一、二维静态电位函数的FDM数值模拟（论文文献综述）
王芳[1]（2020）在《银/镉基半导体光催化材料的设计合成、电子结构调控和性能研究》文中指出随着人类文明不断进步和社会经济飞速发展,人们对化石能源的需求量日益陡增。由此引发的经济活动和带来的环境污染严重的影响着国民经济的可持续发展,并且逐年恶化的自然环境也对植物和动物的生存造成极大威胁。因而不可再生能源匮乏的窘境和生态环境的严重污染便成为社会可持续发展的两大首要限制因素。如何通过安全可靠和绿色高效的方式来解决这两大难题,是目前众多科学家们所关注的热点话题。毋庸置疑,半导体光催化技术因具备可循环利用和不产生对环境有害物质的特殊性能,成为目前解决该难题的最有效手段。本论文以银基和镉基半导体为主要研究内容,利用金属离子掺杂和异质结构造原理,对半导体的电子结构和界面电荷传输动力学进行调控,旨在从根本上解决半导体的光吸收范围窄、光生电子和空穴复合率高以及稳定性差等关键性问题。研究结果表明,通过掺杂改性的纳米半导体光催化材料和合理结构设计的异质结光催化剂在水中残留对硝基苯酚污染物治理和光催化分解水制备氢能源方面取得了极大的进展。具体研究内容如下:（1）利用高温固相煅烧法制备了一系列非化学计量比的AgNb1-xTaxO3固溶体。通过探究过渡金属元素Ta在AgNbO3中的掺杂类型、掺杂位点和掺杂浓度对晶相结构、能带位置和功函数的影响,得出结论:掺杂具有电负性较小、离子半径和电荷价态相似的金属杂原子至AgNbO3中,将导致固溶体的晶胞体积减小、功函数值降低、载流子迁移率增强。在对硝基苯酚还原反应中,原位生成的金属Ag与AgNb1-xTaxO3固溶体对硝基苯酚的选择性吸附以及AgTaO3还原能力的增强是导致固溶体催化剂性能提高的主要原因。然而,美中不足的是AgTaO3的光吸收范围在紫外区。（2）为了改善AgTaO3的光吸收性能,本章将具有光敏作用的CdS QDs负载在Ag/AgTaO3固溶体上。实验结果表明,CdS QDs/Ag@AgTaO3对不同浓度的对硝基苯酚污染物均表现出优异的催化性能,并且在可见光照射下比Ag/AgTaO3活性提高了10倍,十次循环测试之后性能依旧稳定。CdS QDs的光敏作用以及异质结结构的多电子转移和多活性位点协同作用进一步提高了AgTaO3的光催化性能。（3）基于对上一章实验的探究,可以发现CdS QDs虽然拥有较强的光吸收和还原性能,但是由于表面缺乏活性位点且光生载流子复合率高而往往表现出不近人意的光催化活性。为了解决这一问题,本实验设计合成了单原子Ni负载和掺杂的CdS QDs光催化剂。实验结果和理论计算表明,Ni原子活性位点和杂质能级协同提升了Ni/CdS QDs的光解水产氢性能。在可见光和无助催化剂下,5 h内H2产值接近54 mmol/g,表观量子效率（AQY）达到了52.71%。（4）相比于CdS量子点,块体CdS也具有合适的光学带隙（2.4 eV）和适于析氢的导带电位,并且表面富含大量活性位点。然而光生电子与空穴的快速重组和光化学腐蚀严重阻碍了其进一步研究与应用。为了从根本上解决这一问题,本章实验设计合成了具有良好界面接触和全新I-S型电荷转移模式的锌缺陷ZnS/Cd S异质结。研究结果表明锌缺陷不仅有效提高了ZnS的光吸收性能,还改变了ZnS和CdS的电荷转移模式,这种I-S型电荷转移方式在动力学上加速了电子的转移,并且有效阻断光生空穴在CdS价带的堆积,抑制了CdS的阳极光腐蚀。（5）基于以上研究可以发现镉基量子点具有优异的光学性质和光解水产氢性能,因此本章设计合成了一种双官能团分子巯基乙酸修饰的CdTe QDs/NaTaO3复合光催化剂。实验结果表明当缩短量子点的制备时间后,CdTe QDs的晶粒尺寸减小,光吸收曲线蓝移,光解水产氢性能提高。光电流和ABPE测试表明量子限域效应引起的能级调控对光生电荷转移动力学有重要作用,并且配体中碳链的长度也对界面电荷转移动力学有一定影响。
