导读:本文包含了射频溅射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,射频,磁控溅射,电学,致密,室温,性能。
射频溅射论文文献综述
岳兰[1]（2019）在《射频溅射功率对非晶Zn-Sn-O薄膜性能的影响》一文中研究指出使用射频磁控溅射法,基于不同溅射功率(58、79、116、148和171W)条件在玻璃基底上室温制备了Zn-Sn-O(ZTO)薄膜,并探讨了溅射功率对薄膜的结构、电学性能和光学性能的影响。结果表明,提高溅射功率有助于提升薄膜的沉积速率;XRD分析表明不同溅射功率条件下制备的ZTO薄膜均具备稳定的非晶结构;随着溅射功率的增加,薄膜的电阻率下降,光学吸收边"红移"(光学禁带宽度从3.77eV减小到3.62eV);整体来看,在58～148W溅射功率范围内制备的ZTO薄膜具备较好的可见光透明性,其在380～780nm可见光范围内的平均透过率均超过85%。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年05期）
岳天峰[2]（2019）在《CO_2反应气氛下射频溅射制备碳掺杂Ti-O薄膜的成分/结构和光催化性能研究》一文中研究指出随着现代社会的高速发展,环境污染和腐蚀对社会经济和工业生产带来的损失和影响变得越来越严重。对于清洁可再生能源的开发、环境污染的治理和腐蚀防护技术的开发已成为人类社会可持续发展的迫切需求。二氧化钛(TiO_2)由于具有良好的化学稳定性、无毒无污染以及优良的光催化活性等特点被广泛应用于太阳能电池、表面抗菌、废水处理与有机染料降解等诸多领域。但是由于TiO_2带隙宽度较大,光生电子-空穴复合率较高的问题,导致TiO_2光催化活性不高。对TiO_2进行改性,窄化TiO_2的带隙宽度或减少光生电子-空穴复合率从而提高TiO_2光催化性成为当下研究的一个热点。非金属元素掺杂就是改性方法的一种。本文采用射频磁控溅射法,以CO_2和O_2为反应气体,在Si片和碳钢表面制备C掺杂的Ti-O(C:Ti-O)薄膜,分别改变射频电源的功率和基底负偏压,研究这两种工艺参数对薄膜成分、结构、力学性能、表面形貌、带隙宽度、表面能的影响规律,并评价了薄膜的光催化性能。对C:Ti-O薄膜的AFM表征发现,薄膜的表面形貌差异不大,均为尖锐柱状结构,且样品表面较为平整;XRD和拉曼光谱分析了薄膜的结构,结果表明C:Ti-O薄膜主要以金红石相为主,并存在一定量的非晶态TiO_2。XPS分析确证C:Ti-O薄膜内部存在Ti-C键,表明C原子替代了部分O原子,C元素成功实现掺杂。通过紫外-可见分光光度计测得的透射光谱,根据tauc作图法计算出薄膜带隙宽度,结果表明掺杂C元素能有效降低薄膜的带隙宽度。接触角仪测量了薄膜表面与水和二碘甲烷的接触角,并计算了表面能。结果表明Ti-O薄膜掺杂碳后表面能极性分量增加。C:Ti-O薄膜经紫外照射后薄膜表面接受电子的能力有所增强。紫外灯光照后表面能普遍增加;纳米力学系统测试了 C:Ti-O薄膜的硬度、杨氏模量和膜基结合力,结果表明随着功率的增加,C:Ti-O薄膜的硬度和杨氏模量几乎没有改变,膜基结合力呈先增大后减小的趋势;但当有氧参与反应时,硬度增加较为明显,薄膜脆性倾向增加,膜基结合力变差。而随着基底负偏压的增加,硬度总体呈现上升趋势,但模量的变化没有规律性,膜基结合力在一定的基体负偏压范围内表现出持续增加的趋势,但在-200 V时开始降低。甲基橙降解实验结果显示,合成的Ti-O和C:Ti-O薄膜都表现出一定的光催化活性,碳掺杂能在一定程度上提高Ti-O薄膜的光催化性能。随着射频电源功率的增加光催化活性有下降趋势,表明带隙的窄化并没有提升光催化活性。而随着基底负偏压的增大,光催化性能先增加后减小。因为过大的基底负偏压会导致薄膜表面的键断裂从而影响C掺杂,导致光催化效果有所下降。(本文来源于《海南大学》期刊2019-05-01）
仲召进,曹欣,高强,韩娜,崔介东[3]（2019）在《射频溅射功率对室温沉积AZO薄膜性能的影响》一文中研究指出本文采用直流射频耦合磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积AZO薄膜,将射频电源功率从0W增加到到200W。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了AZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能。研究结果表明,直流射频耦合磁控溅射可以在室温下制备性能优异的AZO薄膜,且射频溅射功率对AZO薄膜光电性能有显着的影响,随着射频功率的提高,AZO薄膜致密性增加,粒子逐渐变大,薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化。在射频功率为200W时,室温制备的AZO薄膜电阻率达到最低5.39×10~(-4)Ω·cm,薄膜平均可见光透过率达到82.6%。(本文来源于《真空》期刊2019年01期）
