导读:本文包含了无铅压电论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:无铅,陶瓷,性能,电学,结构,热稳定性,物性。
无铅压电论文文献综述
项光磊,周静,张华章,沈杰[1]（2019）在《CaZrO_3改性KNN基无铅压电陶瓷结构与电学性能研究》一文中研究指出通过固相反应法制备(1-x)(K_(0.48)Na_(0.52))_(0.96)Li_(0.04)(Nb_(0.96)Sb_(0.04))O_3-xCaZrO_3(KNN-xCaZrO_3)无铅压电陶瓷,获得了正交-四方(O-T)多晶共存相。结果表明:未经改性的KNN基陶瓷为正交相,CaZrO_3引入后出现了四方相,体系的压电性能也得到了改善;随着CaZrO_3含量的增加,四方相含量增加。在x=0.03～0.04范围内,O-T两相共存,并且在x=0.03时陶瓷具有优异的压电性能:d_(33)=252 pC/N,k_p=0.55。当x=0.06时,陶瓷为贋立方相结构,性能急剧恶化。CaZrO_3的引入使KNN正交-四方相变温度(T_(O-T))向室温偏移,同时也降低了居里温度(T_C),室温附近O-T相界共存,促进畴壁运动,是压电性能得以提高的根本原因。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2019年11期）
李萌,姜蕾,卢梦瑞,谈论,王钊[2]（2019）在《铌酸钾钠无铅压电纳米棒阵列的自供电紫外敏感特性研究》一文中研究指出采用水热合成技术生长铌酸钾钠(KNN)纳米棒阵列,研究KNN纳米棒阵列的压电响应、光吸收特性和紫外光辐照下的压电发电性能.结果表明,在190℃的水热反应下,可在[100]取向的钛酸锶单晶衬底上生长出沿正交相[110]取向的KNN纳米棒阵列.单根KNN纳米棒的径向压电常数约为56 pm/V.此外,KNN纳米棒阵列对360 nm以下的紫外光具有较强吸收,且吸收峰位于245 nm处.将纳米棒阵列进行封装,可构成垂直结构的压电发电器件.在作用力为8 N、频率为3 Hz的垂直敲击作用下,纳米棒阵列在黑暗环境中可产生峰峰值为8.11 V的交流脉冲电压,且输出电压峰峰值会随器件所受紫外辐照的波长和功率的变化而发生改变,呈显着自供电的紫外光敏特性.其中,当光功率为0.25 mW/cm~2、紫外光波长从310 nm降低至265 nm时,器件输出电压峰峰值由7.87 V降低至7.64 V.当紫外光波长为310 nm,光功率提高至3.25 mW/cm~2时,器件峰峰值降低至7.54 V.KNN纳米棒阵列这种自供电紫外敏感特性,可归因于紫外光照射下KNN纳米棒中光生载流子在压电势作用下的重新分布对压电势的屏蔽效应所致.(本文来源于《湖北大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
徐香新,邢鹏飞[3]（2019）在《(1-x)(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3-x(Ba_(0.88)Ca_(0.12)Zr_(0.12)Ti_(0.88)O_3)无铅压电陶瓷的制备及性能研究》一文中研究指出介绍了一种利用传统固态烧结法制作的无铅压电陶瓷(1-x)(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3-x(Ba_(0.88)Ca_(0.12)Zr_(0.12)Ti_(0.88)O_3)((1-x)KNN-xBCZT)。(1-x)KNN-xBCZT是由KNN和BCZT形成的均匀固溶体。随着BCZT浓度的增加,(1-x)KNN-xBCZT的T_c和四方相-正交相的相变温度呈近似直线方式下降。相变温度的降低,有助于提升固溶体的电性能,当x=0.055时(1-x)KNN-xBCZT陶瓷性能达到最优。MnO_2助烧剂可以进一步降低(1-x)KNN-xBCZT陶瓷的相变温度,使(1-x)KNN-xBCZT陶瓷更为致密。0.055BCZT-0.945KNN-0.01MnO_2陶瓷展现出的性能为d_(33)=212 pC/N,d_(31)=-75 pC/N,k_p=45%,ε=875,tanδ=0.02和T_C=340℃,T_(O-T)=127℃。(本文来源于《功能材料》期刊2019年10期）
