导读:本文包含了从头算论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:常数,动力学,分子,势能,晶格,光谱,能级。
从头算论文文献综述
王磊,王党会,肖美霞[1]（2019）在《磷酸双乙酸胍分子中基团间作用的量子化学从头算研究》一文中研究指出基于磷酸胍基作用在晶体特异性与生物化学功能中的重要意义,含有类似基团间作用的磷酸双乙酸胍(PBGA)晶体引起关注。本研究根据PBGA分子的基团组成建立四个相关分子模型(PBGA、PGA1、PGA2、BGA),采用量子化学从头算研究了不同基团组合模型的结构、前线分子轨道、偶极矩、极化率以及一阶超极化率。研究结果表明,基团间作用会吸引带电乙酸胍分子胍基端,使其构象与分子取向发生明显转变,也会使磷氧四面体发生对称性变形;磷酸与胍基间作用能够影响由胍基贡献的LUMO能级,降低PBGA分子轨道能级间隙,增大分子内电子跃迁概率;带电乙酸胍对偶极矩和一阶超极化率的贡献最大,而磷酸根为负贡献。PBGA分子的一阶超极化率为1. 717 24×10~(-30)esu,约为尿素分子的2. 3倍,是一种潜在的非线性光学材料,该研究对理解和研究晶体中磷酸胍基间的作用奠定了一定的理论基础。(本文来源于《材料导报》期刊2019年20期）
徐秋爽[2]（2019）在《HnXO（X=As,P;n=1,2）的光谱常数和非谐力场的从头算研究》一文中研究指出原子与分子物理是物理学中的二级学科之一。而从头计算方法被广泛应用于原子与分子物理领域,是获得体系结构和动力学信息的重要手段。通过非谐振力场的从头算研究,可以确定分子的各种光谱常数。分子光谱的研究可以揭示分子内部结构、运动规律以及物化特性,能够得到分子的转动能级、振动能级及电子能级的精确信息,从而能精确的定出核间距、振动频率、力常数、离解能及其他有关分子结构的数据。由于半导体工业的化学气相沉积和有机金属化学气相沉积反应过程中产生的活性中间体HnXO(X=As,P;n=1,2)对半导体材料的电子特性等方面的应用,引起了人们广泛关注。本文研究HnXO(X=As,P;n=1,2)四个分子的光谱常数和非谐力场。HnXO(X=As,P;n=1,2)这四个分子是半导体工业的化学气相沉积和有机金属化学气相沉积反应过程中产生的活性中间体。其中,HAsO和H_2ASO分子,可以用来修饰半导体材料的电子特性(改良半导体的性能)。作为一种常见的第叁周期原子,原子P在行星体或其大气中起着重要作用。HPO分子也很重要,因为HPO分子可能是寻找的含磷星际介质,而H_2PO虽然它的各种脂肪族和芳香族有机衍生物很容易通过光解生成固体或溶液,并且已经通过ESR光谱进行了研究,但在气相中的光谱性质尚未探测。因此,HnXO(X=As,P;n=1,2)这四个化学气相沉积反应过程中产生的活性中间体分子引起了人们的研究兴趣。为了丰富HnXO(X=As,P;n=1,2)这四个分子的转动光谱,本文的主要工作:考虑到瞬态分子寿命、能级简并和仪器分辨率等问题,分子高分辨率振动谱的实验测量存在一定的困难,需要对振动谱进行理论研究。本论文的核心工作是从头算方法通过B3LYP、B3P86、B3PW91和二次微扰理论MP2方法结合cc-pVQZ和cc-pV5Z基组或aug-cc-pVQZ和aug-cc-pV5Z基组研究HnXO(X=As,P;n=1,2)这四个分子的光谱常数和非谐振力场。并且预测了未有实验理论报道的常数。首先,采用B3LYP、B3P86、B3PW91和二次微扰理论MP2方法结合cc-pVQZ和cc-pV5Z基组对HAsO分子基态的非谐力场和光谱常数进行理论研究。将计算得到的HAsO分子的几何结构、转动常数、谐振频率和非谐常数与相应的实验结果进行比较。结果表明:B3LYP/cc-pV5Z理论水平计算的结果与实验结果吻合得最好。在此基础上,我们用B3LYP/cc-pV5Z理论水平对HAsO分子的叁次和四次力常数、振转相互作用常数、四次和六次离心畸变常数以及科里奥利耦合常数做出了可靠的预测。