新型研磨垫对单晶氧化镓研磨的实验研究

论文摘要

为抑制氧化镓晶片在研磨过程中的解理现象,通过NAKAMURA的方法,重新设计、研制一种黏弹性固着磨料新型研磨垫对氧化镓晶片进行研磨实验研究,对比分析其与传统铸铁研磨盘对单晶氧化镓研磨的材料去除率和表面质量的影响规律,结果表明:在同一研磨参数下,采用铸铁盘研磨时,晶片材料去除率较高,为358 nm/min,研磨后晶片表面粗糙度Ra由初始的269 nm降低到117 nm,降幅仅为56. 5%;而采用新型研磨垫研磨时,其材料去除率虽较低,为263nm/min,但研磨后晶片表面粗糙度Ra却降低至58 nm,降幅达到78. 4%,晶片表面质量得到明显提高,为后续氧化镓晶片的抛光奠定了良好的基础,因而新型研磨垫更适合对氧化镓进行研磨。同时,也为氧化镓晶片研磨提供了参考依据。

论文目录

• 0 引言
• 1 新型研磨垫的工作原理
• 2 实验
•   2.1 实验材料预备
•   2.2 实验参数设计
•   2.3 实验结果检测
• 3 结果与讨论
•   3.1 研磨前后晶片表面质量
•   3.2 氧化镓晶片材料去除率
•   3.3 加入偶联剂后晶片表面质量
• 4 结语

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 龚凯,周海,黄传锦,韦嘉辉,王晨宇

关键词: 研磨垫,单晶氧化镓,研磨,材料去除率,表面质量

来源: 现代制造工程 2019年05期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 盐城工学院机械工程学院,江苏大学机械工程学院,江苏吉星新材料有限公司

基金: 国家自然科学基金项目(51675457),江苏省产学研前瞻性创新资金项目(BY2016065-55),江苏省科技成果转化项目(BA2015165)

分类号: O786;O614.371

DOI: 10.16731/j.cnki.1671-3133.2019.05.003

页码: 13-17

总页数: 5

文件大小: 477K

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