陈小明,谢应松,罗海奇,廖运文,肖定全[4]（2019）在《铁掺杂Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3基无铅压电陶瓷的微结构与电学性能》一文中研究指出采用传统陶瓷工艺制备0.855Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-0.12K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-0.025BaTiO_3+x%Fe_2O_3(x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.0)(简写BNKBTF-x)无铅压电陶瓷。通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等分析测试,研究Fe掺杂对BNKBTF-x陶瓷体系的晶相结构、微观形貌和电学性能的影响。研究表明:当Fe含量少于质量分数1.5%时,BNKBTF-x陶瓷呈现单一的钙钛矿结构,而当Fe含量在质量分数1.5%以上时,有杂相的存在。随着Fe含量的增加,陶瓷晶粒逐渐增大。当Fe含量达到质量分数1.5%时有长方晶形出现。当Fe含量在质量分数0.1%附近时陶瓷的致密性得到改善,BNKBTF-0.3陶瓷综合性能最佳:d_(33)=161 pC/N,K_P=0.29,ε_r=1153,tanδ=0.034,Q_m=108。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年10期）
罗翠线,魏文伯[5]（2019）在《无铅BaTiO_3/GO/PDMS复合的柔性叉指式压电发电机的设计与试验》一文中研究指出传统的压电振动发电机具有工作频带窄,压电陶瓷易碎且含铅等缺陷,无法满足当前微型传感器件可穿戴、小型化、便携式等要求。本文制备了一种高性能的钛酸钡/石墨烯/聚二甲基硅氧烷(BaTiO_3/GO/PDMS)叁元无铅压电复合薄膜。GO材料的比表面较大且流动性较强,在铁电材料中易形成微电容从而提高复合薄膜的压电性能。当BaTiO_3/GO/PDMS复合薄膜中GO质量分数为0.6wt%时,复合薄膜的介电常数和导电率分别为185和8.5×10-5 S/m。BaTiO_3/GO/PDMS复合薄膜的剩余极化强度值为13.47μC/cm2,比未添加GO材料时提高了28%。所制备的BaTiO_3/GO/PDMS叁元复合薄膜发电机的最大输出电压达7.71V,是BaTiO_3/PDMS二元复合薄膜发电机的2.78倍。将BaTiO_3/GO/PDMS复合柔性纳米薄膜应用于非对称叉指式压电拾振结构,填充GO后非对称叉指式拾振结构的输出电压明显增加,拾振结构的-3dB带宽由未填充GO时的8.7 Hz增加到填充GO后的11.2 Hz。所提出的BaTiO_3/GO/PDMS无铅复合柔性压电纳米发电机在柔性能量采集拾振结构方面具有巨大的应用前景。(本文来源于《光学精密工程》期刊2019年09期）
晏伯武[6]（2019）在《KNN基无铅压电陶瓷材料制备的研究进展》一文中研究指出碱金属铌酸盐系的(K,Na)NbO_3(KNN)因其具有高压电常数(d_(33)),高机电耦合系数,高品质因数及高居里温度(T_C)而成为无铅压电材料研究的热点。为了探索高性能KNN无铅压电陶瓷材料制备及应用,该文综述了其相关制备工艺、性能特点,重点阐述了KNN系无铅压电材料的掺杂、烧结、极化及其对性能的影响,指出了KNN无铅压电陶瓷的掺杂改性及工艺优化研究是其有效的研究方向。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年04期）