其次,采用密度泛函理论B3LYP、B3P86、B3PW91方法和多体微扰理论MP2方法结合aug-cc-pVQZ和aug-cc-pV5Z基组,对H_2AsO分子的电子基态的光谱常数和非谐力场进行理论研究。其中,B3PW91/aug-cc-pV5Z计算的几何结构、基态转动常数、谐振频率、非谐常数与实验数据吻合一致。因此,利用此理论水平得到的基频、振转相互作用常数、四次六次离心畸变常数、科里奥利耦合常数和叁次四次力常数更接近真实值,可作为理论预测。最后,利用B3LYP,B3PW91,B3P86和MP2方法分别结合cc-pVQZ和cc-pV5Z基组对HPO的平衡态结构进行了优化,得到的优化结构与相关的实验与已有的理论值吻合的很好;在优化的平衡结构的基础上我们理论计算了HPO和H_2PO平衡几何结构(包括键长、键角)、光谱常数、非谐振力场进行理论计算。从计算结果看:发现B3PW91/cc-pVQZ计算HPO分子的光谱常数和非谐力场得到理论数值与已有相关的实验吻合得很好,B3P86方法计算的H_2PO结果更接近实验值,并对未有实验理论报道的常数做出了合理预测。(本文来源于《鲁东大学》期刊2019-06-01）
雷良建,宋晓书[3]（2019）在《~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)从头算研究》一文中研究指出利用密度泛函理论TPSSH泛函和aug-cc-pv5z基组对~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)的几何结构进行了优化计算,得到了~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)的平衡核间距R_e,谐振频率w_e,非谐振频率w_eχ_e,刚性转动因子Be,非刚性转动因子αe和离解能De等光谱常数,其值分别为:R_e=0. 120 58 nm,w_e=1 913. 060 1 cm~(-1),w_eχ_e=11. 778 0 cm~(-1),B_e=1. 778 0 cm~(-1),α_e=0. 015 69 cm~(-1),D_e=8. 248 8 e V。在0. 06～0. 36 nm的核间距内对~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)进行单点能扫描,同时利用最小二乘法将扫描的结果拟合成了解析势能函数,以得到的解析势能函数为依据,通过求解双原子分子核运动的径向Schr?dinger方程,得到了J=0时,~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)的45个全部振动态,并求出每一个振动态的振动能级及相应各振动态的6个离心畸变常数(D_υ,H_υ,L_υ,M_υ,N_υ和O_υ)。(本文来源于《贵州师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
罗文浪,王青青,阮文,谢安东,石立君[4]（2019）在《Pu-H_2体系从头算分子动力学的研究》一文中研究指出本文应用Gaussian09程序,通过密度泛函理论的相关方法,对钚-氢气体系进行了计算和分析。计算得到了钚与氢气的沿势能剖面的各个特殊点的几何结构。通过约化密度梯度分析方法分析了反应路径中的所有特殊结构的化学键的性质。通过从头算分子动力学的计算,由直接经典轨迹的计算结果得到了反应体系的几何结构、能量随时间的变化,并分析得到体系的大部分能量转化为反应产物的振动能。(本文来源于《化学研究与应用》期刊2019年04期）
