掺硫LEC-GaP单晶载流子的分布

论文摘要

采用高压液封直拉法生长2英寸N型掺硫GaP单晶,通过浮舟技术控制直径.按照理论公式计算出掺杂量,采用范德堡法测试掺硫GaP单晶头部、中部和尾部的载流子浓度.分析了固液界面形状对载流子分布的影响,在平坦的固液界面下得到的单晶载流子分布更为均匀.探讨了浮舟控径单晶横向和纵向载流子分布及其影响因素.比较和讨论了浮舟控径和无舟计算机闭环控径单晶纵向载流子分布,表明采用浮舟控制及工艺,造成晶体生长过程中分凝系数及补偿度的变化,使得晶体纵向载流子浓度先降低后升高,提出了通过变速拉晶,可以改善单晶纵向载流子均匀性.讨论了浮舟质量对载流子分布的影响,采用质量较大的浮舟生长GaP单晶,其纵向载流子分布更均匀.

论文目录

• 1 实验
•   1.1 工艺选择及拉晶
•   1.2 测试
• 2 结果与分析
•   2.1 掺杂量计算
•   2.2 固液界面形状对载流子分布的影响
•   2.3 浮舟控径载流子分布形式
•   2.4 浮舟控径和无舟计算机闭环控径, 载流子分布的比较
•   2.5 不同浮舟载流子浓度波动的比较
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 林泉,马英俊,于洪国,许兴,马远飞,朱显超

关键词: 高压液封直拉法,浮舟技术,范德堡法,载流子浓度分布

来源: 河北大学学报(自然科学版) 2019年04期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 北京有色金属研究总院有研光电新材料有限责任公司

基金: 河北省科技计划项目(15211103D)

分类号: O782

页码: 347-352

总页数: 6

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