程丽乾,徐泽,王轲[7]（2019）在《不同氧化物掺杂对KNN无铅压电陶瓷性能的影响》一文中研究指出为了获得压电性能高、稳定性好的无铅压电材料,利用传统固相烧结法制备(Na_(0. 5)K_(0. 5)) NbO_3-(Bi_(0. 5)Li_(0. 5))TiO_3-BaZrO_3(简称KNN-BLT-BZ)无铅压电陶瓷。通过掺杂不同的氧化物,研究了不同氧化物掺杂对KNN-BLT-BZ无铅压电陶瓷性能的影响。实验表明,利用Ni_2O_3进行掺杂所得陶瓷的压电及铁电等性能最优:d_(33)=265 p C/N,Q_m=109,k_p=0. 34,tanδ=0. 026,P_r=22. 4μC/cm~2,E_c=1. 37 k V/mm,并且具有较高的居里温度(253℃); Fe_2O_3掺杂则可以明显提高陶瓷应变,促进晶粒长大,提高Q_m、d_(33)和室温下ε_r,降低室温下介电损耗; ZnO掺杂会降低压电陶瓷介电损耗,提高损耗的温度稳定性;掺杂Ag_2O后会使陶瓷烧结温度提高。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2019年06期）
马晨宇,马春林,翟章印,程菊,周越[8]（2019）在《Sm~(3+)掺杂Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3无铅压电陶瓷的发光性能及热稳定性研究》一文中研究指出采用传统的固相烧结法,制备了一系列的Sm~(3+)掺杂Na_(0. 5)Bi_(0. 5)TiO_3无铅压电陶瓷(NBT∶x Sm~(3+),0. 005≤x≤0. 04)。利用X射线衍射仪和荧光分光光度计分别对NBT∶x Sm~(3+)陶瓷样品的物相结构和光致发光性能以及热稳定性进行了分析。结果表明,所有样品均为纯的叁方钙钛矿结构。样品的激发光谱在480 nm有很强的激发峰,与蓝光LED芯片匹配。发射光谱包含位于563 nm、597 nm、645 nm、709 nm处的四个发射峰,分别归属于Sm~(3+)的4G5/2→6HJ/2(J=5、7、9、11)跃迁,其中发射主峰位于597 nm,呈现橙红色发光。当Sm~(3+)含量为0. 02 mol时发光性能最佳。当温度范围在30～210℃之间时,NBT∶0. 02Sm~(3+)陶瓷样品的发光性能具有良好的热稳定性。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年06期）
朱红微[9]（2019）在《滤波器用铌酸钾钠基无铅压电陶瓷配方与工艺的研究》一文中研究指出目前来说,铅基压电陶瓷在市场上被广泛应用于各个领域,但由于其含铅量过高,不仅对环境造成污染,还会对人体造成一定的伤害。因此研究无铅压电陶瓷有着重要的社会意义。在无铅压电材料中,K_xNa_((1-x))NbO_3(KNN)压电陶瓷具有优异的压电性能和较高的居里温度。滤波器一般要求合适的机电耦合系数和合适的机械品质因数,增强选择性。此外,较高的机电耦合系数k_p和压电常数d_(33)可以使滤波器多样化。本文将通过组元引入以及离子掺杂两种方式对0.94K_(0.48)Na_(0.52)NbO_3-0.06LiSbO_3(0.94KNN-0.06LS)进行改性,具体情况如下:(1)以0.94K_(0.48)Na_(0.52)NbO_3-0.06LiSbO_3(0.94KNN-0.06LS)为基,引入元素铋和锰(Bi_2O_3和MnO_2,简称BM),制备得到(0.94-x)KNN-0.06LS-xBM陶瓷。对其相结构、微观形貌、压电和介电性能、弛豫行为以及铁电性能进行研究。通过研究表明,掺杂BM后样品均是单一的钙钛矿结构,当x=0.2%时,陶瓷具有最佳的电学性能:d_(33)=240pC/N,k_p=54.3%,ε_r=1659,tanδ=1.74%,Q_m=79,T_c=342℃,γ=1.6024,E_c=12.75kV/cm,P_r=17.25μC/cm~2。陶瓷的电学性能得到了明显的提升,介电弛豫行为有所增强,居里温度在320℃以上,并且稳定性较好。(2)以0.94K_(0.48)Na_(0.52)NbO_3-0.06LiSbO_3(0.94KNN-0.06LS)为基,引入元素铋和铁(Bi_2O_3和Fe_2O_3,简称BF),制备得到(0.94-x)KNN-0.06LS-xBF陶瓷,并研究对压电陶瓷相结构、微观形貌、压电性能以及介电性能等方面的影响。研究发现掺杂BF可以促进晶粒长大,改善电学性能。当掺杂量x=0.3%时,陶瓷具有最佳的电学性能:d_(33)=285pC/N,k_p=54%,ε_r=2185,tanδ=0.019,Q_m=66,T_c=340°C,γ=1.4732,E_c=17.76kV/cm,P_r=21.48μC/cm~2。结果表明,该陶瓷具有作为高温低频滤波器的潜力。