导读:本文包含了铁电不挥发存储器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:存储器,薄膜,阈值,新一代,电容,电压,单元。
铁电不挥发存储器论文文献综述
汤祥云,王岸如,程旭,汤庭鳌[1]（2001）在《一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现》一文中研究指出文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的 E2 PROM 2 4 C0 4在接口、电学特性上完全兼容 ,可以在 2 4 C0 4的电路应用中直接代替之。(本文来源于《微电子学》期刊2001年04期）
罗维根,丁爱丽[2]（1998）在《新一代不挥发铁电存储器与IC卡(下)》一文中研究指出铁电薄膜与半导体集成产生了新一代不挥发存储器,与传统的半导体不挥发存储器比较,具有突出的优点,是新一代IC卡的理想存储芯片。(本文来源于《上海微型计算机》期刊1998年24期）
[3]（1998）在《新一代不挥发铁电存储器与IC卡(上)》一文中研究指出铁电薄膜与半导体集成产生了新一代不挥发存储器,与传统的半导体不挥发存储器比较,具有突出的优点,是新一代IC卡的理想存储芯片。(本文来源于《上海微型计算机》期刊1998年23期）
颜雷,黄维宁,姜国宝,汤庭鳌[4]（1998）在《新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)》一文中研究指出长期以来，人们认为铁电场效应管是单晶体管、不挥发、非破坏性读出存储器的基本结构。铁电场效应管的基本结构为金属／铁电／半导体（MFS）结构。MFS存储器与其它不挥发性存储器相比在数据传输速率、疲劳特性和工作电压等方面有更大的优点。本论文简单地论述了MFS存储器的结构、工作原理和制备方法。(本文来源于《微电子技术》期刊1998年03期）
罗维根,丁爱丽[5]（1996）在《不挥发铁电存储器的最新发展》一文中研究指出铁电材料具有自发极化并可由外电场反转，因此可以构成一种不挥发存储器．铁电薄膜与半导体集成，产生铁电随机存储器，并将成为存储器技术的主体．(本文来源于《无机材料学报》期刊1996年01期）
铁电不挥发存储器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
铁电薄膜与半导体集成产生了新一代不挥发存储器,与传统的半导体不挥发存储器比较,具有突出的优点,是新一代IC卡的理想存储芯片。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铁电不挥发存储器论文参考文献
[1].汤祥云,王岸如,程旭,汤庭鳌.一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现[J].微电子学.2001
[2].罗维根,丁爱丽.新一代不挥发铁电存储器与IC卡(下)[J].上海微型计算机.1998
[3]..新一代不挥发铁电存储器与IC卡(上)[J].上海微型计算机.1998
[4].颜雷,黄维宁,姜国宝,汤庭鳌.新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)[J].微电子技术.1998
[5].罗维根,丁爱丽.不挥发铁电存储器的最新发展[J].无机材料学报.1996
论文知识图
