导读:本文包含了酞菁氧钒论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:形貌,硅烷,薄膜,纳米,噻吩,层状,烷基。
酞菁氧钒论文文献综述
闫闯[1]（2019）在《聚合物界面修饰的酞菁氧钒薄膜制备及性能的研究》一文中研究指出有机薄膜晶体管由于具有柔性、廉价、成本低的优势,具有很好的研究前景。但是针对聚合物界面修饰对薄膜晶体管性能的影响研究比较少。为了改进酞菁氧钒薄膜晶体管的电学性能,获得高迁移率、低阈值电压的晶体管器件,本文在以n型重掺杂Si为衬底的SiO_2绝缘层上分别旋涂了不同配比的有机聚合物材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为界面修饰层,研究了复合薄膜的表面形貌、电容特性以及基于聚合物界面修饰的NO_2气体传感器器件的性能和酞菁薄膜晶体管器件的转移和输出等电学性能。首先利用原子力显微镜(AFM)研究了SiO_2衬底的表面形貌及其粗糙度,发现未经聚合物修饰的SiO_2衬底表面粗糙度约为0.88 nm以上,而经叁氯甲烷为溶剂配置的PMMA溶液,使复合薄膜的表面粗糙度降低至0.45 nm、经无水乙醇为溶剂配置的PVP溶液,使复合薄膜的表面粗糙度降低至0.22 nm;经PMMA和PVP界面修饰后的p-6P薄膜的单畴尺寸达到了6~8μm和4μm,较直接生长在SiO_2上p-6P薄膜(单畴尺寸为1μm)更有利于有机材料的生长,使其上生长的薄膜更加平整规则有序、陷阱缺陷少,为制备高性能的薄膜晶体管实验奠定了基础。接着对SiO_2、SiO_2/PVP和SiO_2/PMMA叁种绝缘层条件下的电容特性进行了分析,发现单层SiO_2绝缘层的电容达到了10.1 nF/cm~2,经修饰后的SiO_2/PMMA和SiO_2/PVP绝缘层的电容值都有不同程度的降低,达到了7.7 nF/cm~2和7.9 nF/cm~2。基于PMMA界面修饰层的PMMA/p-6P/VOPc制备了薄膜晶体管气体传感器器件。在10、20和25 ppm气体浓度下,电流响应程度与回复程度都得到提升,在10 ppm下提高了约1倍。最后研究了经两种聚合物界面修饰对酞菁薄膜晶体管电学性能的影响,制备了VOPc/Rub异质结薄膜晶体管,得出基于PMMA界面修饰的晶体管器件迁移率达到了0.27 cm~2/Vs,基于PVP界面修饰的晶体管器件迁移率达到了0.064 cm~2/Vs。经PMMA修饰制备的PMMA/p-6P/VOPc/Rub异质结薄膜晶体管,器件的迁移率较p-6P/VOPc制备的晶体管提高了大约十倍,饱和电流提高了一个量级。因此,基于聚合物界面修饰制备的酞菁薄膜晶体管,在实现高性能的OTFT器件领域中有良好的应用前景。(本文来源于《长春工业大学》期刊2019-06-01）
李秋辰[2]（2017）在《基于四噻吩诱导生长酞菁氧钒形貌研究》一文中研究指出四噻吩为聚噻吩类化合物,为平面结构,非常适合作为有机薄膜晶体管的诱导层。酞菁类化合物具有良好的光学特性,是重要的有机光学材料,尤其以酞菁氧钒为代表,酞菁氧钒具有较高的迁移率和开关比。真空蒸镀为现阶段比较常用用的薄膜蒸镀方法。本实验采用真空蒸镀的方法对四噻吩及酞菁氧钒实现镀膜。之后采用原子力显微镜对其形貌进行观测。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2017年02期）
董少强,田洪坤,耿延候,王佛松[3]（2016）在《二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质》一文中研究指出设计与合成了2,3-二辛基酞菁氧钒(2,3-C8OVPc),2,16(17)-二辛基酞菁氧钒(dp-C8OVPc),1,15-二辛基酞菁氧钒(1,15-C8OVPc)和1,18-二辛基酞菁氧钒(1,18-C8OVPc)4种可溶性酞菁氧钒衍生物,研究了辛基位置对该类化合物的物理化学性质、固态薄膜形貌和有机薄膜晶体管(OTFT)器件性能的影响.在溶液状态下,辛基的位置对共轭分子的吸收光谱和前线轨道能级影响很小,它们的最大吸收峰均在700 nm左右,最高被占分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)能级分别约为-5.20和-3.80 eV.在薄膜状态下,吸收光谱显着红移,且红移幅度与辛基的位置有关.4个化合物在薄膜中均以edge-on的方式排列,由它们制备的底栅-顶接触型OTFT器件的迁移率均大于0.1 cm~2/(Vs),其中2,3-C8OVPc的迁移率最高,达到0.19 cm~2/(Vs).(本文来源于《科学通报》期刊2016年03期）
