导读:本文包含了双层锰氧化物薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氧化物,薄膜,应力,各向异性,密度,器件,论文。
双层锰氧化物薄膜论文文献综述
彭云霞,潘东,钟传杰[1]（2017）在《双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真》一文中研究指出采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2017年02期）
茶丽梅,张鹏翔,H,U,Habermeier[2]（2003）在《双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质》一文中研究指出用脉冲激光沉积 (PLD)方法成功地制备了双层钙钛矿结构的La2 - 2xSr1 + 2xMn2 O7(x =0 32 )单相薄膜 .这种薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上 .测量发现 ,两种衬底上生长的La2 - 2xSr1 + 2xMn2 O7(x =0 32 )薄膜具有迥然不同的金属 绝缘体转变温度TM -I及其他物性 .界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果 .在衬底的压应力下 ,薄膜的电阻 温度曲线的峰值 (TM -I)向高温移动且电阻率 (ρ)下降 ;相反 ,对于衬底张应力下的薄膜 ,TM -I下降 ρ上升 .这些结果可以用双交换模型做很好的解释 .(本文来源于《物理学报》期刊2003年02期）
茶丽梅,张鹏翔,H,U,Habermeier[3]（2002）在《双层锰氧化物薄膜中的应力效应》一文中研究指出双层钙钛矿结构的La2 - 2XSr1 +2XMn2 O7(X =0 .32 )单相薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上 .测量发现 ,两种衬底上生长的La2 - 2XSr1 +2XMn2 O7(X =0 .32 )薄膜具有迥然不同的金属-绝缘体转变温度TM -I及其他物性 .界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果 .在衬底的压应力下 ,薄膜的电阻—温度曲线的峰值 (TM -I)向高温移动且电阻率 ( ρ)下降 ;相反 ,对于衬底张应力下的薄膜 ,TM -I下降ρ上升 .这些结果可以用双交换模型做很好的解释 .(本文来源于《昆明理工大学学报(理工版)》期刊2002年06期）
茶丽梅[4]（2002）在《双层锰氧化物薄膜的制备与性质》一文中研究指出本论文工作主要围绕着锰氧化物双层薄膜的制备方法及性质研究而展开。 混合价态锰氧化物在一定搀杂范围内具有超大磁阻(CMR)效应，此效应在磁电阻型随机存储器、读出磁头及各类磁场传感器方面极具潜在的应用前景。近年来人们发现CMR效应在具有强烈的各向异性的双层结构中更为明显。如何把CMR效应与薄膜这种应用上更为灵活的物质形态结合起来，已成为研究的热点。在无限层薄膜的制备及性质研究中，人们已有许多成果；但对双层锰氧化物薄膜的制备，人们只在初步探索中。第一章主要介绍有关对混合价态锰氧化物的基本背景知识及发展现状。 我们采用脉冲激光溅射沉积(PLD)方法来制备双层薄膜。PLD方法最大的优点在于高能量激光脉冲与靶材的短时间(10_30纳秒)作用既能有效的完成从靶材到衬底的物质输运，又能保证靶材与薄膜的化学成份基本不变。在PLD过程中，等离子体羽辉与衬底的作用决定着薄膜的生长。在这一过程中，除了激光能量，频率外，沉积腔内的气压和衬底温度也是关键因素。经过大量的工作，我们在自己的试验设备上找到了适于制备双层薄膜的气氛，气压，温度，激光能量，频率等各种参数(衬底温度为900摄氏度时，在0.5毫吧的氩气中进行薄膜沉积，然后在100毫吧的氧气中冷却)，并得到了合适的工作曲线。第二章从用PLD进行薄膜制备的实验装置入手，逐一介绍了实验设备的各个部份，同时详细分析了它们各自的用途以及对薄膜制备的影响。