导读:本文包含了射频等离子分子束外延论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:外延,射频,等离子体,分子,射线,发射光谱,湿法。
射频等离子分子束外延论文文献综述
杨广武[1]（2007）在《射频等离子体辅助分子束外延生长高质量Zno薄膜研究》一文中研究指出本论文的主要任务是研究在蓝宝石(0001)衬底上利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-MBE)系统生长出高质量的氧化锌(ZnO)单晶外延薄膜，为ZnO这一新颖的半导体材料在光电子器件方面得到应用打下基础。本文研究了锌(Zn)束流对薄膜质量的影响。在生长过程中，固定射频等离子体源功率为350W，氧气(O_2)流量为1.5SCCM，在10~(-8)-10-~(-6)mbar之间调整Zn束流在蓝宝石(0001)衬底上进行薄膜生长与表征。随着Zn束流的调整，在PL谱中可以看到位于紫外约376nm处的由自由激子复合产生的近带边发射得到增强，而位于可见光区域的由缺陷和杂质引起的深能级发射得到了有效的抑制，说明我们的采用的方法对于生长高质量ZnO薄膜是可行的。通过优化实验参数，在蓝宝石(0001)衬底上生长了ZnO薄膜。在X射线衍射(XRD)谱中除衬底的<006>峰外，只观察到ZnO薄膜的<002>衍射峰，其半高宽(FWHM)值为0.18°；在室温共振拉曼散射光谱中观测到叁个散射峰位1LO(575cm~(-1))、2LO(1149cm~(-1))和3LO(1724cm~(-1))，这些结果表明ZnO薄膜具有单一c轴取向和高质量的纤维锌矿晶体结构。在吸收光谱中观测到自由激子吸收和激子-LO声子吸收峰，这表明在室温下ZnO薄膜中存在稳定的激子。室温下在光致发光谱(PL)中仅观测到位于376nm处的自由激子发光峰，而没有观测到与缺陷相关的深能级发射峰，这表明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。(本文来源于《天津工业大学》期刊2007-01-01）
隋妍萍[2]（2006）在《GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究》一文中研究指出Ⅲ-N材料及其掺杂特性尤其是p型材料的性质，是影响其在电子和光电器件应用方面的主要因素。本论文内容围绕GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究展开。以探讨和解决高温微波器件用Ⅲ-N基材料的关键科学和技术问题为目标，重点对GaN材料特性及掺杂行为进行了深入的物理研究，取得了以下主要研究结果： 用RF Plasma MBE生长技术，通过对Ga束流清洗、高温氮化和低温缓冲层生长等工艺的优化，在白宝石衬底上外延GaN，获得了GaN的叁维成核二维生长的生长模式。所得GaN材料XRD曲线半峰宽最佳值为560arcsec，典型值为700arcsec。 通过对不同分子束强度Ⅲ／V比生长的外延层的表面形貌、生长速率和PL谱等的测试分析，确定了RF Plasma MBE生长GaN的优化生长条件，为以后的GaN掺杂和器件结构材料外延等工作提供了材料生长基础。深入研究了Ⅲ／V比对于GaN光致发光性质的影响，发现富Ga条件生长的GaN的PL半峰宽比富N样品更窄，说明富Ga的GaN结晶质量较好。随着Ⅲ／V比增加，GaN带边峰往高能方向移动。富Ga条件生长的GaN出现黄带发光，其可能与GaN中生成能最低的V_N和V_(Ga)等缺陷态有关。 采用RF Plasma MBE方法进行了GaN的Mg掺杂，研究了Mg掺杂温度、分子束强度Ⅲ／V比、生长温度等生长条件对于p型GaN电学和发光特性的影响，对于其中影响发光性质的有关缺陷和杂质态进行了探讨。研究了DAP、D~+X、YL等发光峰随温度和Mg掺杂浓度的演变，并对其机理进行了分析。研究发现，DAP发光峰与Mg的掺杂浓度有一定的关系，在Mg轻掺和适度掺杂时，DAP复合占据PL谱的主导地位；当Mg重掺杂导致明显的自补偿效应时，DAP发光峰变弱，并且出现了黄带发光；随着分子束强度Ⅲ／V比增加，发光峰发生蓝移，空穴浓度相应增加；随生长温度的升高，空穴浓度也相应增加。 对于GaN材料的共掺技术进行了初步研究，采用Mg和Si对GaN进行了共掺杂，获得了p型电导的GaN，结合ADA模型分析了共掺效果，对于GaN共掺效应研究的进一步开展有指导意义。 采用RF Plasma MBE技术生长了Al_xGa_(1-x)N、InN和掺Si的GaN。在AlGaN的生(本文来源于《中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）》期刊2006-05-12）
曾兆权[3]（2004）在《射频等离子体辅助分子束外延（rf-MBE）制备高质量ZnO薄膜研究》一文中研究指出本文的工作主要是利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-MBE)系统研究如何在大失配的蓝宝石(0001)衬底上制备出高质量的ZnO单晶外延薄膜。研究发现，用以下叁个方案可以在蓝宝石(0001)衬底上制备出高质量的ZnO单晶外延薄膜。 1．对蓝宝石(0001)衬底进行O等离子体预处理之后，沉积一层很薄的金属Ga浸润层对衬底原子结构进行修正，然后在该浸涧层上外延ZnO薄膜。实验发现，Ga薄层的引入完全抑制了导致ZnO薄膜质量下降的旋转畴和倒反畴的形成。反射式高能电子衍射(RHEED)原位观察以及高分辨X射线衍射(HRXRD)、透射式电子显微法(TEM)和会聚束电子衍射(CBED)测试表明，该薄膜具有很高的晶体质量和单一Zn极性。