导读:本文包含了陶瓷产率论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:温度,质量比,聚碳硅烷,二乙烯基苯,聚碳硅烷,二乙烯基苯,二甲苯
陶瓷产率论文文献综述
陈智勇,李妙玲,孙卫康,张东生,徐颖强[1]（2018）在《温度和成分质量比对聚碳硅烷陶瓷先驱体产率的影响》一文中研究指出研究了温度和各成分的质量比对聚碳硅烷/二乙烯基苯和聚碳硅烷/二乙烯基苯/二甲苯先驱体溶液黏度的影响,以及质量比对其二者先驱体交联率和陶瓷产率的影响。结果表明:聚碳硅烷/二乙烯基苯先驱体的溶液黏度随温度的升高而降低;提高二乙烯基苯的含量,可以降低先驱体的溶液黏度,改善流动性,但是会降低先驱体的交联率和陶瓷产率。聚碳硅烷/二乙烯基苯/二甲苯先驱体的溶液黏度随温度升高而逐渐降低;增加二甲苯的质量比,先驱体溶液的黏度明显降低,流动性增加;且在40~60℃范围内,当聚碳硅烷/二乙烯基苯/二甲苯质量比为10:3:2时,先驱体的溶液黏度在170~410mPa·s之间,具有良好的流动性、长时间稳定性以及较高的交联率和陶瓷产率,适宜作为碳纤维预制体的浸渍液。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2018年09期）
陈子瑛,钟翔,陈婉婉,李少华,曹南萍[2]（2016）在《提高电气石陶瓷负离子产率的试验》一文中研究指出为了提高电气石陶瓷的负离子产率,以电气石质蜂窝陶瓷为研究对象,在不同温度、湿度、压力条件下进行负离子产率的测试。试验表明,电气石陶瓷的负离子产率与温度、湿度、压力成正变比关系,较高的温度、湿度、压力,可以促使电气石陶瓷释放更多的负离子。(本文来源于《中国非金属矿工业导刊》期刊2016年04期）
程勇,李小虎,周路路,徐甲强,张文发[3]（2016）在《γ射线辐照改性聚碳硅烷提高热解陶瓷产率》一文中研究指出在N2气中用γ射线对聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)进行辐照,利用傅里叶红外光谱分析、凝胶渗透色谱分析和热重分析等手段研究了不同吸收剂量下PCS的化学结构、分子量和热分解特性。结果显示,经γ射线辐照处理后的PCS轻微失重,分子量和软化点随着吸收剂量的增加而增加,说明PCS经辐照后发生了分子间的交联反应。红外分析表明,PCS的交联主要是通过Si-H键和C-H键的断裂产生新的Si-C-Si结构实现的。热重分析表明,PCS热解为碳化硅的陶瓷产率随吸收剂量的增加显着升高,剂量达到1.5 MGy后PCS样品的陶瓷产率基本提高到稳定值,此时,陶瓷产率从改性前的61.9%提高到80.0%。(本文来源于《辐射研究与辐射工艺学报》期刊2016年06期）
袁钦,宋永才,李永强[4]（2011）在《可固化高陶瓷产率聚碳硅烷的合成与性能研究》一文中研究指出以聚碳硅烷(PCS)和四甲基四乙烯基环四硅氧烷(D4V i)为原料,合成了新型含乙烯基聚碳硅烷(PVCS)。利用FT-IR、GPC、DSC、TG、XRD等分析手段对PVCS的结构、固化特性及裂解特性进行表征。结果表明:PVCS中含有Si—H及CC基,可在200～350℃固化,350℃固化质量保留率为96.6%,1 000℃陶瓷产率为80.0%,1 200℃陶瓷产物出现β-SiC微晶。(本文来源于《有机硅材料》期刊2011年06期）
孙振淋,周玉,贾德昌,杨治华,叶丹[5]（2010）在《甲基乙烯基二氯硅烷与乙烯基叁氯硅烷不同摩尔比对SiCN基陶瓷产率影响Ⅰ》一文中研究指出采用不同摩尔比的甲基乙烯基二氯硅烷和乙烯基叁氯硅烷混合液,以乙二醇二甲醚作为反应溶剂,在反应釜内进行氨解反应,反应后的产物经副产物和溶剂分离后,得到聚氮硅烷,之后对先驱体进行1100℃裂解2小时,制得相应的SiCN(O)材料。随着乙烯基叁氯硅烷在溶液中含量的增加,陶瓷产率亦随之增加,(本文来源于《第十六届全国高技术陶瓷学术年会摘要集》期刊2010-10-22）
李长敏,于晓波,赵昕,陈宝杰,林海[6]（2008）在《铈掺杂玻璃陶瓷的绝对光谱功率分布与荧光量子产率》一文中研究指出采用直径10in积分球结合CCD(Charge Coupled Device)探测器测试系统,在蓝色半导体发光二极管激发下,对Ce3+掺杂的Y3Al5O12(YAG)玻璃陶瓷的荧光光谱进行表征,实现了以荧光发射特性绝对评价为目的的绝对光谱功率分布测定,为白色LED(Light Emitting Diode)荧光材料发射特性的精确测定提供了一种准确方法。荧光测试系统经标准卤素灯定标,辅助卤素灯校正积分球内环境变化,解析出样品发光的绝对光谱功率分布,并进一步计算出光量子数分布,求得荧光量子产率。实验结果表明,YAG高效玻璃陶瓷片的荧光量子产率高达33.7%,为新型高效LED照明发光材料的研制提供了新的标准和比照。(本文来源于《玻璃与搪瓷》期刊2008年01期）
