导读:本文包含了光激励发光论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:稀土,磷酸,电子,离子,空穴,溶胶,色心。
光激励发光论文文献综述
王笑敏,梁晓夏,邢文文,赵晨晨,沈毅[1]（2016）在《稀土掺杂电子俘获光激励发光材料的研究现状及应用》一文中研究指出本文对稀土掺杂电子俘获光激励发光材料的研究现状及应用进行了综述。从稀土离子单掺杂和共掺杂两个方面介绍了稀土掺杂电子俘获光激励发光材料的研究现状,并介绍了光激励发光的机理。介绍了稀土掺杂电子俘获光激励发光材料在多个领域的应用,并展望了其发展前景。(本文来源于《山东陶瓷》期刊2016年01期）
程帅,徐旭辉,王鹏久,邱建备[2]（2015）在《新型电子俘获型材料β-Sr_2SiO_4:Eu~(2+),La~(3+)长余辉和光激励发光性能的研究》一文中研究指出通过高温固相法在还原气体保护下制备出β-Sr2Si O4:Eu2+,La3+系列样品.通过样品光谱显示,光致发光、余辉及光激励发光中心均来自于Eu2+离子;并且La3+的掺入有效增强光致发光、余辉及光激励发光强度.热释光与余辉衰减测试证明,与单掺Eu2+样品所具备的缺陷数量相比,共掺La3+样品在浅陷阱区(T1区)较多的俘获中心数量是导致其余辉性能优化的主要因素;其光激励发光强度的增强则归因于在深陷阱(T3区)的俘获中心数量增加.共掺样品放置15h并在980nm红外激光激励后,表现出光激励长余辉发光现象.此现象的出现,为电子俘获型材料的浅陷阱对深陷阱中的载流子再俘获过程的存在提供了直接证据.因此,β-Sr2Si O4:Eu2+,La3+材料可视为一种潜在的长余辉和光激励发光材料.(本文来源于《物理学报》期刊2015年01期）
W.KY[3]（2014）在《“稀土掺杂磷酸锂镁光激励发光材料及其制备方法”获发明专利》一文中研究指出由中国科学院新疆理化技术研究所科研人员完成的"稀土掺杂磷酸锂镁光激励发光材料及其制备方法"获国家发明专利授权(专利号:ZL201210402439.8)。针对稀土掺杂碱土金属硫化物在空气中使用时容易被氧化,使得材料的光激励发光性能急剧降低,导致较大的辐射剂量测量误差等问题,研究人员发明了一种稀土掺杂磷酸锂镁光激励发光材料。其由原料氢氧化锂、硝酸镁、磷酸二氢铵、氧化铽和(本文来源于《军民两用技术与产品》期刊2014年08期）
张哲,徐旭辉,邱建备,张新,余雪[4]（2014）在《电子俘获型材料Sr_3SiO_5∶Eu~(2+),RE~(3+)(RE=Nd~(3+),Ho~(3+),La~(3+))的光激励和长余辉发光性能的研究》一文中研究指出通过高温固相法制备出系列电子俘获型材料Sr3SiO5∶Eu2+,RE3+(RE=Nd3+,Ho3+,La3+),并对其光激励和长余辉性能进行了研究。经过紫外光源激发后,利用980nm激光照射时,表现出很强的上转换光激励信息读出响应,其归因于较深陷阱(438K)的存在,这种性能在Sr3SiO5∶Eu2+,La3+和Sr3SiO5∶Eu2+,Ho3+两种材料表现尤为明显。随后,对陷阱的深度和载流子浓度进行了研究,并分析产生光激励性能的原因。热释光光谱中电子俘获参数的计算是通过Chen’s半宽方法,得出438K所对应的陷阱深度值,并与980nm激光辐照光源的能量形成对比。与此同时,共掺稀土离子后的余辉性能也有着较大幅度的提高,Sr3SiO5∶Eu2+,La3+的余辉时间更是达到12h以上。研究结果显示,共掺样品的陷阱结构的改变是导致其光激励及余辉性能的根本原因。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2014年06期）
盖敏强,陈朝阳,范艳伟,王军华,谢永新[5]（2013）在《CaS:Eu,Sm荧光粉表面二氧化硅包覆对其光激励发光特性的影响(英文)》一文中研究指出改进了CaS∶Eu,Sm荧光粉在实时剂量计系统中的稳定性和实用性。以不同体积的正硅酸乙酯作为前驱体,采用溶胶凝胶法对CaS∶Eu,Sm荧光粉进行表面包覆。分别使用荧光分光光度计和酸度计对荧光粉的发光特性和防水特性进行表征。实验结果显示当质量分数为5%时,包覆层能明显提高荧光粉的稳定性且不影响荧光粉的发光强度。从材料的光激励发光和剂量响应测试实验中可以得出材料的退火特性以及相应的辐射剂量值。以CaS∶Eu,Sm荧光粉为基础的辐射剂量测试系统显示在0.1～300 Gy范围内具有良好的线性关系。结果显示表面包覆层明显抑制光激励发光特性,而且随着辐射剂量的增加,这种影响愈来愈显着。最后,我们提出了以光激励发光技术为基础的辐射剂量在线测试改进系统。(本文来源于《发光学报》期刊2013年05期）