崔宁,张娟,李航宇,宋德[4]（2015）在《基于不同自组装单层的酞菁氧钒薄膜晶体管》一文中研究指出研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒(VOPc)薄膜晶体管性能的影响。通过AFM图谱分析不同界面修饰层上VOPc薄膜的生长行为,通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性。实验结果表明,十八烷基叁氯硅烷(OTS-18)修饰后生长的VOPc薄膜,比正辛基叁氯硅烷(OTS-8)和苯基叁氯硅烷(PTS)修饰后的薄膜晶体尺寸更大、质量更优;基于OTS-18修饰的底栅顶接触型VOPc有机薄膜晶体管,在4种结构器件中具有最高的场效应迁移率(0.51cm2/V·s),相对于未修饰的器件迁移率提高了近40倍。较长的烷基链能够有效地隔绝VOPc分子和二氧化硅之间的相互作用,利于形成大晶粒尺寸、少缺陷的优质薄膜,获得高迁移率的TFT器件。绝缘层表面自组装单分子层的厚度对其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显,这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义。(本文来源于《液晶与显示》期刊2015年01期）
崔宁[5]（2014）在《酞菁氧钒有机薄膜晶体管的性能研究》一文中研究指出面对高速发展的显示领域,有机薄膜晶体管将成为新一代柔性显示技术的核心,如何提高场效应迁移率以及器件的稳定性已经成为了目前研究的重要课题。本文研究了不同修饰衬底对酞菁氧钒(VOPc)有机薄膜晶体管的影响。通过绝缘层表面的静态接触角、酞菁氧钒薄膜的AFM图谱以及XRD图谱来分析判定不同自组装修饰层对器件I-V特性的影响。同时测试酞菁氧钒晶体管的空气稳定性,分析空气中影响器件稳定性的因素。通过研究发现,影响VOPc薄膜生长和OTFTs器件性能的原因既包含界面的亲疏水性能,也包括有机硅烷中烷基链的长度及端基结构。修饰层中不含卤族元素的长链基团能够很好地隔绝VOPc与绝缘层之间的相互作用,并降低绝缘层表面的陷阱浓度,利于形成大晶粒尺寸的、平整连续的、高取向度的有机半导体薄膜,从而提高内部载流子的传输效率;VOPc薄膜晶体管长时间存放在水氧环境下会导致器件电学参数的改变,包括迁移率的降低和阈值电压的正向漂移。这些结论的得出对今后有机半导体薄膜的生长、有机薄膜晶体管性能的提升以及器件的封装技术具有很好的指导意义。(本文来源于《长春理工大学》期刊2014-12-01）
王永锋,张鑫然,叶迎春,梁德建,王远[6]（2010）在《酞菁氧钒分子及纳米簇在高定向石墨表面的自组装(英文)》一文中研究指出报导了酞菁氧钒(VOPc)分子及其纳米簇在高定向石墨(HOPG)表面的自组装.在室温下,将HOPG浸入含有VOPc纳米簇(2-20nm)和VOPc分子(约为10-3g·L-1)的1,2-二氯乙烷胶体溶液中,VOPc分子在HOPG表面自组装形成单分子层(SAM),VOPc纳米簇在上述SAM表面进行尺寸选择性自组装.组装于VOPc单分子层表面的纳米簇的粒径为(4.60±0.47)nm.扫描隧道显微镜研究表明,随着酞菁氧钒胶体溶液浓度由2.5×10-2g·L-1增至2.5×10-1g·L-1,组装于SAM表面的VOPc纳米粒子的数量逐渐增多,最终形成稠密的单层粒子组装体.本文提供的自组装结构及方法在发展光电功能体系等方面具有潜在应用价值.(本文来源于《物理化学学报》期刊2010年04期）
何兴权,刘大军,吴占维,杨柏[7]（2009）在《四磺化酞菁氧钒自组装膜的叁阶非线性光学性能研究》一文中研究指出为提高金属酞菁膜的叁阶非线性光学性质,采用静电自组装技术制备出了包含阴离子四磺化酞菁氧钒(VOTsPc)和阳离子聚乙烯亚胺(PEI)交替层的复合薄膜.通过紫外-可见光谱仪表征了VOTsPc/PEI交替多层组装体的组装过程,结果表明组装过程为有规律的连续吸收过程.利用原子力显微镜技术研究了VOTsPc/PEI薄膜的表面形貌,结果表明膜表面是光滑的、均匀的;膜表面紧密堆积了纳米级颗粒,平均粒径为75 nm,平均表面粗糙度为4.406 nm.使用调Q倍频ns/ps Nd∶YAG脉冲激光系统,在输出激光波长为532 nm,脉冲宽度为4 ns条件下,通过Z-扫描测试研究了组装膜的叁阶非线性光学性质.通过对实验数据的模拟和计算,30-双层VOTsPc/PEI膜的非线性极化率n2和非线性吸收系数β值分别为4.87×10-6esu和1.2×10-5m/W,叁阶非线性极化率χ(3)值为1.57×10-6esu.VOTsPc/PEI膜显示出较强的非线性反饱和吸收性能,具有广阔的应用前景.(本文来源于《高分子学报》期刊2009年11期）
何兴权,刘大军,高正国,段潜,周奋国[8]（2009）在《四叔丁基萘酞菁氧钒非线性及光限幅特性》一文中研究指出为提高酞菁化合物的非线性光学性能,以1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7(DBU)为催化剂,采用液相法合成了四叔丁基萘酞菁氧钒((t-Bu)4NcVO)化合物.利用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱方法,验证了化合物的分子结构.应用调Q倍频ns/ps Nd∶YAG脉冲激光系统,在波长为532nm下,研究了化合物的非线性和光限幅特性.测得化合物的非线性折射率n2和叁阶非线性极化率χ(3)分别为2.51×10-11esu和8.54×10-12esu,通过计算得到分子极化率γ'为3.7×10-29esu.在透过率69%时限幅阈值为1608mJ/cm2,箝位值为585mJ/cm2,有效激发态与基态吸收截面比为3.66.(本文来源于《哈尔滨工业大学学报》期刊2009年10期）