(3)以0.94KNN-0.06LS为基,引入前驱体微米级BiFeO_3(BFO)和纳米级BiFeO_3(BFO),制备得到(0.94-x)KNN-0.06LS-xBFO陶瓷,研究压电陶瓷相结构、微观形貌、压电性能以及介电性能等方面的影响。微米级BiFeO_3(BFO)掺杂改性后,当掺杂量x=0.5%时,陶瓷具有最佳的电学性能:d_(33)=275 pC/N,k_p=53.3%,ε_r=1689,tanδ=1.9%,Q_m=44,T_c=317℃,γ=1.8006,E_c=12.9kV/cm,P_r=18.55μC/cm~2。当纳米级BiFeO_3(BFO)掺杂改性后,当掺杂量x=0.3%时,压电陶瓷综合性能最佳:d_(33)=260 pC/N,k_p=53.1%,ε_r=1537,tanδ=1.76%,Q_m=37,T_c=335℃,γ=1.5955,E_c=15.61kV/cm,P_r=19.33μC/cm~2。(4)以前期研究的0.937KNN-0.06LS-0.003BF为基础配方,研究Co_2O_3掺杂对相结构、微观形貌、压电和介电性能、弛豫行为以及铁电性能的影响。结果表明,当掺杂量x=0.4%时陶瓷具有最佳的综合电学性能,d_(33)=265 pC/N,k_p=53%,ε_r=1587,tanδ=2.1%,Q_m=39,T_c=360℃,γ=1.4206,E_c=13.46kV/cm,P_r=19.89μC/cm~2。(本文来源于《贵州大学》期刊2019-06-01）
姚卫增[10]（2019）在《铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备与物性的研究》一文中研究指出压电陶瓷是一类可实现电能与机械能之间相互转换的功能材料,具有很大的应用价值。Pb(Zr,Ti)O_3(简称PZT)基陶瓷因具有优异的压电性能和温度稳定性被广泛的应用于传感器、驱动器、超声换能器等各种压电器件中。然而,PZT基陶瓷中含有大量易挥发且有毒的铅元素,越来越多的国家颁布了相关的法令法规来限制含铅物质的使用。因此,开展环境友好型的无铅压电陶瓷材料的研究是一项紧迫而有实际意义的课题。(K,Na)NbO_3(简称KNN)基压电陶瓷作为一类非常有潜力替代传统PZT基陶瓷的无铅压电陶瓷材料,近年来受到了广泛的关注。纯的KNN陶瓷具有较高的居里温度、良好的温度稳定性和优异的热稳定性。然而,相比于PZT基陶瓷,KNN陶瓷还存在着两个方面的问题。第一,因为具有较低的熔点和高挥发性的碱金属元素等缺点,很难通过传统的烧结方式制备出高致密度、高品质、高重复性的KNN陶瓷。第二,KNN陶瓷的压电性能偏低,普通烧结方式制备的KNN陶瓷室温下的压电常数d33和平面机电耦合系数k_p分别约为125 pC/N和40%,因而多数情况下不足以替代PZT陶瓷进行实际应用。为此,多年来国内外的研究者们一直致力于这两方面的改善研究。2004年,日本学者Saito等人在Nature上报道了一组Li、Ta、Sb共掺、织构的KNN陶瓷,其压电常数d33达到了416 pC/N。该报道在世界各地引起了巨大的反响。随后进行的大量的掺杂改性研究发现,室温下所观察到的改性KNN基陶瓷的优异压电性能主要是由于离子掺杂使正交-四方相变温度下降至室温附近的现象所致,但这也造成了较差的温度稳定性。最近,四川大学制备了室温下具有菱形-四方相界的KNN基陶瓷,其压电常数最高值达到了 570 pC/N,引起了广泛的关注。然而,随后的研究发现一些KNN基陶瓷的最佳性能并非出现在菱形-四方相界,而是菱形-正交-四方叁相共存区域。因此,有关此类KNN基陶瓷中强压电性能的结构起源及温度稳定性等问题还有待研究。在KNN基陶瓷的制备方面,研究人员曾尝试了多种烧结方式。例如,早在1962年,Jaeger等人就利用热压烧结方式制备出了相对密度高达99%的KNN陶瓷,并将压电常数d33和平面机电耦合系数k_p分别提高到了 160 pC/N和0.45。这说明热压烧结是一种有效地提高KNN陶瓷的致密度和压电性能的烧结方式。然而,除了前述的这一研究报道外,几十年来再未见有利用热压烧结方式制备KNN基陶瓷的研究报道。此外,两步烧结技术作为一种比较新兴的烧结方式,已经广泛应用于制备高密度的纳米氧化物材料(如Y_2O_3、ZnO和Al_2O_3等)中。