GaAs光电阴极制备工艺中表面污染的微区分析

GaAs光电阴极制备工艺中表面污染的微区分析

论文摘要

基于超高真空光电阴极制备与表面分析互联装置开展了反射式GaAs光电阴极激活实验,并利用扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后及Cs/O激活后的阴极表面进行了微区分析.通过X射线激发样品产生二次电子图像定位需要分析的微小区域,更加准确地检测了阴极表面存在的杂质.检测发现化学清洗后的GaAs阴极样品会受到金属压片的二次污染,出现钠、铯污染.表面分析和激活实验表明,高温加热和激活并不能去除钠污染,且此污染会影响表面砷的脱附,阻碍激活过程中Cs、O的吸附,降低阴极的光电发射性能.采用扫描聚焦X射线成像技术对阴极表面进行微区选点分析,有助于更加准确地分析阴极激活前后的表面成分变化.

论文目录

  • 0 引言
  • 1 实验
  • 2 结果与分析
  •   2.1 XPS分析
  •   2.2 激活分析
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 方城伟,张益军,荣敏敏,钱芸生,戴庆鑫,石峰,程宏昌,拜晓峰

    关键词: 光电阴极,扫描聚焦射线成像技术,微区分析,表面污染,光电发射

    来源: 光子学报 2019年09期

    年度: 2019

    分类: 基础科学

    专业: 物理学

    单位: 南京理工大学电子工程与光电技术学院,微光夜视技术重点实验室

    基金: 国家自然科学基金(Nos.61771245,61301023),微光夜视技术重点实验室基金(No.J20150702)~~

    分类号: O462.3

    页码: 41-47

    总页数: 7

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