导读:本文包含了深亚微米论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:效应,环形,模型,剂量,载流子,多晶,掉电。
深亚微米论文文献综述
薛海卫,张猛华,杨光安[1]（2019）在《深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟》一文中研究指出为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行叁维建模仿真。选取γ剂量率在1×10~8～1×10~(10) (Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×10~9 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。(本文来源于《电子技术应用》期刊2019年12期）
张猛华,薛海卫,于宗光,张继,陈振娇[2]（2019）在《基于深亚微米的低成本高可靠BOD电路》一文中研究指出经常在MCU等应用系统中遇到系统电源电压出现欠压或意外掉电的情况,导致MCU的程序"跑飞"或丢失重要的数据。为了尽量避免这些情况的出现,掉电检测电路能够检测到系统供电电源异常,以提高系统的抗干扰能力和稳定性。提出一种基于180 nm工艺设计的掉电检测电路,具有结构简单、工作稳定可靠、版图面积小的优点,可集成在MCU等微处理器内部,实现对系统电源电压监测,减少系统的外围器件,降低系统成本。该电路结构可以非常容易地迁移至其他工艺节点,具备良好的工艺迁移特性和应用广泛性。(本文来源于《电子技术应用》期刊2019年07期）
高成,张芮,王怡豪,黄姣英[3]（2019）在《深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究》一文中研究指出针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值范围。同时,开展脉冲激光模拟单粒子瞬态效应试验,定位该器件单粒子瞬态效应的敏感区域,捕捉不同辐照能量下器件产生的单粒子瞬态脉冲,确定单粒子瞬态效应的阈值范围,并与仿真结果进行对比分析。(本文来源于《微电子学》期刊2019年05期）
裴志军,王雅欣,韩蕾[4]（2019）在《深亚微米CMOS环形放大器研究》一文中研究指出随着CMOS工艺技术的持续进步,模拟集成电路中能耗有效的放大器设计面临着严峻挑战。CMOS环形放大器具有与环形振荡器相似的简单结构,能够随现代CMOS工艺特征尺寸的缩小而改善性能,且以低功耗获得高增益。文章分析了环形放大器转换、稳定和锁定放大的工作机理,研究了CMOS环形放大器的设计技术,提出了叁级反相器的增益分配方法。研究结果表明:基于浮动采样的伪差分环形放大器结构可应用于信号的差分处理,而自偏置的环形放大器结构能够改善电源变化的影响。(本文来源于《天津职业技术师范大学学报》期刊2019年02期）
席善学,陆妩,郑齐文,崔江维,魏莹[5]（2019）在《体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响》一文中研究指出研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,辐照130nm PD(部分耗尽,partially depleted) SOI NMOSFET(N型金属-氧化物半导体场效应晶体管,n-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件,监测辐照前后在不同体偏压下器件的电学参数.短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.在辐射一定剂量后,部分耗尽器件将转变为全耗尽器件,并且可以观察到辐射诱导的耦合效应.对于10μm/0.35μm的器件,辐照后出现了明显的阈值电压漂移和大的泄漏电流.辐照前体偏压为负时的转移特性曲线相比于体电压为零时发生了正向漂移.当体电压Vb=-1.1V时部分耗尽器件变为全耗尽器件,|Vb|的继续增加无法导致耗尽区宽度的继续增加,说明体区负偏压已经无法实现耗尽区宽度的调制,因此器件的转移特性曲线也没有出现类似辐照前的正向漂移.(本文来源于《电子学报》期刊2019年05期）
