟合,得到0→5→0→–5 V时阻变机制为空间电荷限制电流陷阱能级的填充和脱陷,而–5→0 V时符合界面限制的F-N隧穿机制。(本文来源于《无机材料学报》期刊2018年09期）
郑晓华,林玲玲,常新新,王贡启,杨芳儿[6]（2018）在《调制比对磁控溅射法生长DLC/WS_x多层膜微结构和力学性能的影响》一文中研究指出采用磁控溅射法在200℃Si(100)基体上交替沉积WS_x和类金刚石碳膜(DLC)制备不同调制比的DLC/WS_x多层膜(周期为10 nm)。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子谱(XPS)等手段分析调制比对多层膜成分、微观结构及界面的影响。利用薄膜应力测试仪、纳米压痕仪、涂层附着力划痕仪和球盘式摩擦磨损试验机等测试多层膜的力学性能及大气中的摩擦磨损性能。结果表明:DLC/WS_x多层膜结构致密而平整,界面强化效应明显,膜中WS_x均为非晶结构。随着调制比增大,多层膜的n(S)/n(W)由0.77增大至1.08,硬度先降低后升高,膜内压应力逐渐减小,结合力先增大后减小,摩擦因数由0.307降至0.171,磨损率逐渐上升。调制比为1:39的多层膜性能最优,硬度可达11.4 GPa,磨损率低至1.17×10~(-15) m~3·N~(-1)·m~(-1),显着优于纯WS_x薄膜的。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2018年07期）
李康复[7]（2018）在《基于磁控溅射法及分段退火技术高质量YIG薄膜的制备与性能研究》一文中研究指出由于钇铁石榴石(Y3Fe5O12,YIG)薄膜性能的好坏直接影响器件的性能,而薄膜的退火工艺对薄膜的磁性能有着很大的影响。因此,采用怎样的退火工艺来制备出性能优异的、满足薄膜器件要求的YIG薄膜是当前值得研究的问题。本文以射频磁控溅射法制备的YIG薄膜为研究对象。探究了两段退火工艺对YIG薄膜性能的影响。首先,利用射频磁控溅射法在Si基片上制备出不同厚度的YIG薄膜,然后探究分段退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究发现,当退火条件为T1=750oC,T2=500oC,保温时间t1和t2为3小时时,能成功在Si基片上制备出厚度为203nm表面无裂纹且饱和磁化强度为127emu/cm3,铁磁共振线宽为67Oe的YIG薄膜。其次,利用射频磁控溅射法在GGG基片上制备出不同厚度的YIG薄膜,然后探究分段退火条件对YIG薄膜性能的影响。最终当制备条件为T1=750oC,T2=400oC,保温时间t1和t2为3小时时,成功制备出厚度为3.5μm表面无裂纹且饱和磁化强度为156emu/cm3的高质量的YIG薄膜。最后,利用间断沉积法,运用不同的制备模式在Si基片上制备了亚微米级YIG薄膜。分别探究了在150nm+150nm模式下和在200nm+200nm模式下,不同退火条件对YIG薄膜性能的影响。最终,当退火条件为T1=750oC,T2=500oC,保温时间t1和t2为3小时时,成功制备出厚度为300nm的无裂纹YIG薄膜且薄膜饱和磁化强度为135emu/cm3。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2018-06-01）
陶金彤,时方晓,郭蕴鑫,朱丹,王璐璐[8]（2018）在《磁控溅射法在云母上制备透明导电薄膜》一文中研究指出用磁控溅射的方法在天然白云母上制备AZO透明导电薄膜、AZO/Ag/AZO叁明治夹层结构透明导电薄膜。研究了溅射过程中,制备单层AZO薄膜与AZO/Ag/AZO叁明治夹层结构中不同Ag夹层厚度对光学和电学性能的影响。结果表明:AZO/Ag/AZO叁明治夹层结构透明导电薄膜比单层AZO薄膜的光电性能更好,并发现随着夹层Ag的逐渐增厚,透过率呈现降低的趋势,方阻呈现上升的趋势。薄膜在柔性云母基底上结晶度良好,并且能够得到较低电阻率和在可见光谱范围内平均透射率大于80%的光电性能优良的叁明治夹层柔性导电基底。(本文来源于《第十五届沈阳科学学术年会论文集（理工农医）》期刊2018-06-01）
