导读:本文包含了脉冲触发器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:斯密特触发器,单脉冲,连续脉冲,多谐振荡器
脉冲触发器论文文献综述
崔建国,宁永香[1]（2018）在《基于斯密特触发器的单脉冲及连续脉冲双模态发生器》一文中研究指出设计一种能够产生单脉冲及连续脉冲的双模态发生器。采用施密特触发器N_1～N_4、开关、电阻、电容、电位器等元件,在集成电路74LS132上实施电气设计。当开关轻触时,触发器N_1用于产生单脉冲;当开关短接时,触发器N_2用于产生任意数量的连续脉冲;N_3和N_4用于实现信号整形和噪声消除。电路结构简洁,耗电仅为数毫安,能够很好地适用于工业控制中的一些特殊应用。(本文来源于《工业技术创新》期刊2018年05期）
周良骥,何安,丁瑜,陈林,王勐[2]（2018）在《40路可扩展高压脉冲触发器》一文中研究指出直线变压驱动源(LTD)代表一种新型电路拓扑结构,将储能电容分解为容量很小的单元,能够直接输出快脉冲,而且降低了基本器件所承受的电压和导通的能量,为重频长寿命的大型驱动器研制开辟了道路,因而成为下一代大型Z箍缩聚变能源驱动器的主流技术。LTD的设计思想是一种矛盾转移,将难点从极高电压极高电流的闭合开关转移到大阵列开关的同步触发,因此,触发技术成为研制大型LTD型驱动器的重点。提出了一种可扩展的触发技术,以小型Marx发生器作为初级储能源,利用水介质脉冲形成线作为脉冲形成单元,激光触发气体开关作为输出开关,通过高压电缆匹配输出高压脉冲。给出了输出40路高压脉冲的触发器单元的设计和初步实验结果,Marx充电±60kV时,触发器单元在75Ω匹配电阻负载输出电压峰值为106kV,上升时间约27ns(10%~90%),半高宽约110ns。作为输出开关的四个激光触发气体开关在~70%工作系数、激光总能量55mJ的条件下,导通时间差异小于3ns。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2018年09期）
张子剑,陈曦,李茜华,王頔,龚博[3]（2017）在《强电磁脉冲上升时间对RS触发器损伤阈值仿真分析》一文中研究指出对RS触发器中金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的烧毁作用进行研究,通过仿真分析在不同入射端口、不同上升时间的条件下RS触发器的损伤阈值,结合其内部温度分布图完成失效机理分析,进而得出对于上升时间长的强电磁脉冲,需要更高的峰值场强、更长的时间才能将RS触发器烧毁。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2017年08期）
姚国平,盛占石[4]（2016）在《基于单片机脉冲触发器电路设计》一文中研究指出由于工程上应用交流电子开关柜控制交流电动机其主电路采用晶闸管模块,单片机产生六个脉冲其相位依次相差60°,而晶闸管必须成对脉冲才能够导通构成回路,为此要进行脉冲的补充。设计了一款基于单片机的脉冲触发器。该触发器利用PSD4000系列芯片的逻辑功能来进行脉冲的补充,通过调制电路对脉冲进行调制。该脉冲触发器系统运行稳定且成本低廉。(本文来源于《信息技术》期刊2016年03期）
王谦,汪鹏君,龚道辉[5]（2016）在《基于CNFET的叁值脉冲式D触发器设计》一文中研究指出通过对脉冲式时序电路的研究,利用多值开关信号理论,设计基于碳纳米场效应晶体管的单边沿和双边沿叁值脉冲式D触发器.该方案利用CNFET高速低功耗特征,结合多值逻辑电路的开关运算,简化函数表达式,优化电路结构,减少晶体管数量,达到了降低功耗的目的.经过HSPICE仿真结果表明,所设计的叁值脉冲式D触发器具有正确的逻辑功能和低功耗特性.(本文来源于《宁波大学学报(理工版)》期刊2016年01期）
陈志强[6]（2015）在《S波段CFA熄火脉冲调制器触发器的设计》一文中研究指出本文主要阐述S波段正交场放大器熄火脉冲调制器触发器的设计,包括触发器原理介绍、开关管的选择、触发脉冲前沿优化、脉冲生成器设计。实现了脉冲前沿小于50ns,熄火脉冲调制器性能良好,使前向波放大管达到了很好的熄火效果。(本文来源于《真空电子技术》期刊2015年06期）
姚茂群,张立彬,耿亮[7]（2014）在《电流型CMOS脉冲D触发器设计》一文中研究指出该文根据脉冲触发器的设计要求,结合阈算术代数系统,提出一种电流型CMOS脉冲D触发器的通用结构,用于二值及多值电流型CMOS脉冲触发器的设计,并可方便地应用于单边沿和双边沿触发。在此结构的基础上设计了电流型CMOS二值、叁值以及四值脉冲D触发器。采用TSMC 180 nm CMOS工艺参数对所设计的电路进行HSPICE模拟后表明所设计的电路具有正确的逻辑功能和良好的瞬态特性,且较以往文献提出的电流型D触发器,优化了触发器的建立时间和保持时间,二值和四值触发器最差最小D-Q延时比相关文献的主从触发器降低了59.67%和54.99%,比相关文献的边沿触发器降低了4.62%以上,所用晶体管数也相对减少,具有更简单的结构以及更高的电路性能。(本文来源于《电子与信息学报》期刊2014年09期）