周碧荣[5]（2019）在《U化合物中缺陷行为的从头算研究》一文中研究指出核能是一种安全、低碳、可大规模利用的清洁能源。二氧化铀(UO_2)因其高熔点和高剂量辐照下稳定的萤石结构,是目前核能发电中应用最广泛的燃料。由于UO_2在核燃料循环中的重要地位和铀中未填满的5f轨道所产生的复杂电子结构,UO_2在辐照环境下的结构演化和性能受到了广泛的实验和模拟研究。当前对UO_2的原子模拟主要采用经典分子动力学模拟,但该方法的模拟结果依赖于原子间相互作用势能的精度且作用势中没有考虑5f电子之间的强关联作用。另外,铀叁硅二(U_3Si_2)的低铀浓缩和高导热性使它在核反应堆中具有事故耐受性核燃料的潜力。研究U_3Si_2点缺陷的稳定性对充分认识其在辐照环境下的服役行为有重要意义,但目前对U_3Si_2缺陷的相关研究比较匮乏。近年来,从头算分子动力学方法已被证明是一种研究缺陷行为的有效模拟手段,它能以从头算精度预测低能反冲事件中缺陷产生的机理、缺陷的类型、分布和相互作用,并且无需拟合原子间相互作用势。另一方面,强关联体系中电子间的强关联能通常可以用Hubbard U进行校正。本论文主要采用从头算分子动力学方法,并对二氧化铀中铀5f电子进行Hubbard U校正,模拟了二氧化铀的低能反冲事件。此外,我们采用基于密度泛函理论框架下的广义梯度近似(GGA)方法,结合Hubbard U校正和旋轨耦合(SOC)方法对U_3Si_2的点缺陷稳定性进行了研究,主要探讨了Hubbard U校正和旋轨耦合效应对U_3Si_2中点缺陷形成的影响。本论文的研究结果将有利于加深对铀核燃料的认识和理解,为极端条件下核燃料的损伤控制和安全性评估提供一定的理论指导和依据。本文主要研究内容如下:1.我们采用从头算分子动力学方法模拟了UO_2沿四个主要晶格方向的低能反冲事件,确定了氧和铀在不同晶格方向上的位移阈能。结果表明,位移阈能是各异向性的,即不同晶格方向上的位移阈能不同,其中铀沿着<100>和<110>方向分别具有最小和最大的位移阈能,而氧则沿着<100>和<111>方向分别具有最小和最大的位移阈能。我们发现,铀沿着<100>和<110>方向得到的位移阈能与经典分子动力学模拟结果可比拟,但与sudden approximation(SA)得到的模拟结果相差较大。当前计算得到的铀和氧原子的平均位移阈能分别为46.96eV和25.56eV,其中铀的平均位移阈能比用SA方法得到的位移阈能均值更接近实验结果,而氧的平均位移阈能略高于采用SA方法和实验得到的结果。2.我们分析了氧和铀低能反冲事件中所产生的缺陷类型。所有的氧位移事件均产生了相似的缺陷类型即氧弗伦克尔对,而铀位移事件则产生了各种不同的缺陷类型如空位、桥位和哑铃对间隙以及反位缺陷,但损伤终态仍主要由空位和间隙组成。此外,铀和氧间隙缺陷主要占据八面体位置。与经典分子动力学比较,本工作采用的从头算分子动力学及考虑铀的5f电子间的强关联校正揭示了U_O反位缺陷以及铀的哑铃对间隙这两种新的缺陷类型。3.我们分别采用GGA,GGA+U(1.5eV)和GGA+U+SOC叁种不同方法计算了U_3Si_2的空位和反位形成能。叁种方法计算的缺陷形成能结果均表明空位形成能比反位形成能更低。用GGA方法得到的结果表明Si空位比U空位更稳定,但后两种方法得到的计算结果表明U空位比Si空位更容易形成。此外,我们发现考虑SOC作用导致空位和反位缺陷的形成能增大。通过比较不同方法得到的缺陷形成能结果,发现对铀的5f电子进行强关联校正以及考虑SOC作用对缺陷形成的相对稳定性有较大的影响。4.GGA,GGA+U(1.5eV)和GGA+U+SOC叁种计算方法获得的相对体积变化和键长有所区别,但均表明缺陷形成会使原子间的化学键伸长或缩短,从而改变U_3Si_2的晶格体积。用GGA方法计算的键长结果表明缺陷的产生导致<U-U>键长明显缩短,但考虑Hubbard U相关校正后,缺陷形成对<U-U>键的影响不大。考虑SOC作用后,缺陷形成对U_3Si_2体积的影响变大了,且空位缺陷导致<U-Si>键键长取值区间的最大值明显减小,即SOC作用对<U-Si>相互作用影响最大。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