张泽华[9]（2018）在《直流磁控溅射法沉积氧化镍电致变色薄膜及其性能研究》一文中研究指出电致变色是指材料在电化学过程中发生可逆且可保持的光学性能变化。氧化镍(NiO)薄膜是一种优良的阳极变色材料,它的成本相对低廉,着色态与褪色态的光密度差值大,是一种极具研究价值与应用前景的薄膜材料。本文采用直流反应磁控溅射法,以FTO玻璃为基片,在不同工艺条件下沉积了多组NiO薄膜。系统性地探讨了沉积时间、氧氩流量比、溅射功率、沉积气压、基片温度对NiO薄膜的结构与电致变色性能(以KOH为电解质)的影响,并制作了NiO基电致变色器件。研究结果如下:(1)沉积的NiO薄膜均为立方结构NiO。随着溅射时间的增加,(200)衍射峰强度逐渐增加,薄膜结晶性越来越好。膜厚增大会使薄膜电荷储存量增加,但褪色态、初始态透过率会下降,变色响应时间加长。厚度为80 nm的试样光学调制幅度为50%,褪色态透过率为71%。较薄的NiO薄膜具有更好的电致变色性能。(2)氧氩流量比(0.02~0.2)的增加会使薄膜的沉积速率、初始态透过率下降,在低氧氩流量比时,膜层主要为(111)、(200)择优取向,当氧氩流量比上升至0.2时薄膜结晶性变差,但XRD图谱出现了微弱的(220)衍射峰。氧氩流量比为0.05的试样在膜厚为280 nm时具有最高的褪色态透过率(44%)和光学调制幅度(36%),氧氩流量比为0.02的试样着色效率最高,为30 cm~2/C。低氧氩流量比沉积的NiO薄膜电致变色性能更好。(3)溅射功率增加(100~200 W),(200)衍射峰强度逐渐加强,薄膜结晶性变好,但当功率增大到250 W时衍射峰强度降低,薄膜结晶性变差。250 W沉积的NiO薄膜具有最大的光学调制幅度,为27%,且响应时间最快,着色7.25s,褪色3.71 s。但溅射功率对其他电致变色性能指标影响不明显。(4)在低气压下沉积的薄膜主要为(200)择优取向,气压增加(0.7~1.5 Pa)会出现(111)择优取向。随着沉积气压上升,NiO薄膜电荷储存量有下降的趋势,但对其他电致变色性能指标的影响不明显。(5)随着基片温度上升(10~150℃),NiO薄膜(111)、(200)面衍射峰强度略微增大,薄膜的激活时间逐渐增加,基片温度为150℃时NiO薄膜几乎没有电致变色活性。10℃下沉积的NiO薄膜电致变色性能最好,褪色态透过率为69%,光学调制幅度为53%。50℃下沉积的薄膜响应时间较快,着色1.44 s,褪色0.91s。沉积NiO薄膜基片温度不能过高,控制在室温~50℃可得到电致变色性能较佳的薄膜。(6)优化沉积参数后的NiO薄膜经过1000次循环着色效率为71 cm~2/C,且响应时间较快(着色1.21 s,褪色0.41 s)。使用该薄膜作为电致变色层,制备了FTO/NiO/KOH/FTO电致变色器件,器件在550 nm处褪色态透过率为61%,光学调制幅度为25%。(本文来源于《武汉理工大学》期刊2018-05-01）
刘艳[10]（2018）在《磁控溅射法和一步电沉积法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜》一文中研究指出随着化石能源的日益减少,能源危机迫使人们不得不寻找可替代的新能源。新能源中太阳能来源丰富,是最有可能替代传统能源的清洁可再生能源。目前,常见的薄膜太阳能电池有CdTe、CIGS(CuIn_xGa_((1-x))Se_2)和CZTS(Cu_2ZnSn_4),但是Te、In、Ga是稀有元素,价格昂贵;Cd是重金属元素,安全性受到质疑。而CZTS与CIGS的光学性质和半导体性质相似,且组成元素储量丰富、价格低廉,有望成为替代CIGS的后备材料。本文采用磁控溅射法和一步电沉积法制备CZTS薄膜。磁控溅射法预制膜成膜质量高,成分比例易控制,但高度依赖后期热处理,本文磁控溅射法重点探讨硫化温度和SnS含量对实验结果的影响。电沉积法成本低廉,操作简便,但电沉积过程要求高,化学成分难控制,且高度依赖后期硫化处理。因此,前期通过改变溶液pH值、离子浓度研究电沉积的影响,后期通过调节硫化时间、硫化温度研究硫化过程对薄膜生长的影响。利用X射线荧光针(XRF)测定前驱体薄膜元素配比、能谱仪(EDS)测定CZTS薄膜成分、X射线衍射仪(XRD)和拉曼图谱(Raman)分析薄膜的结构、场发射扫描电镜(SEM)观测薄膜的表面和截面形貌。通过讨论分析得出,磁控溅射法中当硫化温度为580℃,SnS的含量为8mg时CZTS薄膜晶粒生长最好。电沉积法中最佳pH值为5.7,最佳离子浓度为22mM(CuSO_4·5H_2O)、22mM(ZnSO_4·7H_2O)、8mM(SnSO_4),经300℃预处理30min能改善薄膜形貌,硫化过程中最佳硫化时间为60min,最佳硫化温度为580℃,制备的薄膜表面致密,晶粒均匀,薄膜厚度约为2μm,适合用作吸收层。(本文来源于《华中科技大学》期刊2018-05-01）
磁控溅射法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