马斯晗,韩亚萍,张国生,许同同[4]（2018）在《射频溅射法制备掺Ce~(3+)荧光薄膜上转换发光研究》一文中研究指出本文以自制掺Ce~(3+)钇铝石榴石(YAG)荧光粉为原料经烧结得到陶瓷靶材,利用射频溅射法在石英基片上制备薄膜,氩气工作气压为3Pa,随后在氮气气氛下1100℃/3h退火处理得到Ce~(3+):YAG荧光薄膜。研究了在980nm红外激光照射下Ce~(3+)掺杂YAG薄膜的上转换发光现象。实验结果表明在红外激光泵浦下,薄膜发出的荧光来自于Ce~(3+)离子的5d-4f跃迁。荧光强度与泵浦光功率之间的线性关系表明了Ce~(3+):YAG薄膜的上转换发光由双光子吸收过程所主导。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2018年02期）
E.A.MARTíN-TOVAR,L.G.DAZA,A.J.R.LóPEZ-ARREGUíN,A.IRIBARREN,R.CASTRO-RODRIGUEZ[5]（2017）在《基底旋转速度对射频溅射法制备Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响（英文）》一文中研究指出采用射频溅射法于室温在玻璃基底上制备了铝掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了基底旋转速度(ωS)对薄膜形态、结构、光学和电学性质的影响。扫描电子显微镜横向图片显示,通过基底旋转能够产生致密的柱状结构。原子力显微镜图像表明,基底旋转状态下形成的样品其表面颗粒比基体静止状态下的颗粒小且致密,从而导致细小的晶粒尺寸。XRD结果表明,所有薄膜均为六方纤锌矿结构,c轴择优取向且分布有拉应力。紫外可见光区平均透光率在90%以上。当ωS=0 r/min时,电阻率处于最低值(8.5×10~(-3)?·cm),载流子浓度为1.8×10~(20)cm~(-3),霍尔迁移率为4.19 cm~2/(V·s)。对于其他样品,基底旋转会引起载流子浓度和霍尔迁移率的变化,从而导致电阻率增加。结果表明:基底旋转速度对AZO薄膜的形貌、结构、光学和电学性能存在较大影响。(本文来源于《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》期刊2017年09期）
廖峻,邵乐喜,张军[6]（2015）在《射频溅射法制备纳米SiC薄膜的电学和光学性质研究》一文中研究指出利用磁控射频溅射法在石英衬底上制备了纳米SiC薄膜。研究了衬底温度对薄膜的结构,电学和光学性能的影响。X射线衍射(XRD)与原子力显微镜(AFM)结果表明,衬底温度为700℃时制备的薄膜是由平均直径为70nm结晶状态良好的4H-SiC纳米颗粒组成。实验测量了样品的电导随温度的变化关系,并计算出相应的电导激活能。利用紫外-可见分光光度计研究了衬底温度对薄膜光学性能的影响,结果表明纳米SiC薄膜的光学带隙可以通过改变衬底温度来调节。这种带隙可调的纳米SiC薄膜在未来的光电器件应用领域将会有一定的实用价值。(本文来源于《2015年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2015-11-27）
王春花,杨毅夫,刘兴江,白国梁,桑林[7]（2015）在《射频溅射功率对LiPON电解质的影响》一文中研究指出采用射频磁控溅射法制备了LiPON电解质,研究了不同射频溅射功率对其溅射速度、形貌和电导率的影响。结果表明:随着溅射功率的增加,LiPON电解质薄膜的致密性增加;电导率也不断提高。实验部分采用中科院沈科仪生产的JGP-450型磁控溅射沉积系统制备LiPON电解质薄膜。基本步骤为:调节靶基距,将溅射室抽至一定真空度,通入氩氮混合气体,调至所需功率溅射制备LiPON电解质薄膜,溅射时间20h。结果与讨论从图1中可以看出,不同功率下制备的LiPON薄膜均为非晶态结构。该结构正是LiPON电解质的理想结构,其具有较高的离子电导率。(本文来源于《第31届全国化学与物理电源学术年会论文集》期刊2015-10-17）