李厚补,张立同,成来飞,徐永东[7]（2007）在《先驱体转化法制备碳化硅陶瓷产率研究评述》一文中研究指出对先驱体转化法制备碳化硅陶瓷产率问题进行了综述。针对先驱体转化法陶瓷产率低的问题,从陶瓷先驱体的设计、先驱体的交联工艺、裂解工艺以及活性填料的添加等方面分析了影响陶瓷产率的各种因素,总结出提高陶瓷产率的措施,最后提出今后进一步研究的方向。(本文来源于《高分子材料科学与工程》期刊2007年04期）
童旭光,李建保,杨晓战,孙格靓,池波[8]（2003）在《压电陶瓷引起的超声振动对水电解制氢产率的影响》一文中研究指出氢具有很多独特的优点,是一种重要的二次能源和工业产品。工业制氢方法很多,其中电解法工艺比较成熟,对环境污染小,缺点是消耗电能较多,能量转换效率不高。主要原因是在工业电解环境下,电解产生的氢气微泡不易从电极表面脱附,大量吸附在电极表面,以致电极有效电解面积减小,过电位升高,能量消耗增大。功率超声的应用是当前材料及化学领域的研究热点之一,在试验中,作者利用压电陶瓷产生的超声振动作用于电解电极,使其发生超声谐振,减小微气泡在电极表面(本文来源于《中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集》期刊2003-06-30）
陈曼华,陈朝辉[9]（2003）在《聚碳硅烷先驱体的交联与陶瓷产率》一文中研究指出本文探讨了可提高先驱体陶瓷产率的PCS DVB交联条件。研究表明聚碳硅烷交联前的性质和状态是影响先驱体陶瓷产率的主要因素(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2003年03期）
梁勇,李亚利,郑丰[10]（1995）在《高产率低成本激光合成硅基纳米陶瓷粉》一文中研究指出本文采用激光诱导大分子有机硅熔（ＨＭＤＳ）气相反应，通过加入附加反应气和工艺参数的优化控制，在不同合成条件下制得单相非晶Ｓｉ３Ｎ４，β—ＳｉＣ纳米粉和宽组份变化范围的ＳｉＮＸＣＹ纳米复合粉（平均粒径：１０－３０ｎｍ）。与通常采用的硅烷相比，采用此有机硅烷激光合成在等同实验条件下粉产率可提高３－５倍．成本降低１倍，且具有粉体组成，结构易于控制等优点，是一种具有商业化应用前景的高性能硅基纳米陶瓷粉制备技术。(本文来源于《粉体技术》期刊1995年04期）
陶瓷产率论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了提高电气石陶瓷的负离子产率,以电气石质蜂窝陶瓷为研究对象,在不同温度、湿度、压力条件下进行负离子产率的测试。试验表明,电气石陶瓷的负离子产率与温度、湿度、压力成正变比关系,较高的温度、湿度、压力,可以促使电气石陶瓷释放更多的负离子。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
陶瓷产率论文参考文献
[1].陈智勇,李妙玲,孙卫康,张东生,徐颖强.温度和成分质量比对聚碳硅烷陶瓷先驱体产率的影响[J].硅酸盐学报.2018
[2].陈子瑛,钟翔,陈婉婉,李少华,曹南萍.提高电气石陶瓷负离子产率的试验[J].中国非金属矿工业导刊.2016
[3].程勇,李小虎,周路路,徐甲强,张文发.γ射线辐照改性聚碳硅烷提高热解陶瓷产率[J].辐射研究与辐射工艺学报.2016
[4].袁钦,宋永才,李永强.可固化高陶瓷产率聚碳硅烷的合成与性能研究[J].有机硅材料.2011
[5].孙振淋,周玉,贾德昌,杨治华,叶丹.甲基乙烯基二氯硅烷与乙烯基叁氯硅烷不同摩尔比对SiCN基陶瓷产率影响Ⅰ[C].第十六届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2010
[6].李长敏,于晓波,赵昕,陈宝杰,林海.铈掺杂玻璃陶瓷的绝对光谱功率分布与荧光量子产率[J].玻璃与搪瓷.2008
[7].李厚补,张立同,成来飞,徐永东.先驱体转化法制备碳化硅陶瓷产率研究评述[J].高分子材料科学与工程.2007
[8].童旭光,李建保,杨晓战,孙格靓,池波.压电陶瓷引起的超声振动对水电解制氢产率的影响[C].中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集.2003
[9].陈曼华,陈朝辉.聚碳硅烷先驱体的交联与陶瓷产率[J].材料科学与工程学报.2003
[10].梁勇,李亚利,郑丰.高产率低成本激光合成硅基纳米陶瓷粉[J].粉体技术.1995