导读:本文包含了汽相沉积论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光纤,薄膜,化学,紫外光,物理性质,电导率,丁基。
汽相沉积论文文献综述
李小宏[1]（2012）在《紫外光辅助化学汽相沉积在InSb焦平面探测器中的应用》一文中研究指出本文系统描述了利用紫外光辅助化学汽相沉积(UVCVD)技术在InSb芯片背面减薄抛光后沉积SiO_2薄膜,作为减反膜以减少芯片表面对红外光的反射。通过测量SiO_2薄膜的光谱透过率,并利用红外焦平面测试系统测试SiO_2膜对器件性能的影响,表明UVCVD沉积的SiO_2膜具有良好的增透效果和均匀性,能有效提高InSb焦平面器件的性能。(本文来源于《内江科技》期刊2012年07期）
赵兴涛,郑义,刘晓旭,周桂耀,沈建平[2]（2011）在《利用非化学汽相沉积法制备掺Yb~(3+)光子晶体光纤的研究》一文中研究指出提出了一种制备掺Yb3+光子晶体光纤(PCF)的新方法,即:非化学气相沉积法。利用溶液掺杂法,将SiO2、YiCl3、AlCl3、K2CO3材料在水溶液中混合,再蒸发、烘干得到均匀的混合材料,经2 000℃以上高温熔炼制备出高掺Yb3+浓度石英玻璃。用掺Yb3+石英玻璃作为纤芯,通过堆积法制备光纤预制棒,再经拉丝塔拉制出了大芯径掺Yb3+PCF。对掺Yb3+PCF的光谱特性进行了实验测量,得到了良好的吸收特性和荧光特性。(本文来源于《光电子.激光》期刊2011年09期）
章从福[3]（2008）在《应用材料将在台湾设立8.5代化学汽相沉积厂》一文中研究指出据台湾联合新闻网报道,全球最大半导体、面板与薄膜太阳能设备商美商应用材料集团决定在南科设立8.5代化学气相沉积(CVD)厂,作为亚洲组装发货中心,此举将大幅提升台湾面板与太阳能设备技术,并可望释出相关设备元器件订单。应用材料子公司AKT是全球面板前段设备(本文来源于《半导体信息》期刊2008年04期）
徐淑东[4]（2008）在《物理汽相沉积并五苯半导体薄膜及其生长机理》一文中研究指出本文利用氮气携带法在物理气相沉积水平生长系统中,生长了均匀的并五苯有机半导体薄膜,用SEM对薄膜表面做了形貌分析,探讨了其生长机理。有机半导体薄膜的生长模型可分为:岛状生长模式:对很多薄膜与衬底的组合来说,只要沉积温度足够高,沉积的原子具有一定的扩散能力,薄膜的生长就表现为岛状生长模式。即使不存在任何对形核有促进作用的有利位置,随着沉积原子的不断增加,衬底上也会聚集许多薄膜的叁维核心。层状生长模式:当被沉积物质与衬底之间的浸润性很好时,被沉积物质的原子更倾向于与衬底原子键合。层状一岛状生长模式:在最开始的一两个原子层的层状生长之后,生长模式从层状模式转化为岛状生长模式。导致这种模式转变的物理机制比较复杂,但根本的原因可以归结为薄膜生长过程中各种能量的相互消长。影响并五苯薄膜的生长过程和成膜质量的因素:(a)衬底表面的粗糙度。因为衬底表面与分子之间作用力(范德华力)不强,分子在光滑的表面容易发生扩散作用,衬底表面太粗糙影响分子在衬底表面的扩散,直接影响二维小岛的形成,所以衬底越光滑越好。(b)源的加热温度。加热温度越高,越不容易形成彼此相连的薄膜。这是因为源的温度过高,分子沉积过快,分子在衬底表面没来得及扩散就被吸附到小岛的顶部,第二层开始生长,形成了很大的晶界。(c)衬底的温度。衬底温度过高,容易发生脱附作用,对成膜不利;衬底温度也不能过低,如果温度过低,分子不容易在衬底表面扩散,所以衬底的温度要根据衬底的种类进行选择。本实验中气流量也是影响薄膜生长的重要因素,气流量过大,分子没来得及落到衬底表面就被吹走;而气流量太小,不容易使气体在小石英管内形成对流,成膜不均匀。由SEM的图像可明显看出并五苯薄膜呈多层生长模式,小岛的顶端又有新的并五苯薄膜生长。经过反复实验,发现加热温度在T=240℃,(此时衬底的温度为70℃),气流量为0.04L/h能形均匀的薄膜。(本文来源于《大连理工大学》期刊2008-05-16）
温媛[5]（2007）在《超声雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究》一文中研究指出ZnO材料是一种具有六角纤锌矿结构的半导体材料,作为一种具有宽带隙、低介电常数,高化学稳定性及优异的光电、压电特性的多功能材料应用领域十分广泛。传统上,ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等领域。近年来,ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比,ZnO薄膜具有生长温度低,激子复合能高(ZnO:60meV,GaN:21～25meV),受激辐射阈值较低,能量转换效率很高等优点。