论文摘要
CLLB:Ce （Cs2LiLaBr6:Ce）晶体是新近发现的一种稀土卤化物闪烁晶体,该晶体的γ射线探测性能非常接近LaBr3:Ce晶体,其中子探测综合性能好于目前常见的商用LiI晶体等材料,而且可以用作中子/γ射线双读取材料。本文用坩埚下降法生长了CLLB晶体,发现过量LiBr对该晶体生长非常关键,晶体毛坯的不同部位组成有明显差别,LiBr过量50mol%时单晶产率明显提高并得到了ф25×40mm的高质量CLLB:Ce单晶,晶体的发射峰分别位于393nm和422nm,分别对应Ce3+的5d→4f12F5/2和5d→4f12F7/2发射,加工后的晶体光输出约为LaBr3:Ce晶体的80%,在137Cs的662keV处的能量分辨率达4%,其发光衰减有121ns的一个快分量和849ns的一个慢分量,显示出了广阔的应用前景。
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文章来源
类型: 国际会议
作者: 林佳,魏钦华,秦来顺,史宏声
关键词: 晶体,双读取,坩埚下降法,过量,能量分辨率
来源: 第九届国际稀土开发与应用研讨会暨2019中国稀土学会学术年会 2019-05-15
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 物理学,化学,化学
单位: 中国计量大学材料学院
分类号: O782;O734
页码: 217
总页数: 1
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