杨振[8]（2015）在《室温下射频溅射制备AZO薄膜及其性能研究》一文中研究指出同ITO薄膜相比,铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜由于具有可以媲美的光电性能,并且其具有原材料丰富、制备成本低、性价比高、无毒害作用、环境稳定性好、便于后期加工等优点,可以广泛应用于平板显示器、薄膜太阳能电池等重要领域,大有在未来取代ITO薄膜在透明导电薄膜领域地位的趋势。近几十年来,关于AZO薄膜的制备工艺以及性能优化的研究,国内外的研究者已经做了大量的工作,同时也取得了很多成果。磁控溅射法具有操作简单、工艺稳定、镀膜均匀等突出优点,是制备AZO薄膜最常用和最成熟的方法。但是,在大多数关于用磁控溅射法制备AZO薄膜的报道中,沉积AZO薄膜都是要在高温下进行的,即在镀膜时要对基片加热,或者是在镀膜过程结束后对样品进行退火处理。如此一来,就限制了薄膜在柔性衬底和某些敏感的光阻材料等不能耐受高温的材料上的应用。鉴于此,本论文对室温下采用磁控溅射法制备AZO薄膜进行了研究。采用射频溅射,使用Al掺杂量为2 wt%的AZO陶瓷靶材,普通载玻片作为基片,在室温下制备AZO薄膜样品。研究了多组参数对薄膜性能的影响,并引入性能指数作为衡量薄膜光电综合性能的指标。同时,提出了在基片和膜层之间使用SiO2薄膜作为缓冲层,对引入缓冲层前后样品的性能进行了对比,得出结论如下:(1)在本论文所述的实验条件下,所制备的AZO薄膜结晶性能良好,样品中的晶粒都是在(002)面择优取向生长的;(2)经过各组样品的性能比对,得出的制备AZO薄膜的最佳工艺参数为:溅射功率300 W,工作气压0.25 Pa,沉积时间30 min。在最佳参数下沉积的薄膜,晶粒尺寸较大、结构完整,方块电阻为27.98?/□,可见光波段的平均透过率大于80%,性能指数ΦTC为4.32×10-3?-1;(3)引入SiO2缓冲层可以大幅度地提高AZO薄膜的电学性能。所制备的薄膜样品相较于直接在载玻片上镀膜,其方块电阻值都大幅度减小。使用合适厚度SiO2薄膜作为缓冲层,可以减少薄膜中的残余应力,还可以起到阻碍基片中的Na+进入到膜层中的作用,保证晶格的完整性,使薄膜的结晶性得到改善,晶粒尺寸变大。当缓冲层的厚度为30 nm时,薄膜的方块电阻值为14.12?/□,可见光的平均透过率接近82%,与直接在载玻片上沉积相比透过率变化很小,电阻率为9.6×10-4?.cm,计算所得的性能指数值为9.56×10-3?-1,该值已经优于室温下沉积的ITO薄膜。(本文来源于《武汉理工大学》期刊2015-05-01）
陈连平,陈贻斌,曹俊[9]（2015）在《Ca_(1-1.5x)WO_4:Eu_x发光薄膜的射频溅射制备技术研究》一文中研究指出以Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷为靶材,采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜,利用正交试验研究了溅射时间、气压和功率对Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜的红光(616 nm)发光强度的影响;并利用荧光光谱仪和X射线光电子能谱(XPS)仪研究了薄膜的发光性能和成分。极差分析说明,溅射气压、时间和功率都会影响薄膜的发光强度,溅射时间的影响尤为重要。为提高发光强度,溅射气压宜控制在0.2 Pa左右,溅射时间在140 min。成分分析表明,薄膜中钙元素含量显着低于靶材中的含量,但铕元素含量显着偏高。研究还表明,靶材中Ca、W、O和Eu元素的溅射产额比为1∶1.79∶1.84∶2.28。XPS分析和光致发光谱都说明,薄膜中的Eu元素同时存在+3和+2价。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2015年04期）
杨振,赵青南,王燕芳,刘旭,罗乐平[10]（2015）在《室温下射频溅射沉积AZO薄膜及其性能研究》一文中研究指出在室温下,采用射频溅射法,在玻璃衬底和沉积了一层SiO_2缓冲层的玻璃衬底上,用Al_2O_3:ZnO(Al_2O_3含量为2%wt)为靶材,制备了Al:ZnO(AZO)透明导电薄膜。分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪测试和分析了薄膜的结构形貌和光电性能。实验结果表明,与在玻璃上直接镀AZO膜层的样品比较,SiO_2缓冲层使.AZO薄膜的(002)面对应的衍射峰半峰宽(FWHM)变窄,AZO薄膜的电阻率最低可达到10~(-4)Ω.cm,可见光透过率达到82%。(本文来源于《2015年全国玻璃科学技术年会论文专集》期刊2015-04-11）
