光电二极管、投射器模组及电子设备论文和设计-王志

全文摘要

本申请提供一种光电二极管、投射器模组及电子设备。光电二极管包括本体、隔离件。本体包括第一电极层、第一、第二、第三类型半导体层、第二电极层。第一电极、第一类型半导体层及第二类型半导体层依次层叠设置,第三类型半导体层嵌设在第二类型半导体层内背离第一类型半导体层的一侧或设置于第二类型半导体层背离第一类型半导体层的一侧,第二电极层设置于第三类型半导体层的表面并与第三类型半导体层电连接。本体具有底面及与底面相连的侧面,底面包括第一电极层背离第一类型半导体层的表面。隔离件对应于侧面设置,隔离件用于防止光电二极管通过导电胶体电连接于电路板上时,导电胶体粘覆于侧面。本申请的光电二极管具有较高的良率。

主设计要求

1.一种光电二极管,其特征在于,所述光电二极管包括本体、及隔离件,所述本体包括:第一电极层;第一类型半导体层,设置于所述第一电极层的一侧且与所述第一电极层电连接;第二类型半导体层,设置于所述第一类型半导体层背离所述第一电极层的一侧;第三类型半导体层,嵌设在所述第二类型半导体层内背离所述第一类型半导体层的一侧或设置于所述第二类型半导体层背离所述第一类型半导体层的一侧;及第二电极层,设置于所述第三类型半导体层的表面并与所述第三类型半导体层电连接;所述本体具有底面及与所述底面相连的侧面,所述底面包括所述第一电极层背离所述第一类型半导体层的表面;所述隔离件至少部分对应于所述侧面设置,所述隔离件用于防止所述光电二极管通过导电胶体电连接于电路板上时,所述导电胶体粘覆于所述侧面。

设计方案

1.一种光电二极管,其特征在于,所述光电二极管包括本体、及隔离件,所述本体包括:

第一电极层;

第一类型半导体层,设置于所述第一电极层的一侧且与所述第一电极层电连接;

第二类型半导体层,设置于所述第一类型半导体层背离所述第一电极层的一侧;

第三类型半导体层,嵌设在所述第二类型半导体层内背离所述第一类型半导体层的一侧或设置于所述第二类型半导体层背离所述第一类型半导体层的一侧;及

第二电极层,设置于所述第三类型半导体层的表面并与所述第三类型半导体层电连接;

所述本体具有底面及与所述底面相连的侧面,所述底面包括所述第一电极层背离所述第一类型半导体层的表面;

所述隔离件至少部分对应于所述侧面设置,所述隔离件用于防止所述光电二极管通过导电胶体电连接于电路板上时,所述导电胶体粘覆于所述侧面。

2.如权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述隔离件包括第一隔离部、及与所述第一隔离部的周缘弯折相连的第二隔离部,所述第一隔离部及所述第二隔离部形成收容空间,所述收容空间用于收容所述本体,且所述第一隔离部对应所述底面设置,所述第二隔离部对应所述侧面设置。

3.如权利要求2所述的光电二极管,其特征在于,所述第二隔离部与所述侧面之间具有间隙。

4.如权利要求2所述的光电二极管,其特征在于,所述第一隔离部包括导电部,所述导电部与所述第一电极层电连接。

5.如权利要求2所述的光电二极管,其特征在于,所述光电二极管还包括导电件,所述第一隔离部包括通孔,所述导电件贯穿于所述通孔内,且所述导电件的一端与所述第一电极层电连接,所述导电件的另一端显露于所述第一隔离部背离所述第一电极层的表面。

6.如权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述隔离件为设置于所述侧面的镀层。

7.如权利要求1-6任意一项所述的光电二极管,其特征在于,所述隔离件在所述第一电极层与所述第一类型半导体层层叠方向上低于所述第三类型半导体层背离所述第二电极层的表面,且所述隔离件的高度大于预设高度,其中,所述预设高度为所述光电二极管通过导电胶体电连接于电路板上时,所述导电胶体的最大高度。

8.一种投射器模组,其特征在于,所述投射器模组包括电路板、发射器、及如权利要求1-7任意一项所述的光电二极管,所述电路板与所述光电二极管通过所述导电胶体电连接,所述发射器用于发出红外光,所述光电二极管用于接收目标物体反射的红外光,并将所述红外光转换为电信号。