彭祥花[6]（2019）在《损伤态Ga_xAl_(1-x)As/GaAs半导体超晶格稳定性和电子结构的从头算研究》一文中研究指出半导体超晶格材料由于其特殊结构而展现出许多新的物理性质,如负阻效应和量子霍尔效应等,因而广泛应用于武器及航天航空等领域。在其应用时材料会暴露在中子、γ等强辐射环境中,结果导致大量缺陷产生和聚集,从而使得材料的电学性能下降甚至丧失。如何增强其电学和抗辐照性能,对确保电子器件在辐射环境中正常有效地工作至关重要。本论文通过比较理想态和缺陷态GaAlAs/GaAs半导体超晶格的电子结构,确定了GaAlAs/GaAs半导体超晶格的内在结构变化对于其电学性质的影响。本论文的研究结果将有利于提高电子材料的电学和抗辐照性能,可以为新型电子材料的研发提供理论支撑,具有重要的科学研究价值和一定的工程应用参考价值。首先,我们使用密度泛函理论研究了体相叁元混合物GaAlAs和不同周期GaAlAs/GaAs半导体超晶格的电子结构。优化了不同周期(Ga_xAl_(1-x)As)_n/(GaAs)_m(m,n=1~5,x=0.25,0.5和0.75)超晶格的几何结构,并计算了其电子结构和载流子输运性质。结果表明,当超晶格中GaAs和GaAlAs层数一定时,半导体超晶格带隙宽度随着Ga组分的增加而不断减小;当Ga组分一定时,半导体超晶格的带隙宽度随着GaAs层数增加而减小,随着GaAlAs层数增加而增加。同时我们还发现,半导体超晶格中电子的迁移率和Ga组分以及堆垛周期之间有一定关系:当超晶格中GaAs和GaAlAs层数固定时,电子的迁移率随着Ga组分的增加而不断增加;当Ga组分一定时,电子的迁移率随着GaAs层数的增加而增加,随着GaAlAs层数的增加而减小。我们发现,(GaAs)_5/(Ga_(0.75)Al_(0.25)As)_1半导体超晶格具有最小的电子有效质量(0.033m_e)和最大的迁移率(2.134×10~4cm~2/Vs)。这些结果表明,我们可以通过调节超晶格的层数和组分浓度来调控带隙宽度和迁移率,这为制作高性能的电子器件提供了一定的理论支撑。随后,我们研究了Ga_(0.5)Al_(0.5)As/GaAs半导体超晶格中的各种点缺陷的稳定性,包括:砷替换镓(As_(Ga))、砷替换铝(As_(Al))、镓替换砷(Ga_(As))、铝替换砷(Al_(As))四种反位缺陷,砷间隙(As_(int))、铝间隙(Al_(int))、镓间隙(Ga_(int))叁种间隙缺陷以及铝空位(V_(Al))、镓空位(V_(Ga))、砷空位(V_(As))叁种空位缺陷。我们计算了各种点缺陷的缺陷形成能,并分析了点缺陷对于Ga_(0.5)Al_(0.5)As/GaAs半导体超晶格电子结构及其输运性质的影响。研究结果表明,不管是在As-rich还是Cation的情况下,间隙缺陷以及空位缺陷则最难形成。在As-rich的情况下,As_(Ga)、As_(Al)两种反位缺陷比较容易形成;而在Cation-rich的情况下,Ga_(As)、Al_(As)两种反位缺陷比较容易形成。同时,我们分析了缺陷对于Ga_(0.5)Al_(0.5)As/GaAs超晶格几何结构的影响,发现反位缺陷对超晶格的几何结构影响不大。值得注意的是,反位缺陷使得Ga_(0.5)Al_(0.5)As/GaAs超晶格的带隙宽度变小,甚至引入了金属导电性,结果导致电子的迁移率增大,而空位缺陷的形成则导致电子迁移率降低。这些结果表明,可以通过适当干预缺陷的产生来提升电子器件的导电性能和抗辐照能力,这对半导体材料在辐照环境中的应用将具有重要意义。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-03-29）
王恩栋,李光跃,丁俊霞,何国钟[7]（2018）在《乙炔高温裂解的从头算动力学模拟（英文）》一文中研究指出本文采用了从头算动力学结合量化计算来研究乙炔的热裂解,发现了一条通过连续乙烯基卡宾加成生成苯环的机理,并和与这条路径相竞争的路径进行了对比.此外,还得到了乙烯基卡宾的寿命.(本文来源于《Chinese Journal of Chemical Physics》期刊2018年06期）
