碳化硅表面结构对光催化活性的影响

论文摘要

为了提高SiC光催化性能,采用化学浸蚀法对碳化硅表面氧化层进行减薄处理,并对其表面形态和化学成分进行XRD、TEM、UV-vis DR、SXPS和FT-IR表征.结果表明:物相、形貌和光学带隙并没有发生改变,而XPS和FT-IR结果则表明碳化硅表面的Si—C结构转变为Si—O—Si结构.最优浸蚀条件和偏压条件下,即偏置电压±500V,浸蚀时间10h和氢氧化钠浓度1mol·L-1,紫外光催化效率和光电催化效率分别达到了45.9%和80%.与未改性碳化硅样品相比,NaOH浸蚀后SiC对光降解MB具有显著的光催化和光电催化活性,其光催化效率分别增大了24和36倍.

论文目录

• 0 引言
• 1 实验部分
•   1.1 试剂和设备
•   1.2 表面浸蚀SiC的制备
•   1.3 样品表征
•   1.4 光催化性能评价
• 2 分析与讨论
•   2.1 浸蚀对SiC物相和形貌的影响
•   2.2 浸蚀对SiC表面结构的影响
•   2.3 浸蚀条件对SiC光催化性能的影响
•   2.4 偏置电压对MB降解率的影响
•   2.5 浸蚀SiC与未浸蚀SiC光催化性能的对比
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 郭雨,冯纪章,郭腾,陈君华,柏雷,周永生,叶祥桔,徐卫兵

关键词: 碳化硅,光电催化,化学浸蚀,表面改性

来源: 中北大学学报(自然科学版) 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 安徽科技学院化学与材料工程学院,合肥工业大学化学工程学院,赛鼎工程有限公司

基金: 国家自然科学基金资助项目(21603002),安徽科技学院重点学科建设项目(AKZDXK,2015A01),安徽科技学院稳定高层次人才项目(AHSTU-SHTP201801)

分类号: O643.36;O644.1

页码: 243-249+256

总页数: 8

文件大小: 545K

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