9.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括处理器及如权利要求8所述的投射器模组,所述处理器用于接收所述投射器模组中的所述光电二极管发送的电信号,并根据所述电信号判断所述红外光功率是否处于安全范围内。

10.如权利要求9所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备包括显示屏,所述显示屏具有显示区及非显示区,所述投射器模组对应所述非显示区设置。

设计说明书

技术领域

本申请涉及电子技术领域,尤其是涉及一种光电二极管、投射器模组及电子设备。

背景技术

光电二极管是一种对光功率敏感的电子传感器,在对成像技术的光源监控中,光电二极管的应用是目前主流的技术手段。当光电二极管封装于电路中时,光电二极管的正极用导电金属线连入电路,负极板用导电胶体粘接并导通于基板电路中。光电二极管除负极板表面外,其余面均能够接收红外光,光电二极管将接收的红外光转换为电信号。但在实际使用光电二极管过程中,即使是同一批号的产品其检测效果也会出现明显的差异,发明人经过研究发现:该差异的出现是因为在光电二极管封装过程中,由于导电胶体具有流动性,容易发生光电二极管的侧壁形成导电胶体爬胶的现象,而由于每个产品使用的胶量是不同的,进而使得爬胶面积有所不同,最终使得不同产品中的光电二极管受光面积存在差异,导致入射至所述光电二极管的红外光的光功率值与光电二极管所接收到的红外光功率值存在差异,使产品良率降低。

实用新型内容

为了解决光电二极管封装于电路中,产生爬胶现象导致入射至所述光电二极管的红外光的光功率值与光电二极管所接收到的红外光功率值存在差异,使产品良率降低的问题,本申请提供了一种光电二极管。

第一方面,本申请提供了一种光电二极管,所述光电二极管包括本体、及隔离件,所述本体包括:

第一电极层;

第一类型半导体层,设置于所述第一电极层的一侧且与所述第一电极层电连接;

第二类型半导体层,设置于所述第一类型半导体层背离所述第一电极层的一侧;

第三类型半导体层,嵌设在所述第二类型半导体层内背离所述第一类型半导体层的一侧或设置于所述第二类型半导体层背离所述第一类型半导体层的一侧;及

第二电极层,设置于所述第三类型半导体层的表面并与所述第三类型半导体层电连接;

所述本体具有底面及与所述底面相连的侧面,所述底面包括所述第一电极层背离所述第一类型半导体层的表面;

所述隔离件至少部分对应于所述侧面设置,所述隔离件用于防止所述光电二极管通过导电胶体电连接于电路板上时,所述导电胶体粘覆于所述侧面。

由于本申请提供的所述光电二极管中的所述隔离件对应于所述本体的所述侧面设置,所述隔离件起到防止所述导电胶体对所述侧面产生的爬胶现象,使得入射至所述光电二极管的红外光的光功率值与光电二极管所接收到的红外光功率值一致,提升了所述光电二极管在生产制备上的良率。

第二方面,本申请提供了一种投射器模组,所述投射器模组包括电路板、发射器、及第一方面所述的光电二极管,所述电路板与所述光电二极管通过所述导电胶体电连接。

第三方面,本申请提供了一种电子设备,所述电子设备包括处理器、及第二方面所述的投射器模组,所述处理器用于接收所述投射器模组中的所述光电二极管发送的电信号,并根据所述电信号判断所述红外光功率是否处于安全范围内。

附图说明

为了更清楚的说明本申请实施方式中的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见的,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请第一实施方式提供的光电二极管俯视图。

图2为一实施方式中图1沿I-I线的剖视图。

图3为一实施方式提供的光电二极管封装示意图。

图4为一实施方式中隔离件的剖面示意图。

图5为本申请第二实施方式提供的光电二极管剖视图。

图6为本申请一实施例提供的隔离件的局部放大图。

图7为本申请第三实施方式提供的光电二极管的剖视图。

图8为本申请第四实施方式提供的光电二极管的剖视图。

图9为本申请一实施例提供的投射器模组示意图。

图10为本申请一实施例提供的电子设备的框架示意图。

图11为本申请一实施例提供的电子设备示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式中的附图,对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本申请保护的范围。