向东,吴琼,朱卫华[8]（2018）在《运用从头算分子动力学模拟高温耦合爆轰压力条件下α-RDX的分解机理（英文）》一文中研究指出运用从头算分子动力学模拟了α-黑索今(RDX)晶体在高温(3000K)耦合爆轰压力(34.5GPa)下的初始和随后的分解机理。采用两种范德瓦尔斯修的修正方法(PBE-G06和PBE-TS)环境条件下对RDX的晶体结构进行了优化。结果表明,PBE-TS非常合适优化RDX。RDX分解中,C—H键均裂引发α-RDX分解。态密度的结果也证明了C—H键断键的现象。分解过程中发生了HONO的消去反应。产生NO_2、NO、N_2O、N_2、HONO、N_2O_4、H、O—H、H_2O和CO_2为主要反应,发生在早期阶段。同时,RDX引发后的叁种不同的分解途径分别为(1)C—N断键引发该环中其它C—N键断裂;(2)N—NO_2断键并且释放NO_2气体;(3)H自由基和氧原子碰撞形成O—H键后释放O—H自由基。(本文来源于《含能材料》期刊2018年06期）
谈玲华,徐建华,石磊,徐旭冉,王桂香[9]（2018）在《氢催化的二硝酰胺铵热分解的从头算分子动力学研究（英文）》一文中研究指出本文采用从头算分子动力学方法研究了一种着名的高能氧化剂二硝酰胺铵(ADN)在高温下(2000和3000 K)的热分解行为.在ADN的单分子分解中,发现了与温度有关的两种不同的引发分解机理,即分子内氢转移和N-NO_2键断裂.这两种机理在2000 K时存在竞争关系,但是在3000 K时后者是主要的分解机理.而在ADN的多分子分解中,观察到了四种受温度控制的引发分解反应.除了上述两种外,还有分子间氢转移和N-H键直接断裂.在2000 K时,N-NO_2键断裂发生的概率与其它3种相当,但是在3000 K时N-H键断裂是主要的分解通道.在引发分解发生后,发现升温可以加快反应速率,但是不会改变重要的反应特征.在氢的催化下,ADN通过简单、快速和直接的化学断裂分解为小分子,这个过程中并没有形成任何可能阻碍分解的较大中间体.在2000和3000 K时的主要分解产物相同,分别是NH_3、NO_2、NO、N_2O、N_2、H_2O和HNO_2.(本文来源于《Chinese Journal of Chemical Physics》期刊2018年02期）
朱超,卢悦,段瑞,钱静,凤尔银[10]（2018）在《Kr-H_2和Xe-H_2体系从头算势能面的理论研究》一文中研究指出采用单双迭代(包括非迭代叁重激发)耦合簇CCSD(T)方法以及由键函数3s3p2d2f1g组成的大基组,计算得到Kr-H_2和Xe-H_2体系二维势能面。这两个势能面均存在一个共线的全局极小值和一个T型鞍点。Kr-H_2体系的全局极小值在R=7。10a_0,势能值为-62.23cm~(-1),其鞍点位于R=7.07a_0处,其值为-51.68cm~(-1)。Xe-H_2体系的势阱为-68.33cm~(-1),其能垒高度为12.88cm~(-1),两个极值位置均在R=7.51a_0处。两体系势能面都具有较弱的角度各向异性,且Xe-H2体系几乎无径向角向耦合作用。(本文来源于《安徽师范大学学报(自然科学版)》期刊2018年02期）
从头算论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
原子与分子物理是物理学中的二级学科之一。而从头计算方法被广泛应用于原子与分子物理领域,是获得体系结构和动力学信息的重要手段。通过非谐振力场的从头算研究,可以确定分子的各种光谱常数。分子光谱的研究可以揭示分子内部结构、运动规律以及物化特性,能够得到分子的转动能级、振动能级及电子能级的精确信息,从而能精确的定出核间距、振动频率、力常数、离解能及其他有关分子结构的数据。由于半导体工业的化学气相沉积和有机金属化学气相沉积反应过程中产生的活性中间体HnXO(X=As,P;n=1,2)对半导体材料的电子特性等方面的应用,引起了人们广泛关注。本文研究HnXO(X=As,P;n=1,2)四个分子的光谱常数和非谐力场。HnXO(X=As,P;n=1,2)这四个分子是半导体工业的化学气相沉积和有机金属化学气相沉积反应过程中产生的活性中间体。其中,HAsO和H_2ASO分子,可以用来修饰半导体材料的电子特性(改良半导体的性能)。作为一种常见的第叁周期原子,原子P在行星体或其大气中起着重要作用。HPO分子也很重要,因为HPO分子可能是寻找的含磷星际介质,而H_2PO虽然它的各种脂肪族和芳香族有机衍生物很容易通过光解生成固体或溶液,并且已经通过ESR光谱进行了研究,但在气相中的光谱性质尚未探测。