继而论及薄膜生长方式，具有不同失配度的衬底对薄膜产生的不同应力类型，光刻和镀电极的简略步骤。 对双层锰氧化物薄膜的结构表征，我们主要采用了X射线散射，劳厄背散射(Lauebackscattering)，原子力显微技术(AFM)对制备的薄膜进行检测，并做了相应的计算和分析。分析结果显示，我们用PLD技术沉积的锰氧化物薄膜在结构上是良好的单相外延双层薄膜。AFM照片表明在同一沉积条件下不同衬底对外延生长的薄膜形态有不同作用。第叁章主要阐述了我们如何对所制备的薄膜进行结构表征，其中也涉及到薄膜原胞结构参数的计算方法以及如何用结构分析的结果优化簿膜制备条件。 第四章是对不同衬底上外延生长的双层锰氧化物薄膜 La。。3r．《xMn。O八x＝0．32）的输运性质进行研究。首先根据衬底取向的不同，将外延薄膜分为两大类一．－分别生长于 SrTIO大00）及 NdGaO人 11 0）上，并分别介绍其性质，对各自电阻，磁阻变化进行了解释；然后对比二者输运性质之间的各种差异（金属－绝缘体转变点的电阻率分别为 13和 0．27欧姆厘米，转变温度是 78与 154开尔文，磁场强度为 7 T时，磁阻率为习3％及巧6％X结合双交换模型和不同的应力作用，逐一解释了产生差异的缘由，其中我们也讨论了具有＊）取向的La。＿。／r；＋。川n几O刃．32）双层锰氧化物薄膜在输运性质上的各向异性被压制的可能性，如何设计新的实验方法来确认，以及引发此现象的真正原因；最后，根据衬底和薄膜之间不同的失配度导致的不同应力类型和薄膜在不同类型应力下的不同输运性质，我们分析了决定应力对输运性质的影响的两个因素，得出了在双层锰氧化物薄膜中，锰氧键的键长对其输运性质起着决定作用的结论。此外，值得一提的是，生长于 LasrCaO。＊）衬底上的外延双层锰氧化物薄膜，C轴位于平面内且输运性质上具有良好的各向异性。 在给出结论的第五章中，我们对本论文工作进行了总结：成功地制备出单相的双层锰氧化物薄膜，薄膜的取相分别为［om］，［110］及［100卜 对在晶格参数不同的衬底上生长的薄膜进行了应力对输运性质影响的研究后，得出了对双层锰氧化物薄膜，锰氧键键长是决定输运性质的主要因素的结论；利用双交换模型，相应的实验现象可以得到很好的解释；最后，据所得到的成果对后继的工作进行了展望。(本文来源于《昆明理工大学》期刊2002-02-01）
双层锰氧化物薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
用脉冲激光沉积 (PLD)方法成功地制备了双层钙钛矿结构的La2 - 2xSr1 + 2xMn2 O7(x =0 32 )单相薄膜 .这种薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上 .测量发现 ,两种衬底上生长的La2 - 2xSr1 + 2xMn2 O7(x =0 32 )薄膜具有迥然不同的金属 绝缘体转变温度TM -I及其他物性 .界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果 .在衬底的压应力下 ,薄膜的电阻 温度曲线的峰值 (TM -I)向高温移动且电阻率 (ρ)下降 ;相反 ,对于衬底张应力下的薄膜 ,TM -I下降 ρ上升 .这些结果可以用双交换模型做很好的解释 .
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双层锰氧化物薄膜论文参考文献
[1].彭云霞,潘东,钟传杰.双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真[J].固体电子学研究与进展.2017
[2].茶丽梅,张鹏翔,H,U,Habermeier.双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质[J].物理学报.2003
[3].茶丽梅,张鹏翔,H,U,Habermeier.双层锰氧化物薄膜中的应力效应[J].昆明理工大学学报(理工版).2002
[4].茶丽梅.双层锰氧化物薄膜的制备与性质[D].昆明理工大学.2002
论文知识图