但有关利用两步烧结方式制备KNN基陶瓷的研究报道还比较少。在上述的研究背景下,本学位论文主要开展了关于铌酸钾钠基无铅压电陶瓷在制备、微结构和物性方面的研究。主要研究内容和结果如下:一、考察了原料的颗粒度与极化条件对KNN基陶瓷的压电性能的影响。研究发现:利用原料预球磨的方式可以有效地降低原料的颗粒度,从而提高原料混合的均匀程度和Li掺杂KNN基陶瓷的压电性能;证实了极化的最佳条件为“在相变点附近、施加5倍矫顽场以上的电场极化30min”。作者在实验中注意到各原料的微观形貌差别较大,多数常用原料的颗粒度基本都在1 μm以下,然而Li_2CO_3原料粉末的颗粒尺寸高达20 μm,远大于其他原料的颗粒尺寸。利用原料单独预球磨的方式可以将Li_2CO_3粉末的颗粒尺寸下降到2 μm左右。各原料进行通常的一次球磨、混合后,经过预球磨处理的原料混合物粉体的颗粒度比未经处理的原料混合物料体的颗粒度更小、分散更均匀。利用预球磨的原料所制备的(K_(0.45)Na_(0.55))_(0.98)Li_(0.02)Nb_(0.76)Ta_(0.18)Sb_(0.06)O_3(简写为 KNNLTS)陶瓷的压电常数d33的最大值从345 pC/N提高到了 393 pC/N。在微观形貌和电畴结构方面,不管是否利用原料预球磨的方式,KNNLTS陶瓷都呈现明显的双峰晶粒分布,而且电畴图案主要由简单的平行条纹构成。一、利用热压烧结方式制备了致密的(K_(0.45)Na_(0.55_)_(0.98)Li_(0.02)Nb_(0.82-x)Ta_(0.18)Sb_xO_3(x=0.025和0.06,简写为KNNLTS_(0.025)和KNNLTS_(0.06))陶瓷,探究了热压烧结中烧结条件和退火条件对KNNLTS_(0.025)和KNNLTS_(0.06)陶瓷的压电性能、介电性能、晶相结构和微观形貌的影响。在均匀的大晶粒热压陶瓷中获得了优异的压电性能,其压电常数d33的最大值从普通烧结的393 pC/N提高到了414 pC/N。发现了“热压烧结方式可以大幅度地提高KNNLTS陶瓷的正交-四方相变温度TO-T,并且后续的退火处理还可以增高To-T”和“热压陶瓷特别容易出现晶粒异常生长”的物理现象。热压烧结的KNNLTS_(0.025)陶瓷的正交-四方相变温度TO-T从普通烧结陶瓷的50℃提高到了 90℃(提升幅度达40℃),后续的退火处理使TO-T进一步增高到112℃。根据介电温谱、XRD分析和微观结构观察,推测热压烧结陶瓷所呈现出的这种异常的相变行为的现象主要是由内应力和晶粒尺寸效应所引起的。在KNNLTS_(0.06)陶瓷的热压烧结中,发现微观组织结构对热压烧结的温度和保温时间都非常敏感,在较高的温度或较长的时间下陶瓷主要为大晶粒分布。叁、分别利用两步烧结方式和普通烧结方式制备了 KNNLTS_(0.06)陶瓷,探究了烧结方式和烧结条件对KNNLTS_(0.06)陶瓷的介电性能、压电性能、铁电性能、微观形貌以及电畴结构的影响。发现KNNLTS_(0.06)陶瓷的室温物性和微观结构随烧结方式和烧结条件的改变而有较大的差异,晶粒均匀且致密的微观结构和阶层式纳米电畴是KNNLTS_(0.06)陶瓷的压电性能提高的关键。两步烧结方式可以提高KNNLTS_(0.06)陶瓷的密度,相对密度从普通烧结的94.8%提高到了 97.2%,相应的压电常数d33从393 pC/N提高到了455 pC/N。普通烧结陶瓷的晶粒呈明显的双峰晶粒分布,小晶粒的尺寸在1μm以下,大晶粒的平均晶粒尺寸约在3.6 μm左右。而在两步烧结制备的陶瓷中,随着保温时间的延长,KNNLTS_(0.06)陶瓷的微观形貌从双峰晶粒分布逐渐变为了均匀的大晶粒分布。在平均晶粒尺寸为12.1 μm的KNNLTS_(0.06)-TSS陶瓷中获得了优异的压电性能:d33=455 pC/N、k_p=0.54、k33= 0.67。与普通烧结中性能最佳的KNNLTS_(0.06)-CS陶瓷对比,除了都有正交-四方相变的贡献外,KNNLTS_(0.06)-TSS陶瓷还具有较高的密度、较大的介电常数和较大的剩余极化强度,而这些又源于该陶瓷具有晶粒均匀且致密的微观组织结构和独特的电畴结构,特别是在较宽的带状平行条纹结构中出现的更加细小的平行条纹结构,即阶层式纳米电畴。