请一并参阅图1及图2,图1为本申请第一实施方式提供的光电二极管俯视图;图2为一实施方式中图1沿I-I线的剖视图。所述光电二极管120包括本体12、及隔离件127。所述本体12包括第一电极层121、第一类型半导体层122、第二类型半导体层123、第三类型半导体层124、第二电极层125。所述第一类型半导体层122设置于所述第一电极层121的一侧,且与所述第一电极层121电连接。所述第二类型半导体层123设置于所述第一类型半导体层122背离所述第一电极层121的一侧。所述第三类型半导体层124嵌设在所述第二类型半导体层123内背离所述第一类型半导体层122的一侧,或者,所述第三类型半导体层124设置于所述第二类型半导体层123背离所述第一类型半导体层122的一侧。所述第二电极层125设置于所述第三类型半导体层124的表面并与所述第三类型半导体层124电连接。所述本体12具有底面12b及与所述底面12b相连的侧面12a,所述底面12b包括所述第一电极层121背离所述第一类型半导体层122的表面。所述隔离件127至少部分对应于所述侧面12a设置,所述隔离件127用于防止所述光电二极管120通过导电胶体电连接于电路板上时,所述导电胶体粘覆于所述侧面12a。在本实施方式的示意图中以所述第三类型半导体层124嵌设在所述第二类型半导体层123内,为例进行示意。

具体的,所述第一电极层121与所述第二电极层125的材料可以为金属材料,也可以为非金属导电材料,例如石墨、硅等材料。在一种可能的实施方式中,所述第一电极层121为阴极,所述第二电极层125为阳极,相应的,所述第一类型半导体层122为掺杂有N型杂质的半导体结构,所述第二类型半导体层123为不掺杂的本征半导体I结构,所述第三类型半导体层124为掺杂有P型杂质的半导体结构。在另外一种可能的实施方式中,所述第一电极层121为阳极,所述第二电极层125为阴极,相应的,所述第一类型半导体层122为掺杂有P型杂质的半导体结构,所述第二类型半导体层123为不掺杂的本征半导体I结构,所述第三类型半导体层124为掺杂有N型杂质的半导体结构。在本实施方式中,以所述第一电极层121为阴极,所述第二电极层125为阳极为例进行示意。

具体的,当所述光电二极管120通过导电胶体粘接并电连接于电路板中时,所述隔离件127用于隔离所述导电胶体,从而防止所述导电胶体对所述本体12的所述侧面12a产生的爬胶现象,使得入射至所述光电二极管120的红外光的光功率值与所述光电二极管120所接收到的红外光功率值一致,提升了所述光电二极管120的良率。

下面以所述第一电极层121为阴极,所述第二电极层125为阳极,所述第一类型半导体层122为掺杂有N型杂质的半导体结构,所述第二类型半导体层123为不掺杂的本征半导体I结构,所述第三类型半导体层124为掺杂有P型杂质的半导体结构为例对所述光电二极管120的工作原理进行简单介绍。当所述第一电极层121加载第一电压时,所述第二电极层125加载第二电压,其中,所述第二电压大于所述第一电压,换句话说,所述光电二极管120反向偏置接入电路。所述第三类型半导体层124与第一类型半导体层122通过第二类型半导体层123形成的半导体PN结。所述光电二极管120的侧壁由所述第一电极层121、所述第一类型半导体层122、所述第二类型半导体层123、所述第二电极层125在垂直于层叠方向上的表面构成,所述光电二极管120的正面由所述第二电极层125背离所述第三类型半导体层124的一侧构成,当所述光电二极管120的所述侧壁、及所述正面接收到光信号时,所述光信号中带有能量的光子进入所述半导体PN结,产生电子-空穴对,所述电子-空穴对在所述第一电压及第二电压的作用下运动,形成能够被检测到的电流信号,若接收的光信号的强度越大,所述电流信号也越大。

在本实施方式中,由于加入了所述隔离件127对应于所述本体12的所述侧面12a设置,当所述光电二极管120通过导电胶体粘接并电连接于电路板中时,所述隔离件127防止所述导电胶体对所述本体12的所述侧面12a产生的爬胶现象,使得入射至所述光电二极管120的红外光的光功率值与所述光电二极管120所接收到的红外光功率值之间的误差较小,提升了所述光电二极管120在生产制备上的良率。下面结合图3中光电二极管的封装示意图对本实施方式的有益效果进行说明。

