论文摘要
通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga2O3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga2O3晶体进行了X射线光电子能谱分析（XPS）,对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga2O3薄膜及单晶材料的报道结果,进一步确认β-Ga2O3体单晶特征峰峰值。同时,通过对各峰强度的变化进行对比分析,对次峰产生的原因进行推测,获得Si掺杂及退火对晶体表面及晶体内部个特征峰的变化规律。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 程红娟,张胜男,练小正,金雷,徐永宽
关键词: 晶体,导模法,射线光电子能谱分析,特征峰
来源: 人工晶体学报 2019年01期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 物理学,化学
单位: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
基金: 国家自然科学基金(51702297)
分类号: O434.1;O766.3
DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.01.002
页码: 8-12
总页数: 5
文件大小: 756K
下载量: 454
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标签：晶体论文; 导模法论文; 射线光电子能谱分析论文; 特征峰论文;