米国浩,杜正伟,曹雷团,吴强,陈曦[8]（2014）在《脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响》一文中研究指出利用实验室自主开发的二维半导体器件-电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究,发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内。RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低,当脉冲宽度大于80 ns后阈值变化很小。根据仿真结果,通过热传导方程对RS触发器的烧毁情况进行建模,得到了不同脉冲宽度核电磁脉冲注入下RS触发器烧毁功率阈值的理论模型,仿真结果证明了理论模型的正确性。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2014年05期）
陈锦晖[9]（2013）在《双脉冲闸流管触发器研制》一文中研究指出重氢闸流管开关在高压大电流快脉冲技术领域仍扮演着重要角色,闸流管的触发线路是决定闸流管开关性能的关键因素之一。除提高触发脉冲(G2)的幅度和上升速率外,采用双脉冲触发技术也可有效地改善闸流管开关的时间特性。从通用性、可靠性和可维护性的角度出发,研制了一种集成的全固态双脉冲闸流管触发器,并在BEPCⅡ运行中投入使用。通过测试,闸流管在该触发器的驱动下,时间抖动典型值<1ns。3年多的运行实践表明,触发器的故障率极低,具有很高的可靠性。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2013年12期）
张立彬,姚茂群,王彤[10]（2013）在《高性能电流型CMOS显性脉冲触发器设计》一文中研究指出提出以电流信号表示逻辑值的电流型CMOS显性脉冲触发器的设计用于低功耗高性能混合集成电路设计中,以减少存储单元开关噪声对电路性能的影响.所提出的电流型CMOS显性脉冲触发器较以往文献中电流型CMOS主从触发器和电流型CMOS边沿触发器晶体管数量分别减少11个和4个,采用TSMC 0.18μm COMS工艺参数的HSPICE模拟结果表明,所提出的电流型脉冲触发器具有正确的逻辑功能,平均延时分别减少了48.8%和57%,具有结构简单,功耗低和速度快的特性,同时该触发器可方便应用于单边沿和双边沿触发.(本文来源于《浙江大学学报(理学版)》期刊2013年04期）
脉冲触发器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
直线变压驱动源(LTD)代表一种新型电路拓扑结构,将储能电容分解为容量很小的单元,能够直接输出快脉冲,而且降低了基本器件所承受的电压和导通的能量,为重频长寿命的大型驱动器研制开辟了道路,因而成为下一代大型Z箍缩聚变能源驱动器的主流技术。LTD的设计思想是一种矛盾转移,将难点从极高电压极高电流的闭合开关转移到大阵列开关的同步触发,因此,触发技术成为研制大型LTD型驱动器的重点。提出了一种可扩展的触发技术,以小型Marx发生器作为初级储能源,利用水介质脉冲形成线作为脉冲形成单元,激光触发气体开关作为输出开关,通过高压电缆匹配输出高压脉冲。给出了输出40路高压脉冲的触发器单元的设计和初步实验结果,Marx充电±60kV时,触发器单元在75Ω匹配电阻负载输出电压峰值为106kV,上升时间约27ns(10%~90%),半高宽约110ns。作为输出开关的四个激光触发气体开关在~70%工作系数、激光总能量55mJ的条件下,导通时间差异小于3ns。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
脉冲触发器论文参考文献
[1].崔建国,宁永香.基于斯密特触发器的单脉冲及连续脉冲双模态发生器[J].工业技术创新.2018
[2].周良骥,何安,丁瑜,陈林,王勐.40路可扩展高压脉冲触发器[J].强激光与粒子束.2018
[3].张子剑,陈曦,李茜华,王頔,龚博.强电磁脉冲上升时间对RS触发器损伤阈值仿真分析[J].强激光与粒子束.2017
[4].姚国平,盛占石.基于单片机脉冲触发器电路设计[J].信息技术.2016
[5].王谦,汪鹏君,龚道辉.基于CNFET的叁值脉冲式D触发器设计[J].宁波大学学报(理工版).2016
[6].陈志强.S波段CFA熄火脉冲调制器触发器的设计[J].真空电子技术.2015
[7].姚茂群,张立彬,耿亮.电流型CMOS脉冲D触发器设计[J].电子与信息学报.2014
[8].米国浩,杜正伟,曹雷团,吴强,陈曦.脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响[J].强激光与粒子束.2014
[9].陈锦晖.双脉冲闸流管触发器研制[J].原子能科学技术.2013
[10].张立彬,姚茂群,王彤.高性能电流型CMOS显性脉冲触发器设计[J].浙江大学学报(理学版).2013