孟佳,赵丽丽,宋力昕[6]（2013）在《CsBr:(Eu~(2+),KOH)粉体光激励发光和抗辐照性能研究》一文中研究指出采用高温固相烧结法制备了KOH掺杂的CsBr:(Eu2+,KOH)粉体,通过对材料体系荧光光谱、光激励发光谱、拉曼光谱和光激励发光衰减时间等的系统研究,深入分析了KOH对CsBr:Eu2+粉体光激励发光性能和抗辐照性能的影响。研究结果表明,掺杂引入的OH-离子增加了无辐射跃迁的几率,随着KOH浓度的增大,CsBr:(Eu2+,KOH)粉体的光激励发光衰减时间逐渐缩短。同时,由于K+和OH-离子的共同作用,使材料中Eu离子周围空位浓度减少,避免了因Eu2+聚集而导致的浓度淬灭,使CsBr:(Eu2+,KOH)粉体的抗辐照性能增强。(本文来源于《无机材料学报》期刊2013年05期）
秦青松,马新龙,邵宇,杨星瑜,盛鸿飞[7]（2012）在《新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究》一文中研究指出采用高温固相法获得了一种只具有微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+.发光性能研究结果表明:该材料对980/nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应,同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源.光存储性能研究结果表明:该材料的浅陷阱较少,因此其余辉发光很弱,不到500 s;另一方面,该材料中存在大量的深蓄能陷阱.因此,Sr_2SnO_4:Tb~3+,Li~+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料.此外,还讨论了Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的光存储发光机理.(本文来源于《物理学报》期刊2012年09期）
闫小磊[8]（2011）在《Eu~(2+)，Mn~（2+）共掺杂12CaO·7Al_2O_3电子俘获材料的光激励发光及光存储机理研究》一文中研究指出本文利用化学共沉淀法制备了电子俘获光存储材料Eu~(2+), Mn~(2+)掺杂的12CaO·7Al_2O_3(C12A7)样品,即C12A7: Eu~(2+)、C12A7: Eu~(2+), Mn~(2+)等粉体。通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)表征了样品的微结构;并用激发和发射光谱、余辉衰减曲线、热释发光和光激励发光等测试方法系统地研究了样品的光学性质。XRD结果表明我们已经制得具有笼腔结构的单相C12A7粉末,并且Eu, Mn可能掺入到晶格当中。电子扫描电镜观察到合成的C12A7: Eu~(2+)和C12A7: Eu~(2+), Mn~(2+)粉末的粒径大小为500-600 nm。利用330 nm波长紫外光激发C12A7: Eu~(2+), Mn~(2+)粉末样品,观测到Eu~(2+)的4f~65d~1-4f~7(~8S_(7/2))的宽带蓝光发射(峰位444 nm),经过高斯拟合为位于441 nm和468 nm两个峰,对应于在两个不同格位的Eu~(2+)的发射。同时观察到568 nm附近呈现强度较弱的宽带绿光发射,来自于Mn~(2+)的~4T_2 (G)-~6A_1(S)跃迁发射。改变样品中Eu, Mn的掺杂浓度,没有看到二者之间的能量传递关系。通过分析C12A7: Eu~(2+)和C12A7 Eu~(2+), Mn~(2+)两个样品的余辉衰减曲线和光激励发光(PSL)特性,发现其余辉时间较短,但是具有明显的PSL现象。并且PSL同C12A7:Eu~(2+), Mn~(2+)粉末样品中Eu~(2+)的发射光谱的形状和峰位相同,这说明C12A7: Eu~(2+), Mn~(2+)的发射光谱与PSL谱具有相同的来源。Mn~(2+)离子的掺杂使得PSL强度提高大约8倍,说明引入Mn~(2+)后增加了浅陷阱和深陷阱的数量。通过测试样品的热释发光(TL)研究了电子陷阱的性质和存储机理,观测到掺杂Mn~(2+)离子样品位于359 K的热释发光峰强度明显增加,并且在高温处出现了新的440 K的热释发光峰。分析认为还原处理后的C12A7中,类F心作为电子陷阱(0.64 eV),而深陷阱(0.86 eV)的产生与Mn~(2+)离子有关。C12A7宽带隙氧化物材料,热稳定性好,具有多种阳离子格位,并且Ca,Al离子周围的晶体场会受到氧阴离子基团的调制,使得对称性较低,对于增强稀土离子发光是非常有利的;我们的实验结果表明稀土掺杂C12A7有望成为新一代可擦除的氧化物电子俘获光存储材料。(本文来源于《东北师范大学》期刊2011-05-01）