现代高新技术应用领域要求烧结Nd-Fe-B永磁体在保证高剩磁前提下,具备高矫顽力、高磁能积、高稳定性等特点。晶界扩散工艺是一种制备高性能烧结Nd-Fe-B永磁体的方法,它可以在大幅提升磁体矫顽力的同时不降低剩磁,显着减小重稀土元素的添加量,降低生产成本。但目前有关晶界扩散Tb的最佳热处理工艺尚不确定,还未见大规模工业应用。另外,不同工艺条件下磁体内Tb分布仍有待深入研究。本文通过磁控溅射法在烧结Nd-Fe-B表面沉积金属Tb膜层,用脉冲磁场磁强计(PFM)、扫描电子显微镜(SEM)、辉光放电光谱分析仪(GDOES)、磁通计等研究不同热处理工艺及金属Tb膜厚度对磁体组织和磁性能的影响,进一步阐明晶界扩散机制和矫顽力提升原理,为大规模制备高性能低重稀土烧结Nd-Fe-B永磁体提供技术参数。主要结果如下:1.晶界扩散处理后磁体表面Tb元素沿晶界进入磁体内部,在主相晶粒外形成高磁晶各向异性的(Nd,Tb)2Fe14B壳层,增强了磁性相晶粒表面的各向异性场,抑制反磁化畴形核;同时富Nd相沿晶界均匀连续地分布,有效降低磁性相颗粒间磁交换耦合作用,从而显着提升磁体矫顽力。由于Tb在晶粒表层区域富集而不进入内部,避免了与Fe形成反铁磁耦合,因此晶界扩散磁体仍然具有较高的剩磁。扩散处理温度升高和时间延长能提高重稀土扩散至磁体内的深度和浓度,增加磁体内(Nd,Tb)2Fe14B比例从而提升矫顽力,但扩散温度过高和时间过长会导致晶粒长大和富Nd相结构及分布发生变化,并使磁体矫顽力提升幅度放缓。2.925℃×10 h扩散处理后Tb元素能够进入磁体芯部,并提高磁体内核壳结构比例、组织及化学成分均匀性;500℃退火处理2 h能优化磁体内富Nd相形态及分布,磁体矫顽力由1077.25 kA/m提升至1630.9 kA/m,增幅51.39%,退磁曲线方形度保持在90%以上,剩磁和磁能积几乎不变。综合分析得出925℃×10 h+500℃×2 h为N52烧结Nd-Fe-B永磁体晶界扩散Tb处理的最佳热处理工艺参数。3.Tb膜层较薄时磁体表层区域无(Nd,Tb)2Fe14B晶粒层,磁体内Tb扩散距离不超过300μm。随磁体表面Tb膜层变厚,Tb在磁体内的扩散距离及深度显着增加,(Nd,Tb)2Fe14B晶粒层厚度和核壳结构比例也逐渐增加;Tb膜厚13μm磁体的内Tb浓度随扩散深度分布规律近似线性关系。4.单面镀膜磁体矫顽力随Tb膜厚增加逐渐提升,但剩磁和磁能积较原始磁体有所降低。与单面沉积Tb膜磁体相比,双面沉积磁体矫顽力增加幅度更为显着,剩磁和磁能积接近原始磁体,同时具有较高的退磁曲线方形度。5.晶界扩散处理使N52烧结Nd-Fe-B永磁体高温磁性能得到提升,最高使用温度提高至120℃。综合比较得出,磁控溅射法晶界扩散重稀土Tb元素是一种有效改善烧结Nd-Fe-B磁体温度稳定性的工艺。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
磁控溅射法论文参考文献
[1].曹雪芹,李晗芳,李国然,高学平.磁控溅射法原位制备电催化活性的MoSe_2用于染料敏化太阳能电池对电极（英文）[J].ChineseJournalofCatalysis.2019
[2].安仲鑫.磁控溅射法晶界扩散Tb对烧结Nd-Fe-B永磁体组织和性能的影响[D].山东大学.2019
[3].屈思吉.磁控溅射法改性金属锂负极的研究[D].电子科技大学.2019
[4].陈望,黄有林,罗军明,关耀威,葛现金.晶界扩散处理对磁控溅射法沉积DyMn复合薄膜的Nd-Fe-B磁体性能的影响[J].材料热处理学报.2018
[5].宋建民,代秀红,梁杰通,赵磊,周阳.偏轴磁控溅射法外延BiFeO_3薄膜的介电性能与阻变效应[J].无机材料学报.2018
[6].郑晓华,林玲玲,常新新,王贡启,杨芳儿.调制比对磁控溅射法生长DLC/WS_x多层膜微结构和力学性能的影响[J].中国有色金属学报.2018
[7].李康复.基于磁控溅射法及分段退火技术高质量YIG薄膜的制备与性能研究[D].杭州电子科技大学.2018
[8].陶金彤,时方晓,郭蕴鑫,朱丹,王璐璐.磁控溅射法在云母上制备透明导电薄膜[C].第十五届沈阳科学学术年会论文集（理工农医）.2018
[9].张泽华.直流磁控溅射法沉积氧化镍电致变色薄膜及其性能研究[D].武汉理工大学.2018
[10].刘艳.磁控溅射法和一步电沉积法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜[D].华中科技大学.2018
论文知识图