芮祥新,季振国,王龙成,汪茫,上田裕清[9]（2002）在《真空沉积酞菁铅和酞菁氧钒层状纳米复合膜的吸收光谱研究》一文中研究指出Nanometer multilayer composite films of lead phthalocyanine(PbPc) and vanadyl phthalocyanine(VOPc) were prepared by vacuum vapor deposition. It is found that a new absorption peak around 940 nm appeared as discovered by UV-visible absorption analysis. Compared to the Q bands absorption of single component films of VOPc and PbPc, the new peak is red-shifted. It is also found that the new peak shows a small red-shift when the thickness of the PbPc layer increases. It is concluded that the new peak is a result of composition, and the red-shift is caused by both interface effect and quantum confinement effect of the nanometer multilayered structure.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2002年12期）
李博,鲍超,施柏煊,川上友则,平松光夫[10]（2002）在《两种晶型酞菁氧钒纳米颗粒的制备及形成机理》一文中研究指出在水溶液中利用激光消融制备了酞菁氧钒(VOPc)相I型纳米颗粒,在加入一种非离子型表面活性剂的情况下通过激光消融制备得到了其相II型纳米颗粒.X射线衍射(XRD)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和傅立叶变换红外光谱(FT-IR)表征了其纳米颗粒中的晶体结构.扫描电子显微镜(SEM)观察显示相I和相II型酞菁氧钒纳米颗粒的直径分别约为100和60nm.对相II型酞菁氧钒纳米颗粒的形成机理进行了讨论.(本文来源于《物理化学学报》期刊2002年12期）
酞菁氧钒论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
四噻吩为聚噻吩类化合物,为平面结构,非常适合作为有机薄膜晶体管的诱导层。酞菁类化合物具有良好的光学特性,是重要的有机光学材料,尤其以酞菁氧钒为代表,酞菁氧钒具有较高的迁移率和开关比。真空蒸镀为现阶段比较常用用的薄膜蒸镀方法。本实验采用真空蒸镀的方法对四噻吩及酞菁氧钒实现镀膜。之后采用原子力显微镜对其形貌进行观测。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
酞菁氧钒论文参考文献
[1].闫闯.聚合物界面修饰的酞菁氧钒薄膜制备及性能的研究[D].长春工业大学.2019
[2].李秋辰.基于四噻吩诱导生长酞菁氧钒形貌研究[J].科技创新与应用.2017
[3].董少强,田洪坤,耿延候,王佛松.二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质[J].科学通报.2016
[4].崔宁,张娟,李航宇,宋德.基于不同自组装单层的酞菁氧钒薄膜晶体管[J].液晶与显示.2015
[5].崔宁.酞菁氧钒有机薄膜晶体管的性能研究[D].长春理工大学.2014
[6].王永锋,张鑫然,叶迎春,梁德建,王远.酞菁氧钒分子及纳米簇在高定向石墨表面的自组装(英文)[J].物理化学学报.2010
[7].何兴权,刘大军,吴占维,杨柏.四磺化酞菁氧钒自组装膜的叁阶非线性光学性能研究[J].高分子学报.2009
[8].何兴权,刘大军,高正国,段潜,周奋国.四叔丁基萘酞菁氧钒非线性及光限幅特性[J].哈尔滨工业大学学报.2009
[9].芮祥新,季振国,王龙成,汪茫,上田裕清.真空沉积酞菁铅和酞菁氧钒层状纳米复合膜的吸收光谱研究[J].高等学校化学学报.2002
[10].李博,鲍超,施柏煊,川上友则,平松光夫.两种晶型酞菁氧钒纳米颗粒的制备及形成机理[J].物理化学学报.2002
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