退火温度对溅射法沉积Cu-Cr-O薄膜性能的影响

论文摘要

使用Cu Cr O2陶瓷靶材,利用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu-Cr-O薄膜,研究了退火温度对Cu-Cr-O薄膜结构及光电性能的影响。X射线衍射分析显示,退火温度为973 K时薄膜即已晶化并形成单相铜铁矿结构CuCrO2,随着退火温度的升高,薄膜结晶性逐渐提高。紫外-可见光谱与电学性能测量结果表明:薄膜可见光透过率随退火温度升高呈上升趋势,电导率则呈下降趋势,在973～1273K退火薄膜的可见光透过率最高为50%,电导率最高为0.12 S/cm。扫描电子显微镜照片显示,Cu-Cr-O薄膜电导率的下降主要与退火产生的微裂纹有关。

论文目录

• 1 实验
•   1.1 样品制备
•   1.2 样品表征
• 2 结果与讨论
•   2.1 薄膜结构与表面形貌分析
•   2.2 薄膜的光学性能
•   2.3薄膜的电学性能
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 赵学平,张铭,白朴存,侯小虎,刘飞,严辉

关键词: 铜铬氧薄膜,退火温度,薄膜结构,光电性能

来源: 硅酸盐学报 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 内蒙古工业大学材料科学与工程学院,北京工业大学材料科学与工程学院

基金: 国家自然科学基金项目(11762014),内蒙古科技大学科学研究项目(ZY201808)

分类号: TB383.2

DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2019.01.08

页码: 55-61

总页数: 7

文件大小: 936K

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