有可能实现室温下较强的紫外受激发射,制备出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极管等光电子器件。另外,ZnO的辐射波长具有比GaN的蓝光发射更短,对增加光记录密度具有重要意义。论文系统的阐述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理,并概括了ZnO薄膜研究的最新进展。利用自制的超声雾化热解沉积技术生长了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试手段,对ZnO薄膜的结构和性能进行了表征。研究了各生长条件,如前驱体溶液浓度、衬底温度、载气流量、衬底到端口的距离、退火处理对ZnO薄膜的结构和性能的影响。实验结果表明,适当的生长条件有利于制备C轴取向生长的ZnO薄膜:当前驱体溶液浓度为0.1 mol/L,衬底温度为320℃,载气流量为5L/min,衬底到端口的距离为60 cm,沉积出高度C轴择优取向的ZnO薄膜,且在氧气气氛下退火温度为600℃时,得到的薄膜结晶状况较好。用AlCl_3·6H_2O作为掺杂剂制备了掺Al的ZnO薄膜,掺杂浓度的增加不利于ZnO薄膜的取向生长。(本文来源于《电子科技大学》期刊2007-06-30）
李颖[6]（2007）在《金属氧化物薄膜的热汽相沉积法制备研究》一文中研究指出氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构的多功能金属氧化物材料,在光电、压电、热电、铁电、铁磁等方面都具有优异的性能。60meV高激子结合能的半导体特性使ZnO在紫外光探测器、蓝紫波段发光二极管(LEDs)和短波长激光二极管(LDs)以及光信息存储领域有着广阔的应用前景。3.37eV宽禁带的特点也使ZnO成为半导体光催化剂的高效催化材料。本文主要通过一种低成本、操作简单、化学组分易控制的合成方法—热汽相沉积法,在非真空条件下制备纳微结构ZnO,并对其生长机理、结构形貌及光催化性能进行较为系统的研究。以金属锌粉为蒸发源物质,在氩气气氛中加热,在无外加催化剂的条件下成功的在Si衬底上制备了大量形貌均一的四足状ZnO(T-ZnO)。测试结果说明四足状产物有较高的结晶质量,这和从中心核伸展生长的“无衬底”生长形式有关,因此产物很容易在基体材料中实现均匀的叁维分布,有可能成为较为理想的复合材料的补强增韧剂。系统比较载气类型及流量、沉积时间和衬底温度对产物形貌的影响,发现在生长过程中热汽相沉积过程对于O2的浓度十分敏感,O2不仅影响ZnO颗粒大小,而且使ZnO的极性生长面发生变化,对产物形貌有决定性作用。此外,通过反应过程的热力学分析,得出在高温时调节氧分压是控制反应趋势的有效手段。沉积时间的增加和衬底温度的升高使衬底上逐渐出现二维纳米片,通过理论分析认为是二维形核率提高所导致。利用VS机理和晶体的形核生长理论,探讨了存在于T-ZnO及棒状ZnO (R-ZnO)中“塔状”形貌的生长机理,认为其形成过程主要决定于ZnO各晶面表面自由能的差异和极性晶体ZnO沿C轴方向生长的固有生长习性,并相应提出了“阶段性外延形核”的生长模式。采用自制光催化性能实验装置对制备的T-ZnO光催化性能进行测试,产物在紫外灯下具有降解甲基橙有机溶液的光催化性能。在对原装置引入水浴冷却槽、并减少测试溶液量之后,测试条件进一步得到优化,解决了先前测试结果中降解率突降及效果不明显的问题,产物催化效率显着。实验结果表明水浴温度是测试ZnO催化降解率过程中的重要因素之一,其原因主要是有效降低了由紫外灯照射产生的热辐射对催化性能的影响。首次采用热汽相沉积和射频磁控溅射相结合的“两步法”成功制备了银/棒状ZnO(Ag/R-ZnO)复合催化剂,针对其光催化性能与单相R-ZnO进行了比较。溅射时间较短的Ag/R-ZnO复合产物其催化效率高于R-ZnO,但溅射时间较长的却低于R-ZnO,分析认为,这是由于溅射时间影响R-ZnO表面Ag负载量所导致的结果。Ag作为光生电子(e-)的接收器,可促进复合系统界面的载流子输运,有效的减少电子空穴对的复合率,从而提高光催化剂反应活性。但在负载量较高时,负载在R-ZnO表面的Ag可能形成一层连续膜,阻碍R-ZnO光照程度,因此无法产生电子-空穴对,造成复合产物光催化性能降低的结果。进一步利用上述方法成功制备了分散性较好的银/四足状ZnO(Ag/T-ZnO)复合催化剂,探讨了溅射功率对产物光催化性能的影响,再一次验证了Ag在T-ZnO表面的沉积量是影响产物光催化性能的关键因素。(本文来源于《北京工业大学》期刊2007-04-10）