本文详细讨论了Ga浸润层在ZnO薄膜的极性选择以及缺陷密度的减少等方面所起的作用，并通过一个双层Ga原子模型分析了单一Zn极性生长的机理。 2．对蓝宝石(0001)衬底进行O等离子体预处理之后，先生长MgO缓冲层，再生长ZnO薄膜。RHEED原位观察和HRXRD测试表明没有旋转畴的存在，该薄膜为单一O极性。本文详细讨论了MgO缓冲层在提高ZnO外延薄膜质量以及极性选择等方面所起的作用。 3．对蓝宝石(0001)衬底进行N化后，在蓝宝石表面生成一AIN薄层之后外延ZnO薄膜。AIN薄层的形成可以从清晰的RHEED图案得到证实。AIN薄层对ZnO在蓝宝石上的外延起到了重要的作用，晶格失配由18.4％(ZnO(0001)和蓝宝石(0001)之间)降到4.5％(ZnO(0001)和AIN(0001)之间)。在AIN薄层和ZnO薄膜中都没有旋转畴的存在，而且，衬底N化工艺还可以控制薄膜的极性。最后，本文也讨论了AIN薄层在高质量ZnO薄膜外延中所起的作用。 总之，我们已经发展了叁个在蓝宝石(0001)衬底上制备高质量的ZnO薄膜的工艺技术，也研究了衬底表面修正和缓冲层对旋转畴和倒反畴的抑制作用，为ZnO基光电子器件的研制奠定了坚实的基础。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2004-03-01）
赵智彪,齐鸣,朱福英,李爱珍[4]（2002）在《射频等离子体分子束外延GaN的极性研究》一文中研究指出对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2002年04期）
杨冰,蒲以康,孙殿照[5]（2002）在《射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用》一文中研究指出研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱。用非接触式测量方法———光谱法测定了等离子体特性。讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光光谱变化之间的联系 ,薄膜生长与等离子体内活性粒子之间的关系(本文来源于《真空科学与技术》期刊2002年02期）
射频等离子分子束外延论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
Ⅲ-N材料及其掺杂特性尤其是p型材料的性质，是影响其在电子和光电器件应用方面的主要因素。本论文内容围绕GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究展开。以探讨和解决高温微波器件用Ⅲ-N基材料的关键科学和技术问题为目标，重点对GaN材料特性及掺杂行为进行了深入的物理研究，取得了以下主要研究结果： 用RF Plasma MBE生长技术，通过对Ga束流清洗、高温氮化和低温缓冲层生长等工艺的优化，在白宝石衬底上外延GaN，获得了GaN的叁维成核二维生长的生长模式。所得GaN材料XRD曲线半峰宽最佳值为560arcsec，典型值为700arcsec。 通过对不同分子束强度Ⅲ／V比生长的外延层的表面形貌、生长速率和PL谱等的测试分析，确定了RF Plasma MBE生长GaN的优化生长条件，为以后的GaN掺杂和器件结构材料外延等工作提供了材料生长基础。深入研究了Ⅲ／V比对于GaN光致发光性质的影响，发现富Ga条件生长的GaN的PL半峰宽比富N样品更窄，说明富Ga的GaN结晶质量较好。随着Ⅲ／V比增加，GaN带边峰往高能方向移动。富Ga条件生长的GaN出现黄带发光，其可能与GaN中生成能最低的V_N和V_(Ga)等缺陷态有关。 采用RF Plasma MBE方法进行了GaN的Mg掺杂，研究了Mg掺杂温度、分子束强度Ⅲ／V比、生长温度等生长条件对于p型GaN电学和发光特性的影响，对于其中影响发光性质的有关缺陷和杂质态进行了探讨。研究了DAP、D~+X、YL等发光峰随温度和Mg掺杂浓度的演变，并对其机理进行了分析。研究发现，DAP发光峰与Mg的掺杂浓度有一定的关系，在Mg轻掺和适度掺杂时，DAP复合占据PL谱的主导地位；当Mg重掺杂导致明显的自补偿效应时，DAP发光峰变弱，并且出现了黄带发光；随着分子束强度Ⅲ／V比增加，发光峰发生蓝移，空穴浓度相应增加；随生长温度的升高，空穴浓度也相应增加。 对于GaN材料的共掺技术进行了初步研究，采用Mg和Si对GaN进行了共掺杂，获得了p型电导的GaN，结合ADA模型分析了共掺效果，对于GaN共掺效应研究的进一步开展有指导意义。 采用RF Plasma MBE技术生长了Al_xGa_(1-x)N、InN和掺Si的GaN。在AlGaN的生
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
射频等离子分子束外延论文参考文献
[1].杨广武.射频等离子体辅助分子束外延生长高质量Zno薄膜研究[D].天津工业大学.2007
[2].隋妍萍.GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）.2006
[3].曾兆权.射频等离子体辅助分子束外延（rf-MBE）制备高质量ZnO薄膜研究[D].曲阜师范大学.2004
[4].赵智彪,齐鸣,朱福英,李爱珍.射频等离子体分子束外延GaN的极性研究[J].功能材料与器件学报.2002
[5].杨冰,蒲以康,孙殿照.射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用[J].真空科学与技术.2002
论文知识图