四、制备了(0.994-x)(K_(0.4)Na_(0.6))Nb_(0.965)Sb_(0.045)O_3-0.006BiFeO_(3-x)Bi_(0.5)Na_(0.5)ZrO_3(简写为KNNS-BF-xBNZ)陶瓷,考察了 BNZ含量对KNNS-BF-xBNZ组分陶瓷的介电性能、压电性能、晶相结构、微观形貌和电畴结构的影响,同时探讨了此类陶瓷中强压电性能的起源。研究发现:(1)随着Bi_(0.5)Na_(0.5)ZrO_3(BNZ)含量的增加,KNNS-BF-xBNZ陶瓷的正交-四方相变温度TO-T和居里温度TC逐渐下降,然而菱形-正交相变温度TR-O则基本保持不变,这与不掺杂Sb元素的KNN体系中TR-O相变温度逐渐升高的变化明显不同。(2)室温下构建了菱形-正交-四方叁相共存结构,并在x = 0.03的陶瓷中获得了最佳的压电性能:d_(33) = 550 pC/N、p=0.52、k_t=0.46、k_(33)=0.64,这一压电常数值达到了目前非织构型KNN基陶瓷的最高水平。而且本论文所得到的“在菱形-正交-四方叁相共存附近具有最佳的压电性能”的结果明显不同于早先所报道的菱形-四方相界处性能最佳的结论。(3)通过XRD理论拟合,分析了各组分陶瓷的晶相结构以及各个晶相在叁相共存结构中的比例,x= 0.03时菱形相、正交相和四方相的比例分别为:20.4%、50.9%和28.7%。(4)KNNS-BF-xBNZ组分陶瓷的晶粒普遍较大,并随着BNZ含量的增加,晶粒尺寸逐渐变得相对均匀。陶瓷的电畴图案相对简单,主要由一组或几组横穿大半个晶粒甚至贯穿整个晶粒的平行条纹组成。值得注意的是,x= 0.03的陶瓷中,在较宽的带状平行条纹中还存在着更为细小的纳米平行条纹畴,电畴宽度约为65 nm左右。这些纳米电畴对陶瓷的压电性能起着至关重要的作用。(5)KNNS-BF-0.03BNZ陶瓷不仅具有优异的压电性能(d_(33)=550 pC/N、k=0.52),还具有良好的热老化稳定性和经时稳定性。五、利用两步烧结方式制备了室温下具有菱形-四方相变结构的0.95K_(0.575)Na_(0.425)Nb_(0.965)Sb_(0.035)O_3-0.02BaZrO_3-0.03Bi_(0.5)K_(0.5)HfCO_3陶瓷,获得的最大压电常数值为530 pC/N。考察了该陶瓷在菱形-四方相界附近的电畴结构和温度稳定性。研究发现,该陶瓷具有较为致密的微观结构和简单的电畴图案。平均晶粒尺寸约为7.8 μm,极化后的电畴图案主要为平行长条纹结构,电畴宽度为160～400 nm。然而,该陶瓷在高于相变点的四方相存在较差的温度稳定性、热老化稳定性和经时稳定性。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-26）
无铅压电论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用水热合成技术生长铌酸钾钠(KNN)纳米棒阵列,研究KNN纳米棒阵列的压电响应、光吸收特性和紫外光辐照下的压电发电性能.结果表明,在190℃的水热反应下,可在[100]取向的钛酸锶单晶衬底上生长出沿正交相[110]取向的KNN纳米棒阵列.单根KNN纳米棒的径向压电常数约为56 pm/V.此外,KNN纳米棒阵列对360 nm以下的紫外光具有较强吸收,且吸收峰位于245 nm处.将纳米棒阵列进行封装,可构成垂直结构的压电发电器件.在作用力为8 N、频率为3 Hz的垂直敲击作用下,纳米棒阵列在黑暗环境中可产生峰峰值为8.11 V的交流脉冲电压,且输出电压峰峰值会随器件所受紫外辐照的波长和功率的变化而发生改变,呈显着自供电的紫外光敏特性.其中,当光功率为0.25 mW/cm~2、紫外光波长从310 nm降低至265 nm时,器件输出电压峰峰值由7.87 V降低至7.64 V.当紫外光波长为310 nm,光功率提高至3.25 mW/cm~2时,器件峰峰值降低至7.54 V.KNN纳米棒阵列这种自供电紫外敏感特性,可归因于紫外光照射下KNN纳米棒中光生载流子在压电势作用下的重新分布对压电势的屏蔽效应所致.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
无铅压电论文参考文献
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