孟宪国,周济[9]（2011）在《铈掺杂对BaFBr:Eu~(2+)光激励发光性能的影响》一文中研究指出采用一步反应法制备了BaFBr:Eu2+,Ce3+X射线影像存储材料。通过荧光光谱和光激励发光谱研究了材料的光致发光及其经X射线辐照后的光激励发光性质。结果发现,Ce离子的掺入使得BaFBr:Eu2+的发光性能明显增强,存在Ce3+离子向Eu2+离子的能量传递,Ce离子的掺杂浓度为0.7%(摩尔分数)左右时可得到较高的光致发光及光激励发光强度。且掺入Ce3+后,可以有效的形成能稳定存储的较低能级的电子陷阱,使得在信息读出过程中所需激励光能量降低,从而使得读出光的能量与价廉、便携的长波激光器的读出波长匹配得更好。(本文来源于《中国稀土学报》期刊2011年01期）
孟佳,赵丽丽,吴洁华,宋力昕[10]（2010）在《退火处理对CsBr:Eu~(2+)光激励发光性能的影响》一文中研究指出采用高温固相烧结法制备了CsBr:Eu2+粉体,系统研究了退火处理后粉体的光激励发光谱、吸收差谱和光激励发光衰减时间等,发现退火处理能有效提高CsBr:Eu2+粉体光激励发光强度,缩短其发光衰减时间.重点分析了退火气氛与光激励发光性能之间的关系,实验结果表明,退火气氛中的氧取代溴离子Br-成为替位氧离子Os-,而氢原子将进入间隙位成为间隙氢原子Hio.替位氧离子Os-以及Hio和Ho2i都是有效的电子俘获中心,并且它们与空穴俘获中心的形成密切相关.(本文来源于《无机材料学报》期刊2010年09期）
光激励发光论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过高温固相法在还原气体保护下制备出β-Sr2Si O4:Eu2+,La3+系列样品.通过样品光谱显示,光致发光、余辉及光激励发光中心均来自于Eu2+离子;并且La3+的掺入有效增强光致发光、余辉及光激励发光强度.热释光与余辉衰减测试证明,与单掺Eu2+样品所具备的缺陷数量相比,共掺La3+样品在浅陷阱区(T1区)较多的俘获中心数量是导致其余辉性能优化的主要因素;其光激励发光强度的增强则归因于在深陷阱(T3区)的俘获中心数量增加.共掺样品放置15h并在980nm红外激光激励后,表现出光激励长余辉发光现象.此现象的出现,为电子俘获型材料的浅陷阱对深陷阱中的载流子再俘获过程的存在提供了直接证据.因此,β-Sr2Si O4:Eu2+,La3+材料可视为一种潜在的长余辉和光激励发光材料.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光激励发光论文参考文献
[1].王笑敏,梁晓夏,邢文文,赵晨晨,沈毅.稀土掺杂电子俘获光激励发光材料的研究现状及应用[J].山东陶瓷.2016
[2].程帅,徐旭辉,王鹏久,邱建备.新型电子俘获型材料β-Sr_2SiO_4:Eu~(2+),La~(3+)长余辉和光激励发光性能的研究[J].物理学报.2015
[3].W.KY.“稀土掺杂磷酸锂镁光激励发光材料及其制备方法”获发明专利[J].军民两用技术与产品.2014
[4].张哲,徐旭辉,邱建备,张新,余雪.电子俘获型材料Sr_3SiO_5∶Eu~(2+),RE~(3+)(RE=Nd~(3+),Ho~(3+),La~(3+))的光激励和长余辉发光性能的研究[J].光谱学与光谱分析.2014
[5].盖敏强,陈朝阳,范艳伟,王军华,谢永新.CaS:Eu,Sm荧光粉表面二氧化硅包覆对其光激励发光特性的影响(英文)[J].发光学报.2013
[6].孟佳,赵丽丽,宋力昕.CsBr:(Eu~(2+),KOH)粉体光激励发光和抗辐照性能研究[J].无机材料学报.2013
[7].秦青松,马新龙,邵宇,杨星瑜,盛鸿飞.新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究[J].物理学报.2012
[8].闫小磊.Eu~(2+)，Mn~（2+）共掺杂12CaO·7Al_2O_3电子俘获材料的光激励发光及光存储机理研究[D].东北师范大学.2011
[9].孟宪国,周济.铈掺杂对BaFBr:Eu~(2+)光激励发光性能的影响[J].中国稀土学报.2011
[10].孟佳,赵丽丽,吴洁华,宋力昕.退火处理对CsBr:Eu~(2+)光激励发光性能的影响[J].无机材料学报.2010
论文知识图