蒲天磊[2]（2020）在《气体探测器前端读出ASIC芯片设计及关键技术研究》文中进行了进一步梳理加速器的放射性束流线上开展远离稳定线核素的研究工作,特别是研制新型气体探测器测量高流强的束流径迹,用于开展高流强束流诊断和新粒子鉴别的研究工作。时间投影室（TPC）是一种广泛使用的气体探测器,它具有高精度的三维径迹探测能力,并能给出粒子的动量以及能损信息,因此近年来在实验物理领域获得了广泛应用。基于GEM（Gas Electron Multiplier,气体电子倍增器）的GEM-TPC相对于传统的多丝结构,在计数率、正离子反馈、位置分辨方面具有较强的优势。为了能尽可能大的覆盖实验产物的相空间,大面积GEM-TPC探测器成为实验上的首选,因此对读出电子学系统提出高速、高集成度、低功耗的要求。更高的要求必然带来新技术及新方法上的重大挑战,国际上很多实验室都开发了用于探测器读出的专用集成电路ASIC（Application Specific Integrated Circuit,专用集成电路）芯片,并建立了与之相配的读出电子学系统。ASIC芯片的利用,极大简化了前端电子学的设计,减少了功耗开销和硬件支出,因此前端读出ASIC芯片的设计与研制成为我们亟待解决的关键核心技术。本论文针对气体探测器的工作原理、信号特征及读出需求,开展了多通道、低噪声、高计数率、大动态范围的前端读出ASIC芯片的研究工作,并基于CMOS180nm工艺研制了多款前端读出ASIC芯片,包括已流片成功的八通道前放芯片、四通道主放芯片、四通道具有主动吸收探测器漏电流（200 n A）功能的前放芯片、和正在foundry流片制造的16通道前放主放芯片。研制成功的几款芯片已完成实验室测试,结果表明上述几款芯片具有良好的积分非线性和幅度分辨;1 p C的动态范围;50 ns、100 ns及1μs三档可调的成形时间;20k/s的计数率。我们利用基于上述前放和主放芯片及数字多道（MCA8000D）组成的两套电子学系统,与TPC探测器,及55Fe源进行联合测试,相对能量分辨分别好于23%和28.2%;相同测试条件下,利用Ortec商用插件搭建的电子学系统的能量分辨测试结果为24.8%。结果表明我们研制的ASIC芯片可以满足气体探测器能量测量的需求,为下一步研制工程可用的前端读出ASIC芯片打下了坚实的基础。
侯斐[3]（2020）在《站用特高压可控避雷器电位分布特性研究》文中提出随着我国特高压技术的发展,电压等级不断提高,系统过电压成为系统绝缘水平的决定性因素之一。特高压避雷器具有良好的伏秒特性,可以很好地抑制电力系统过电压,对维护系统安全运行具有重要意义。特高压避雷器在运行中将承受长期的系统工作电压或短时的系统过电压,如果其电位分布不均匀,会致使承受电压相对较高的阀片加速老化,威胁避雷器运行安全。对特高压避雷器的电位分布进行计算分析,研究结果可以为监控避雷器状态和优化避雷器结构工作提供依据。本文以电磁场理论和有限元原理为基础,通过Ansoft Maxwell软件对特高压交流避雷器以及特高压交流开关型可控避雷器建立了三维立体模型,对避雷器的电位分布进行了仿真计算分析。