具体的,请一并参阅图3,图3为一实施方式提供的光电二极管封装示意图。所述光电二极管120通过所述导电胶体140与所述电路板110粘接并电连接。所述光电二极管120、及所述电路板110构成投射器模组10的部分。在本实施方式中,以所述隔离件127对应于所述本体12的所述侧面12a设置为例进行示意,所述导电胶体140粘覆于所述隔离件127背离所述第一电极层121的表面,粘覆于所述隔离件127的侧壁,而不会粘覆于所述本体12的所述侧面12a上,从而避免了所述导电胶体140粘覆在所述本体12的所述侧面12a上而造成的爬胶现象。可以理解的,若在不影响所述光电二极管120粘接于所述电路板110的情况下,所述导电胶体140使用量相较于本实施方式的使用量少时,所述导电胶体140将粘覆于所述隔离件127背离所述第一电极层121的表面以及所述隔离件127在垂直于层叠方向上的表面(即,隔离件127的侧面12a),或者,所述导电胶体140将仅仅粘覆于所述隔离件127背离所述第一电极层121的表面。由于本申请的所述光电二极管120中的所述隔离件127对应于所述本体12的所述侧面12a设置,在防止所述导电胶体140对所述侧面12a产生的爬胶现象的情况下,提升所述光电二极管120的产品良率。

在本实施方式中,请一并参阅图4所示,图4为一实施方式中隔离件的剖面示意图。所述隔离件127包括第一隔离部127a、及与所述第一隔离部127a的周缘弯折相连的第二隔离部127b。所述第一隔离部127a及所述第二隔离部127b形成收容空间,所述收容空间用于收容所述本体12,且所述第一隔离部127a对应所述底面12b设置,所述第二隔离部127b对应所述侧面12a设置。

可以理解的,在本实施方式中,所述隔离件127的所述第一隔离部127a与所述第二隔离部127b为一体的结构,即所述第一隔离部127a与所述第二隔离部127b不可分离。但在一种可能的实施方式中,所述隔离件127的所述第一隔离部127a与所述第二隔离部127b的相连部分为可拆卸的。

在一种可能的实施方式中,所述隔离件127包括所述第一隔离部127a与所述第二隔离部127b。所述第二隔离部127b与所述本体12的所述侧面12a之间具有间隙,从而使所述第一隔离部127a与所述第二隔离部127b形成所述收容空间,用于收容所述本体12。可以理解的,由于所述第二隔离部127b与所述侧面12a之间具有间隙(请参阅图2),所述第二隔离部127b不会减少所述光电二极管120接收光信号的面积,以使得对所述光电二极管120达到更好的利用率。

在一种可能的实施方式中,请一并参阅图5,图5为本申请第二实施方式提供的光电二极管剖视图。所述隔离件127的所述第二隔离部127b对应于所述本体12的所述侧面12a设置,所述第二隔离部127b与所述侧面12a的相对距离为零。换句话说,所述第二隔离部127b包覆于所述本体12的所述侧面12a。

可以理解的,在本实施方式中,由于所述第二隔离部127b的作用仅仅为防止当所述光电二极管120通过所述导电胶体140封装于所述电路板110中时,所述导电胶体140对所述本体12的所述侧面12a产生的爬胶现象。因此,所述第二隔离部127b可以为非导电材料。在另一实施方式中,所述第二隔离部127b的材质可以为导电材料。

可以理解的,当所述第二隔离部127b对应所述本体12的侧面12a设置,所述第二隔离部127b与所述侧面12a的相对距离为零时,所述隔离件127还可包括或者不包括所述第一隔离部127a,在本实施方式的示意图中,以所述隔离件127不包括所述第一隔离部127a为例进行示意,即,所述隔离件127仅对应所述本体12的侧面12a设置。当所述隔离件127包括第一隔离部127a时,由于所述第一隔离部127a的存在,当光电二极管120通过导电胶体140封装于电路板110上时,所述第一隔离部127a可粘结部分导电胶体140,因此,所述第二隔离部127b的高度可做得相对较低,从而使得第二隔离部127b对所述光电二极管120接收光信号的面积的遮挡较小,从而提升了所述光电二极管120对光线的利用率。当所述隔离件127不包括第一隔离部127a时,可减小所述光电二极管120在垂直于所述第一电极121及所述第一类型半导体层122堆叠方向上的尺寸,有利于提升所述光电二极管120的集成度。

