InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及其高响应度广光谱光电探测器（英文）

论文摘要

为了实现紫外-可见波段的高响应度/低成本的广光谱光电探测,我们制备了基于一维p型Se微米线与二维n型InSe纳米片的混维范德瓦尔斯异质结广光谱探测器。得益于Se微米线与二维层状结构InSe纳米片的高结晶质量,该器件在紫外-可见光广光谱范围都具有非常高的响应度,该器件的响应截止边为700 nm。值得指出的是,该器件在-5 V的偏压下,对460 nm的光源响应度可以达到108 mA/W,该数值比原来的Se探测器高了800%。这项研究有利于拓展我们对范德瓦尔斯异质结的认识,也为今后制备高性能的低维光电探测器提供了一种新的途径。

论文目录

• 1 Introduction
• 2 Experiments
• 3 Results and Discussion
• 4 Conclusion

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 陈洪宇,尚慧明,戴明金,王月飞,李炳生,胡平安

关键词: 半导体,范德瓦尔斯异质结,光电探测器,多层结构

来源: 发光学报 2019年11期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 材料科学,无线电电子学

单位: 哈尔滨工业大学物理学院,哈尔滨工业大学化工与化学学院,哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室

基金: Supported by National Natural Science Foundation of China(61874037,61505033),National Postdoctoral Science Foundation of China(2017M621254,2018T110280),Heilongjiang Provincial Postdoctoral Science Foundation(LBH-TZ1708),Key Laboratory of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing of Ministry of Education,Harbin Institute of Technology(2017KM003),Fundamental Research Funds for The Central Universities(HIT.NSRIF.2019060)~~

分类号: TB383.1;TN36

页码: 1409-1416

总页数: 8

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