沈竞宇[6]（2019）在《深亚微米CMOS集成电路可靠性评价与设计技术研究》一文中研究指出可靠性对几乎所有的集成电路产品来说都是一个重要的要求,尤其是在恶劣环境条件下,电子系统中芯片的可靠性必须达到更高的要求。因此集成电路厂商在设计和制造过程中对各种可靠性问题进行了重点的关注。随着工艺尺寸的不断缩小,互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)材料已经非常接近其本身的物理极限和可靠性极限。在深亚微米级和纳米级工艺节点,可靠性带来的挑战越来越受到人们的重视。基于以上背景,本文以深亚微米CMOS集成电路的可靠性评价和设计技术为研究课题,从CMOS集成电路的各种可靠性问题入手,重点研究了热载流子效应、经时击穿、负偏置温度不稳定性、电迁移和辐射效应的物理模型,失效机理和测试结构。深入分析了65nm CMOS工艺的热载流子效应,经时击穿效应,以及0.13μm工艺的铁电存储器的总剂量辐射效应。具体内容如下:对于工艺可靠性的问题,详细研究了热载流子效应、经时击穿、负偏置温度不稳定性、电迁移四种失效模式的物理模型,失效机理和测试结构。其中,对热载流子效应和经时击穿进行了深入研究。对65nm CMOS工艺的器件的热载流子效应进行了加速寿命试验和寿命预测;对比研究了热载流子对环形栅和条形栅NMOS器件的性能退化的影响;以及分析了冷载流子和热载流子对器件的性能影响的差别和相应的物理机理。同时,对65nm CMOS工艺的栅氧的经时击穿进行了加速寿命试验和寿命预测;对影响MOS器件经时击穿的各种因素进行了特性分析;以及研究了衬底热载流子对栅氧经时击穿的影响。对于器件的辐射效应问题,详细研究了铁电存储器的总剂量辐射效应。开展了全芯片~(60)Coγ射线总剂量效应试验;另外,由于钴源不能单独对铁电阵列和外围各电路模块进行辐照,故开展了局部辐照试验研究,主要包括X射线微束试验和电子加速器铝膜屏蔽试验;深入分析了铁电存储器各电路模块的辐射敏感性和失效机理;对比研究了不同辐射源的差异性和应用特点。基于对深亚微米CMOS集成电路的各种可靠性问题的详细研究,开展了可靠性加固设计研究,包括抗总剂量加固设计研究,抗热载流子退化加固设计研究以及提高栅介质可靠性的方法研究。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
张猛华,王燕婷,张继[7]（2019）在《深亚微米多晶硅熔丝特性研究》一文中研究指出随着集成电路产业的迅速发展,熔丝电路在IC芯片中的应用越来越广泛。为了提高集成电路制造良率,在集成电路设计中通常会大量使用基于熔丝技术的冗余电路。通过对180 nm工艺多晶硅熔丝熔断特性的探索和研究,给出多种尺寸的多晶硅熔丝电熔断特征参考值,可以满足集成电路设计对编程条件和编程后熔丝阻值的不同需求。集成电路设计者通过选择不同的多晶硅熔丝尺寸种类,实现熔丝外围电压电流发生电路的灵活设计,大幅提高180 nm工艺多晶硅熔丝设计成功率。通过优化熔丝器件结构、编程条件等参数,实现不同应用需求的熔丝量产。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年03期）
刘逸哲[8]（2019）在《深亚微米MOSFET物理建模和参数提取研究》一文中研究指出在智能手机、笔记本电脑、物联网等以半导体器件行业为基础的主流科技行业中,产品芯片研发上市的速度对于能否在激烈的行业竞争中脱颖而出至关重要。面对不断缩小的器件尺寸带来的物理效应和不断上升的芯片集成密度,半导体制造行业需要高效且精准的器件模型。芯片的集成电路设计基于半导体器件的性能表征建模。相比制作芯片原型实物的传统方式,通过TCAD软件建立仿真器件模型要更加高效与经济。建立快速且准确度高的仿真器件模型已经成为各大芯片公司亟待解决的首要任务。本文基于深亚微米器件,对硅基MOSFET的物理模型、表面势集约模型及等效电路模型的参数提取进行了研究与分析。主要研究内容包括:1)基于TCAD软件对MOSFET物理模型的基本方程进行了研究,并对载流子复合模型和迁移率模型进行了分析;2)研究了90nm MOSFET器件的叁维物理模型,并对90nm MOSFET物理模型的直流特性和小信号S参数进行了仿真分析;分析了栅长、栅氧化层厚度、栅多晶硅层掺杂浓度以及栅极与源级,漏极的距离四个物理工艺参数对器件特性的影响;3)对HiSIM2模型的参数提取算法以及直流参数提取方法进行了研究与分析;改进了参数提取算法并使用改进算法对MOSFET进行了参数提取,验证了改进算法对模型准确度的提升;4)利用MOSFET小信号等效电路中的参数提取公式,对不同电极间距的90nm MOSFET物理模型进行了参数提取,并分析了栅极与源级,漏极的距离对本征电路参数的影响。(本文来源于《华东师范大学》期刊2019-03-01）