在一种可能的实施方式中,请一并参阅图6,图6为本申请一实施例提供的所述隔离件的局部放大图。所述第一隔离部127a包括导电部127c,所述导电部127c与所述第一电极层121电连接。换句话说,当所述光电二极管120加载工作电压时,所述工作电压通过所述导电部127c向所述第一电极层121传导。在本实施方式中,以所述第一隔离部127a包括三个导电部127c,且相邻的两个导电部127c之间还设置有绝缘部127d为例进行示意。可以理解地,在其他实施方式中,所述导电部127c的数目也可以为1个,或者其他数目。可以理解地,在其他实施方式中,所述第一隔离部127a整体都是导电的,即,整个所述第一隔离部127a由所述导电部127c构成。

可以理解地,在本实施方式中,所述导电部127c与所述绝缘部127d为不同的材料构成。所述导电部127c可以为但不限于为导电的金属、半导体材料,所述绝缘部127d可以为但不限于为橡胶材料。通常情况下,由于所述绝缘部127d的材料制备成本相较于所述导电部127c的材料制备成本低,那么,在本实施方式中,可以减少所述隔离件的材料制备成本。

在一种可能的实施方式中,请一并参阅图7,图7为本申请第三实施方式提供的光电二极管的剖视图。所述光电二极管120还包括导电件128,所述第一隔离部127a包括通孔129,所述导电件128贯穿于所述通孔129内,且所述导电件128的一端与所述第一电极层121电连接,所述导电件128的另一端显露于所述第一隔离部127a背离所述第一电极层121的表面。换句话说,所述导电件128通过所述通孔129贯穿所述第一隔离部127a,且在所述第一隔离部127a的两侧表面均有凸出部分。

具体的,所述导电件128可以为但不限于为金属或、非金属、半导体导电材料。可选地,所述第一隔离部127a具有矩阵形式排布的所述通孔129,所述导电件128贯穿于所述通孔129内。可以理解的,所述通孔129的排布形式、数量都可以根据实际情况作出修改,例如,所述通孔129以圆形排布,所述通孔129的数量则根据光电二极管120的尺寸大小进行调整,本申请对此不作限制。

可以理解的,在本实施方式中,由于所述导电件128的一端显露于所述第一隔离部127a背离所述第一电极层121的表面,当所述光电二极管120通过所述导电胶体140封装于电路板110中时,在所述导电胶体140的使用量较少的情况下,相对第一实施方式提出的所述光电二极管120的结构,所述导电胶体140能够更均匀、全面的粘覆于本实施方式提出的所述光电二极管120的所述导电件128背离所述第一电极层121的一端。而不会出现未均匀、全面的覆盖所述第一隔离部127a背离所述第一电极层121的表面。因此,本实施方式提出的所述光电二极管120具有更稳定的导电性能。

在一种可能的实施方式中,请参阅图8,图8为本申请第四实施方式提供的光电二极管的剖视图。本实施方式与第一实施方式提供的所述光电二极管120的结构基本相同,不同之处在于,在本实施方式中,所述隔离件127为设置于所述本体12的所述侧面12a的镀层。

具体的,所述隔离件127包覆于所述本体12的所述侧面12a,所述隔离件127可以为但不限于为金属或半导体导电材料、或非导电材料。在本实施方式中,所述隔离件127不包覆于所述本体12的所述底面12b,但在另一种可能的实施方式中,所述隔离件127可以包覆于所述底面12b,本申请对此不作限制。

在本实施方式中,所述光电二极管120还包括绝缘层126,所述绝缘层126包覆于所述第二电极层125。可选地,所述绝缘层126在所述第三类型半导体层124所在平面的正投影至少部分覆盖所述第三类型半导体层124在所述平面的正投影。所述绝缘层126使所述第二电极层125及所述第三类型半导体层124的绝大部分与外界空气(主要影响的成分为氧气、水分等)隔绝,从而起到保护所述第二电极层125及所述第三类型半导体层124老化、损耗的作用。本申请对所述光电二极管120中是否含有所述绝缘层126不作限制,但在本实施方式及接下来所描述的实施方式中,以所述光电二极管120包括所述绝缘层126为例进行示意。

可以理解的,在本实施方式中,所述隔离件127为镀层,所述隔离件127的厚度可做得相对较薄,从而有利于提升所述光电二极管120的集成度。

结合前述任意实施方式介绍的光电二极管120,在一种可能的实施方式中,所述隔离件127在所述第一电极层121与所述第一类型半导体层122层叠方向上低于所述第三类型半导体层124背离所述第二电极层125的表面,且所述隔离件127的高度大于预设高度,其中,所述预设高度为所述光电二极管120通过导电胶体140电连接于电路板110上时,所述导电胶体140的最大高度。

