导读:本文包含了短沟效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:双栅MOSFET,环栅MOSFET,电荷分享,阈值电压下降
短沟效应论文文献综述
甘学温,王旭社,张兴[1]（2001）在《双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降》一文中研究指出基于电荷分享原理 ,推导了双栅和环栅 MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降 ,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响 ,并用数值模拟验证了理论结果 .这些研究结果对进一步开展纳米 CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义(本文来源于《半导体学报》期刊2001年12期）
甘学温,王旭社,张兴[2]（2000）在《环栅和双栅MOSFET短沟效应分析》一文中研究指出基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降,分析了栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效应的影响,并用数值模拟验证了理论结果。这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义。(本文来源于《第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集》期刊2000-11-01）
陈文松,田立林,李志坚[3]（1999）在《深亚微米MOSFET短沟效应的变分法分析》一文中研究指出短沟效应将成为限制ＭＯＳ器件进一步缩小的主要因素。利用求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的变分方法对短沟效应进行了分析，导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺度表达式。同时考虑了栅介质、沟道耗尽层和埋层ＳｉＯ２中的二维效应，结果只与边界条件与长沟解的差有关，具有清晰的物理意义。均匀掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ、本征掺杂沟道体硅ＭＯＳ－ＦＥＴ、常规ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ和双栅ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的短沟效应数值模拟比较结果与模型结论完全一致。表明模型能对不同器件结构的细致差别正确模拟。研究结果为设计抑制短沟效应的新型器件提供了指导。(本文来源于《清华大学学报(自然科学版)》期刊1999年S1期）
[4]（1995）在《源／漏离子注入诱生的点缺陷横向扩散所引起的逆短沟效应》一文中研究指出源／漏离子注入诱生的点缺陷横向扩散所引起的逆短沟效应＝Ｒｅｖｅｒｓｅｓｈｏｒｔ－ｃｈａｎｎｅｌｅｆｆｅｃｔｄｕｅｔｏｌａｔｅｒａｌｄｉｆｆｕｓｉｏｎｏｆｐｏｉｎｔ－ｄｅｆｅｃｔｉｎｄｕｃｅｄｂｙｓｏｕｒｃｅ／ｄｒａｉｎｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ［...(本文来源于《微电子学》期刊1995年01期）
短沟效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降,分析了栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效应的影响,并用数值模拟验证了理论结果。这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
短沟效应论文参考文献
[1].甘学温,王旭社,张兴.双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降[J].半导体学报.2001
[2].甘学温,王旭社,张兴.环栅和双栅MOSFET短沟效应分析[C].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000
[3].陈文松,田立林,李志坚.深亚微米MOSFET短沟效应的变分法分析[J].清华大学学报(自然科学版).1999
[4]..源／漏离子注入诱生的点缺陷横向扩散所引起的逆短沟效应[J].微电子学.1995