后退火对射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga2O3薄膜性质的影响

论文摘要

本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga2O3薄膜的性质变化。XRD结果表明,退火后的（004）、（■）和（120）峰从无到有,（401）、（■）和（■）峰由强变弱,表明退火改变了Mg掺杂Ga2O3薄膜的结构。AFM结果表明,退火后的薄膜表面均方根粗糙度由1.3637nm增大到17.1133nm。EDS结果表明,退火处理后的Mg元素重量百分比有所提高。紫外可见透射光谱研究表明,退火前薄膜在200-1500nm波长范围内的平均光透过率较低,大约为80%,退火后平均光透过率明显提高到90%以上,此外薄膜光学吸收边蓝移,带隙宽度变大,表明退火有助于改善薄膜结构,增强光透性。光致发光谱实验结果表明,相比较退火处理后的薄膜,退火前的光致发光峰几乎可以忽略不计,这说明退火可显著改变Mg掺杂Ga2O3薄膜的光致发光特性。

论文目录

• 1 实验
• 2 结果与讨论
•   2.1 退火对Mg掺杂Ga2O3薄膜结构的影响
•   2.2 退火对Mg掺杂Ga2O3薄膜形貌特性的影响
•   2.3 退火对掺杂Ga2O3薄膜化学成分的影响
•   2.4 退火对Mg掺杂Ga2O3薄膜光学性质的影响
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 李如永,段苹,崔敏,王吉有,原安娟,邓金祥

关键词: 后退火,薄膜,掺杂薄膜,光透过率,带隙宽度,光致发光谱

来源: 真空 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 北京工业大学应用数理学院

基金: 国家自然科学基金资助项目(60876006,60376007),北京市教育委员会科技计划重点资助项目(KZ201410005008)

分类号: TB383.2

DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.03.08

页码: 37-40

总页数: 4

文件大小: 1596K

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