金圣雄,金原奭,柳在一,李禹奉,李贞烈[7]（2006）在《利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅(英文)》一文中研究指出成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅。利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si∶H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅。为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率。室温下,电导率从非晶硅的10-10S/cm增加到10-5S/cm。(本文来源于《液晶与显示》期刊2006年05期）
简红彬,康建波,于威,马蕾,彭英才[8]（2006）在《SiC薄膜的化学汽相沉积及其研究进展》一文中研究指出介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法———化学汽相沉积(CVD)法制备SiC薄膜的近年研究进展,并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2006年01期）
沈应中,Marion,Leschke,Stefan,E,Schulz,Ramona,Ecke[9]（2004）在《叁正丁基膦稳定的铜(Ⅰ)β-二酮配合物的合成、表征以及作为前驱物用化学汽相沉积法生长铜膜(英文)》一文中研究指出合成了一系列叁正丁基膦辅助配体稳定的铜仿β鄄二酮配合物,对合成的配合物用元素分析、红外、核磁共振以及热重和差热等手段进行了表征。筛选出性能优良的配合物为前驱物用化学汽相沉积(CVD)的方法生长出金属铜膜,用SEM和EDX等手段对生长的铜膜进行了表征。(本文来源于《无机化学学报》期刊2004年11期）
查健江[10]（2004）在《光纤制备中的外汽相沉积工艺研究》一文中研究指出人们对光纤生产过程中外汽相沉积(OVD)工艺的沉积机理的研究已经有好多年,但实际生产过程中,很多因素都会影响沉积速率和效率。为此我们通过试验,研究了决定沉积速率和沉积效率的主要因素,如预制棒表面温度、SiCl4流量和SiO2颗粒的温度等。(本文来源于《光纤与电缆及其应用技术》期刊2004年04期）
汽相沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种制备掺Yb3+光子晶体光纤(PCF)的新方法,即:非化学气相沉积法。利用溶液掺杂法,将SiO2、YiCl3、AlCl3、K2CO3材料在水溶液中混合,再蒸发、烘干得到均匀的混合材料,经2 000℃以上高温熔炼制备出高掺Yb3+浓度石英玻璃。用掺Yb3+石英玻璃作为纤芯,通过堆积法制备光纤预制棒,再经拉丝塔拉制出了大芯径掺Yb3+PCF。对掺Yb3+PCF的光谱特性进行了实验测量,得到了良好的吸收特性和荧光特性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
汽相沉积论文参考文献
[1].李小宏.紫外光辅助化学汽相沉积在InSb焦平面探测器中的应用[J].内江科技.2012
[2].赵兴涛,郑义,刘晓旭,周桂耀,沈建平.利用非化学汽相沉积法制备掺Yb~(3+)光子晶体光纤的研究[J].光电子.激光.2011
[3].章从福.应用材料将在台湾设立8.5代化学汽相沉积厂[J].半导体信息.2008
[4].徐淑东.物理汽相沉积并五苯半导体薄膜及其生长机理[D].大连理工大学.2008
[5].温媛.超声雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究[D].电子科技大学.2007
[6].李颖.金属氧化物薄膜的热汽相沉积法制备研究[D].北京工业大学.2007
[7].金圣雄,金原奭,柳在一,李禹奉,李贞烈.利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅(英文)[J].液晶与显示.2006
[8].简红彬,康建波,于威,马蕾,彭英才.SiC薄膜的化学汽相沉积及其研究进展[J].微纳电子技术.2006
[9].沈应中,Marion,Leschke,Stefan,E,Schulz,Ramona,Ecke.叁正丁基膦稳定的铜(Ⅰ)β-二酮配合物的合成、表征以及作为前驱物用化学汽相沉积法生长铜膜(英文)[J].无机化学学报.2004
[10].查健江.光纤制备中的外汽相沉积工艺研究[J].光纤与电缆及其应用技术.2004
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