射频溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着现代社会的高速发展,环境污染和腐蚀对社会经济和工业生产带来的损失和影响变得越来越严重。对于清洁可再生能源的开发、环境污染的治理和腐蚀防护技术的开发已成为人类社会可持续发展的迫切需求。二氧化钛(TiO_2)由于具有良好的化学稳定性、无毒无污染以及优良的光催化活性等特点被广泛应用于太阳能电池、表面抗菌、废水处理与有机染料降解等诸多领域。但是由于TiO_2带隙宽度较大,光生电子-空穴复合率较高的问题,导致TiO_2光催化活性不高。对TiO_2进行改性,窄化TiO_2的带隙宽度或减少光生电子-空穴复合率从而提高TiO_2光催化性成为当下研究的一个热点。非金属元素掺杂就是改性方法的一种。本文采用射频磁控溅射法,以CO_2和O_2为反应气体,在Si片和碳钢表面制备C掺杂的Ti-O(C:Ti-O)薄膜,分别改变射频电源的功率和基底负偏压,研究这两种工艺参数对薄膜成分、结构、力学性能、表面形貌、带隙宽度、表面能的影响规律,并评价了薄膜的光催化性能。对C:Ti-O薄膜的AFM表征发现,薄膜的表面形貌差异不大,均为尖锐柱状结构,且样品表面较为平整;XRD和拉曼光谱分析了薄膜的结构,结果表明C:Ti-O薄膜主要以金红石相为主,并存在一定量的非晶态TiO_2。XPS分析确证C:Ti-O薄膜内部存在Ti-C键,表明C原子替代了部分O原子,C元素成功实现掺杂。通过紫外-可见分光光度计测得的透射光谱,根据tauc作图法计算出薄膜带隙宽度,结果表明掺杂C元素能有效降低薄膜的带隙宽度。接触角仪测量了薄膜表面与水和二碘甲烷的接触角,并计算了表面能。结果表明Ti-O薄膜掺杂碳后表面能极性分量增加。C:Ti-O薄膜经紫外照射后薄膜表面接受电子的能力有所增强。紫外灯光照后表面能普遍增加;纳米力学系统测试了 C:Ti-O薄膜的硬度、杨氏模量和膜基结合力,结果表明随着功率的增加,C:Ti-O薄膜的硬度和杨氏模量几乎没有改变,膜基结合力呈先增大后减小的趋势;但当有氧参与反应时,硬度增加较为明显,薄膜脆性倾向增加,膜基结合力变差。而随着基底负偏压的增加,硬度总体呈现上升趋势,但模量的变化没有规律性,膜基结合力在一定的基体负偏压范围内表现出持续增加的趋势,但在-200 V时开始降低。甲基橙降解实验结果显示,合成的Ti-O和C:Ti-O薄膜都表现出一定的光催化活性,碳掺杂能在一定程度上提高Ti-O薄膜的光催化性能。随着射频电源功率的增加光催化活性有下降趋势,表明带隙的窄化并没有提升光催化活性。而随着基底负偏压的增大,光催化性能先增加后减小。因为过大的基底负偏压会导致薄膜表面的键断裂从而影响C掺杂,导致光催化效果有所下降。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
射频溅射论文参考文献
[1].岳兰.射频溅射功率对非晶Zn-Sn-O薄膜性能的影响[J].半导体光电.2019
[2].岳天峰.CO_2反应气氛下射频溅射制备碳掺杂Ti-O薄膜的成分/结构和光催化性能研究[D].海南大学.2019
[3].仲召进,曹欣,高强,韩娜,崔介东.射频溅射功率对室温沉积AZO薄膜性能的影响[J].真空.2019
[4].马斯晗,韩亚萍,张国生,许同同.射频溅射法制备掺Ce~(3+)荧光薄膜上转换发光研究[J].功能材料与器件学报.2018
[5].E.A.MARTíN-TOVAR,L.G.DAZA,A.J.R.LóPEZ-ARREGUíN,A.IRIBARREN,R.CASTRO-RODRIGUEZ.基底旋转速度对射频溅射法制备Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响（英文）[J].TransactionsofNonferrousMetalsSocietyofChina.2017
[6].廖峻,邵乐喜,张军.射频溅射法制备纳米SiC薄膜的电学和光学性质研究[C].2015年广东省真空学会学术年会论文集.2015
[7].王春花,杨毅夫,刘兴江,白国梁,桑林.射频溅射功率对LiPON电解质的影响[C].第31届全国化学与物理电源学术年会论文集.2015
[8].杨振.室温下射频溅射制备AZO薄膜及其性能研究[D].武汉理工大学.2015
[9].陈连平,陈贻斌,曹俊.Ca_(1-1.5x)WO_4:Eu_x发光薄膜的射频溅射制备技术研究[J].真空科学与技术学报.2015
[10].杨振,赵青南,王燕芳,刘旭,罗乐平.室温下射频溅射沉积AZO薄膜及其性能研究[C].2015年全国玻璃科学技术年会论文专集.2015
论文知识图