因此,HnXO(X=As,P;n=1,2)这四个化学气相沉积反应过程中产生的活性中间体分子引起了人们的研究兴趣。为了丰富HnXO(X=As,P;n=1,2)这四个分子的转动光谱,本文的主要工作:考虑到瞬态分子寿命、能级简并和仪器分辨率等问题,分子高分辨率振动谱的实验测量存在一定的困难,需要对振动谱进行理论研究。本论文的核心工作是从头算方法通过B3LYP、B3P86、B3PW91和二次微扰理论MP2方法结合cc-pVQZ和cc-pV5Z基组或aug-cc-pVQZ和aug-cc-pV5Z基组研究HnXO(X=As,P;n=1,2)这四个分子的光谱常数和非谐振力场。并且预测了未有实验理论报道的常数。首先,采用B3LYP、B3P86、B3PW91和二次微扰理论MP2方法结合cc-pVQZ和cc-pV5Z基组对HAsO分子基态的非谐力场和光谱常数进行理论研究。将计算得到的HAsO分子的几何结构、转动常数、谐振频率和非谐常数与相应的实验结果进行比较。结果表明:B3LYP/cc-pV5Z理论水平计算的结果与实验结果吻合得最好。在此基础上,我们用B3LYP/cc-pV5Z理论水平对HAsO分子的叁次和四次力常数、振转相互作用常数、四次和六次离心畸变常数以及科里奥利耦合常数做出了可靠的预测。其次,采用密度泛函理论B3LYP、B3P86、B3PW91方法和多体微扰理论MP2方法结合aug-cc-pVQZ和aug-cc-pV5Z基组,对H_2AsO分子的电子基态的光谱常数和非谐力场进行理论研究。其中,B3PW91/aug-cc-pV5Z计算的几何结构、基态转动常数、谐振频率、非谐常数与实验数据吻合一致。因此,利用此理论水平得到的基频、振转相互作用常数、四次六次离心畸变常数、科里奥利耦合常数和叁次四次力常数更接近真实值,可作为理论预测。最后,利用B3LYP,B3PW91,B3P86和MP2方法分别结合cc-pVQZ和cc-pV5Z基组对HPO的平衡态结构进行了优化,得到的优化结构与相关的实验与已有的理论值吻合的很好;在优化的平衡结构的基础上我们理论计算了HPO和H_2PO平衡几何结构(包括键长、键角)、光谱常数、非谐振力场进行理论计算。从计算结果看:发现B3PW91/cc-pVQZ计算HPO分子的光谱常数和非谐力场得到理论数值与已有相关的实验吻合得很好,B3P86方法计算的H_2PO结果更接近实验值,并对未有实验理论报道的常数做出了合理预测。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
从头算论文参考文献
[1].王磊,王党会,肖美霞.磷酸双乙酸胍分子中基团间作用的量子化学从头算研究[J].材料导报.2019
[2].徐秋爽.HnXO（X=As,P;n=1,2）的光谱常数和非谐力场的从头算研究[D].鲁东大学.2019
[3].雷良建,宋晓书.~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)从头算研究[J].贵州师范大学学报(自然科学版).2019
[4].罗文浪,王青青,阮文,谢安东,石立君.Pu-H_2体系从头算分子动力学的研究[J].化学研究与应用.2019
[5].周碧荣.U化合物中缺陷行为的从头算研究[D].电子科技大学.2019
[6].彭祥花.损伤态Ga_xAl_(1-x)As/GaAs半导体超晶格稳定性和电子结构的从头算研究[D].电子科技大学.2019
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[8].向东,吴琼,朱卫华.运用从头算分子动力学模拟高温耦合爆轰压力条件下α-RDX的分解机理（英文）[J].含能材料.2018
[9].谈玲华,徐建华,石磊,徐旭冉,王桂香.氢催化的二硝酰胺铵热分解的从头算分子动力学研究（英文）[J].ChineseJournalofChemicalPhysics.2018
[10].朱超,卢悦,段瑞,钱静,凤尔银.Kr-H_2和Xe-H_2体系从头算势能面的理论研究[J].安徽师范大学学报(自然科学版).2018
论文知识图
