论文摘要
本文基于第一性原理计算,预测了二维SnP3层作为新型半导体材料,具有0.71 eV（单层）和1.03 eV（双层）的间接带隙,这与体结构的金属特性不同.值得注意的是,2D SnP3具有9.171×104cm2·V-1·s-1的高空穴迁移率和对于整个可见光谱的高光吸收(～106cm-1),这预示2D SnP3层有望成为纳米电子学和光电子学的候选材料.有趣的是,本文发现2D SnP3双层具有与硅类似的电子和光学特性.考虑到硅基微电子和光伏技术的巨大成功,本文的研究结果将有助于纳米领域的相关研究.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王辰,胡婷,阚二军
关键词: 磷化锡,电子结构,第一性原理计算,半导体
来源: Chinese Journal of Chemical Physics 2019年03期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 材料科学,无线电电子学
单位: 南京理工大学应用物理系微结构能源研究所
基金: supported by the National Natural Science Foundation of China(No.11604146,No.51522206,and No.11774173),a Project Funded by the Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions,Outstanding Youth Fund of Nanjing Forestry University(NLJQ2015-03),the Fundamental Research Funds for the Central Universities(No.30915011203),the support from the Shanghai Supercomputer Centre
分类号: TN304;TB383.1
页码: 327-332
总页数: 6
文件大小: 387K
下载量: 38