导读:本文包含了共栅结构论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:共源共栅,交叉耦合,压控振荡器,互补金属氧化物半导体
共栅结构论文文献综述
周雅,焦晓波[1]（2019）在《基于共源共栅结构的高输出功率VCO》一文中研究指出为了降低与射频系统级相关的功耗,以及增加输出功率,提出了一种共源共栅结构的CMOS VCO。所提出的VCO核心包含有共源共栅结构,以增加VCO的供电电压。为了降低与栅源级间和栅漏级间击穿相关的可靠性问题,将共源晶体管的栅级节点与共栅晶体管的源级节点相连。为了验证所提出VCO的有效性,采用90nm的RF CMOS工艺设计了一款2.4GHz的CMOS VCO芯片,由测试结果可得,该款VCO在2V电源电压供电下取得了相对较高的输出功率、较低的相位噪声以及变化较平缓的振荡频率。(本文来源于《雷达科学与技术》期刊2019年02期）
王小力,袁刚[2]（2009）在《短沟道下共栅结构宽带CMOS LNA的设计》一文中研究指出基于短沟道MOS器件的过量因子随沟道长度降低缓慢增加的特征,研究了短沟道下共栅结构宽带低噪声放大器的噪声性能,并在0.18μm CMOS工艺下设计实现了共栅结构的宽带低噪声放大器。流片测试结果表明,在1.8 V电源电压、4.1 mA工作电流下,该系统获得6.1 dB的最小噪声系数;综合性能与长沟道下相近,符合理论分析和设计要求。(本文来源于《微电子学》期刊2009年02期）
刘海亮,王卫东[3]（2007）在《调整型共源共栅结构S~2I开关电流存储单元研究》一文中研究指出开关电流电路是一种新型的数据采样技术。本文对开关电流电路的工作原理和误差的详细分析,介绍一种调整型共源共栅结构的S2I开关电流存储电路,仿真结果具有相当高线性度和精度。(本文来源于《科技信息(科学教研)》期刊2007年36期）
共栅结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于短沟道MOS器件的过量因子随沟道长度降低缓慢增加的特征,研究了短沟道下共栅结构宽带低噪声放大器的噪声性能,并在0.18μm CMOS工艺下设计实现了共栅结构的宽带低噪声放大器。流片测试结果表明,在1.8 V电源电压、4.1 mA工作电流下,该系统获得6.1 dB的最小噪声系数;综合性能与长沟道下相近,符合理论分析和设计要求。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
共栅结构论文参考文献
[1].周雅,焦晓波.基于共源共栅结构的高输出功率VCO[J].雷达科学与技术.2019
[2].王小力,袁刚.短沟道下共栅结构宽带CMOSLNA的设计[J].微电子学.2009
[3].刘海亮,王卫东.调整型共源共栅结构S~2I开关电流存储单元研究[J].科技信息(科学教研).2007
标签：共源共栅; 交叉耦合; 压控振荡器; 互补金属氧化物半导体;