具体的,所述最大高度指的是所述光电二极管120在生产制备时,所述导电胶体140于所述侧面12a形成的爬胶在所述光电二极管120层叠方向上的最大高度。

可以理解的,若所述隔离件127在所述第一电极层121与所述第一类型半导体层122层叠方向上高于所述第三类型半导体层124背离所述第二电极层125的表面,则所述隔离件127会阻挡至少一部分向所述光电二极管120入射的光信号,在一些可能的情况下,若光信号以较为微弱的功率值入射所述光电二极管120,或者,所述光信号以特定角度入射所述光电二极管120时刚好被所述隔离件127阻挡,则所述光电二极管120将所述光信号转换为电信号的效率较低,使所述光电二极管120的灵敏度降低。若所述隔离件127在所述第一电极层121与所述第一类型半导体层122层叠方向上低于所述预设高度,则仍会导致所述导电胶体140对所述本体12的所述侧面12a产生爬胶现象。故在本实施方式中,所述隔离件127的高度设置在不影响所述光电二极管120的正常工作下,可以提高所述光电二极管120的灵敏度。

接下来,本申请还提供了一种投射器模组10,请参阅图9,图9为本申请一实施例提供的投射器模组示意图。下面将结合上述各个实施方式提供的光电二极管120,对光电二极管120在投射器模组10中的应用作详细的阐述。

具体的,所述投射器模组10包括电路板110、发射器130、及上述各个实施方式中任意实施方式提供的所述光电二极管120,所述电路板110分别与所述光电二极管120、及所述发射器130通过所述导电胶体140电连接。

所述发射器130向目标物体发射红外光,所述光电二极管120吸收经过所述目标物体反射的所述红外光,所述光电二极管120除与所述电路板110粘接并电连接的所述第一电极层121外,其余所述光电二极管120表面均可接收所述红外光,并将所述红外光转换为电信号。

本申请实施例还提供了一种电子设备1,请参阅图10,图10为本申请一实施例提供的电子设备框架示意图。所述电子设备1包括处理器20、投射器模组10,所述处理器20用于接收所述投射器模组10中的所述光电二极管120发送的电信号,并根据所述电信号判断所述红外光功率数值是否处于安全范围内,所述处理器20还用于根据所述发射器130发出所述红外光的时刻、所述光电二极管120接收到所述目标物体反射的所述红外光的时刻、以及所述红外光的传播速度进行计算,得到所述目标物与所述投射器模组10之间的距离。

本申请实施例还提供了一种电子设备1,请参阅图11,图11为本申请一实施例提供的电子设备的示意图。所述电子设备1还包括显示屏30,所述显示屏30具有显示区310及非显示区320。所谓显示区310是指所述电子设备1用于显示图像、文字、视频等的区域。所述非显示区320通常围绕所述显示区310的周围设置,所述非显示区320不具有显示功能。所述投射器模组10设置于所述电子设备1的非显示区320。所述投射器模组10中的光电二极管120请参阅上文的描述,在此不再赘述。所述电子设备1包括但不仅限于智能手机、互联网设备(mobile internet device,MID)、电子书、便携式播放站(Play Station Portable,PSP)或个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

设计图

光电二极管、投射器模组及电子设备论文和设计

相关信息详情

申请码:申请号:CN201921959082.7

申请日:2019-11-14

公开号:公开日:国家:CN

国家/省市:36(江西)

授权编号:CN209804664U

授权时间:20191217

主分类号:H01L31/02

专利分类号:H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/105;H01L25/16

范畴分类:38F;

申请人:南昌欧菲生物识别技术有限公司

第一申请人:南昌欧菲生物识别技术有限公司

申请人地址:330013 江西省南昌市高新区天祥大道698号

发明人:王志;毛信贤

第一发明人:王志

当前权利人:南昌欧菲生物识别技术有限公司

代理人:郝传鑫;熊永强

代理机构:44202

代理机构编号:广州三环专利商标代理有限公司 44202

优先权:关键词:当前状态:审核中

类型名称:外观设计

标签:;  ;  ;  

光电二极管、投射器模组及电子设备论文和设计-王志
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