薛佳男[9]（2019）在《深亚微米MOSFET器件非线性电容模型研究》一文中研究指出射频(RF)无线通讯市场的不断发展对于高性能低功耗射频(RF)解决方案提出了越来越高的要求和挑战。MOSFET器件因为其优异的性能表现而愈发地受到片上系统高频电子线路设计应用的青睐。对于射频(RF)产品而言,投产时间和设计周期的长短在极大程度上取决于设计环境和仿真结果的准确与否。众所周知的,射频(RF)电路仿真的精度几乎完全取决于器件模型的准确程度。这就对射频(RF)器件建模提出了愈来愈严苛的要求。本文主要研究了90nm MOSFET器件的非线性模型。回顾了MOSFET模型的发展和非线性模型的建立流程;研究现有的一些场效应晶体管非线性电容模型和模型参数的提取,对这些模型的精度进行了验证和对比,在此基础上对非线性电容模型进行了改进。本文的主要工作内容包括:1)阐述了MOSFET非线性模型的建立过程,并对MOSFET器件进行了小信号等效电路元件参数提取,并提出了改进的开路结构去嵌模型,提高了去嵌精度;2)研究了常用的场效应晶体管非线性电容模型,对这些模型进行了参数提取,将模型用于描述90nm MOSFET非线性电容的提取结果,并进行了精度对比和分析;3)在分析了常用模型的基础上,综合考虑物理意义和模型精度两个方面,同时考虑了电荷守恒和对称性,提出了一个改进的MOSFET非线性电容模型,模型在工作偏置范围内仿真结果与实验提取结果吻合很好;4)在改进模型的基础上,进一步讨论了本征元件的提取结果与频率的关系,给出了元件的频率模型,将该模型应用于1~40GHz S参数仿真并与实验测量结果的对比,仿真精度得到了很大的提高。(本文来源于《华东师范大学》期刊2019-03-01）
陈晓亮,陈天,钱忠健,张强[10]（2019）在《热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响》一文中研究指出浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一。CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响。使用TCAD软件对STI结构应力分布进行了仿真分析,通过分组实验对静态随机存储器(SRAM)芯片静态漏电流进行了测试分析。结果表明,牺牲氧化层工艺引起的热应力是导致SRAM漏电流的主要因素,其工艺温度越高,STI应力减小,芯片的漏电流则越小;而取消牺牲氧化层工艺可以获得更小的应力和漏电流。栅氧化层退火工艺可以有效释放应力并修复应力产生的缺陷,退火温度越高漏电流越小,片内一致性也越好。因此,对热工艺过程进行优化,避免热应力积累,是CMOS集成电路工艺开发过程中要考虑的关键问题之一。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年02期）
深亚微米论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
经常在MCU等应用系统中遇到系统电源电压出现欠压或意外掉电的情况,导致MCU的程序"跑飞"或丢失重要的数据。为了尽量避免这些情况的出现,掉电检测电路能够检测到系统供电电源异常,以提高系统的抗干扰能力和稳定性。提出一种基于180 nm工艺设计的掉电检测电路,具有结构简单、工作稳定可靠、版图面积小的优点,可集成在MCU等微处理器内部,实现对系统电源电压监测,减少系统的外围器件,降低系统成本。该电路结构可以非常容易地迁移至其他工艺节点,具备良好的工艺迁移特性和应用广泛性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
深亚微米论文参考文献
[1].薛海卫,张猛华,杨光安.深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟[J].电子技术应用.2019
[2].张猛华,薛海卫,于宗光,张继,陈振娇.基于深亚微米的低成本高可靠BOD电路[J].电子技术应用.2019
[3].高成,张芮,王怡豪,黄姣英.深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究[J].微电子学.2019
[4].裴志军,王雅欣,韩蕾.深亚微米CMOS环形放大器研究[J].天津职业技术师范大学学报.2019
[5].席善学,陆妩,郑齐文,崔江维,魏莹.体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响[J].电子学报.2019
[6].沈竞宇.深亚微米CMOS集成电路可靠性评价与设计技术研究[D].电子科技大学.2019
[7].张猛华,王燕婷,张继.深亚微米多晶硅熔丝特性研究[J].电子与封装.2019
[8].刘逸哲.深亚微米MOSFET物理建模和参数提取研究[D].华东师范大学.2019
[9].薛佳男.深亚微米MOSFET器件非线性电容模型研究[D].华东师范大学.2019
[10].陈晓亮,陈天,钱忠健,张强.热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响[J].半导体技术.2019
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