氮化铝粉体制备技术的研究进展

论文摘要

氮化铝(AlN)因具备优良的理化性能,目前已被广泛应用于微电子及半导体器件的基板和封装领域中,同时在功率器件、深紫外LED及半导体衬底方面也具有广阔发展前景。AlN粉体作为AlN产品的主要原料是决定其性能的关键因素。在对AlN的结构与性能综合分析基础上,系统介绍了当前AlN粉体制备技术的研究进展和应用现状,同时对各制备工艺的特点进行了分析探讨。指出在微米AlN粉体制备方面,碳热还原法和直接氮化法仍具有明显优势,而化学气相沉积法和等离子体法则在纳米AlN粉体制备方面具有良好的应用前景。获得更高纯度、粒度可控、形貌均匀分散的粉体是AlN制备技术的研究方向。

论文目录

• 0 引言
• 1 AlN的结构及性能
• 2 AlN粉体制备技术
•   2.1 碳热还原法
•   2.2 直接氮化法
•   2.3 自蔓延烧结法
•   2.4 化学气相沉积法
•   2.5 等离子体法
•   2.6 其他工艺
• 3 结语

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 蒋周青,刘玉柱,薛丽青,刘荣辉,刘元红,李楠

关键词: 粉体,制备工艺,纳米粉体,基板材料,碳热还原法

来源: 半导体技术 2019年08期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备

单位: 有研科技集团有限公司稀土材料国家工程研究中心,有研科技集团有限公司有研稀土新材料股份有限公司

基金: 国家重点研发计划资助项目(2016YFB0701003)

分类号: TQ133.1;TB383.3

DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.08.001

页码: 577-582+589

总页数: 7

文件大小: 273K

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