基于特高压交流避雷器模型,研究了在避雷器承受稳态电压时阀片电阻的电位分布情况,分析了电压初相位、阀片短路、阀片受潮、相间距以及排列方式等因素对电位分布的影响,得出特高压交流避雷器稳态电位分布趋于均匀,但底部单元节阀片承受的电压较高。电压初相位、阀片短路、阀片受潮、相间距和排列方式等因素对避雷器第1、5节单元节阀片电位分布的影响最大。通过将稳态电位分布仿真计算结果与已有试验数据对比,验证了特高压交流可控避雷器模型的准确性。探究了特高压可控避雷器在承受稳态电压、雷电过电压以及操作过电压情况下阀片电阻的电位分布,分别研究了在承受稳态电压或系统过电压时阀片短路、阀片受潮、相间距、排列方式等因素对电位分布的影响。研究结果表明:特高压可控避雷器的稳态电位分布较均匀,但第1节单元节末端阀片以及第3节单元节各阀片承受的电压相对较高。与承受过电压的可控避雷器相比,承受稳态电压的避雷器电位分布更易受阀片短路、阀片受潮、相间距、排列方式等因素的影响。
张敏[4]（2020）在《基于脑电源分析的帕金森病神经保护生物标记物的研究》文中研究说明帕金森病是最常见的神经退行性疾病之一,给患者的正常工作和生活带来了严重的影响。帕金森病的神经保护研究一直在寻找新的化合物来缓解疾病的进程,以及稳定和无创的生物标记物来证明它们的益处。神经促红细胞生成素（NeuroEPO）是一种糖蛋白激素,近年来的研究表明NeuroEPO在神经元的修复、再生等过程中发挥着广泛的作用,且其在动物模型和健康受试者的耐受性方面取得了良好的结果。本研究将25例帕金森病患者随机分为NeuroEPO组（n=15）和安慰剂组（n=10）。分别记录患者起始时和干预治疗6个月后的静息态脑电图。我们使用脑电图总计评分（The Grand Total EEG score,GTE量表）和多维项目反应理论进行定性脑电图分析。此外,还利用溯源算法变分辨率电磁断层扫描法（Variable Resolution Electromagnetic Tomographic Analysis,VARETA）和线性混合效应模型进行定量脑电图分析。基于上述的脑电图分析,我们又结合帕金森病患者的认知量表数据构建中介效应模型,试图通过中介效应分析来挖掘帕金森病患者的脑电图变化和认知功能之间的相关性。本论文通过多个角度的分析来探索NeuroEPO这种药物对帕金森病患者的神经保护作用。定性脑电图分析的结果显示,在经过药物治疗后,NeuroEPO组的脑电图异常少于安慰剂组（p=0.009）。定量脑电图分析的结果表明,与安慰剂组相比,在干预治疗6个月后NeuroEPO组患者在δ频段时大脑左侧额下回岛盖部的活动减少,在α频段时中央、额叶、顶颞区的活动增强,在β频段时额叶眶、颞叶和边缘结构区的活动减少。中介效应分析的结果表明中介效应存在（p<0.001）,即脑电作为中介变量介导了帕金森病患者治疗手段和认知功能之间的关联,也就是说NeuroEPO首先影响了帕金森病患者的脑电,脑电的变化又对患者的认知功能产生了影响。我们的研究发现即使是小剂量的NeuroEPO也能减少帕金森病患者的脑电图异常,这表明NeuroEPO对与脑节律的产生相关的神经回路有影响。本论文同时从定性和定量脑电图分析两种不同的角度进行了验证,且实验结果说明这两种分析手段都能够区分出NeuroEPO组和安慰剂组的差异。本研究的结果表明NeuroEPO对帕金森病患者具有神经保护作用,未来可能成为治疗帕金森病的一种极具潜力的药物,具有很大的研究价值。
李景丽,栗超超,冯鹏[5]（2020）在《异阻层状土壤对HVDC接地极散流性能的影响分析》文中指出超特高压直流输电系统单极大地运行时,直流电流经过接地极在地中形成恒定电场,对周围电力设施、环境产生一定的影响,且极址附近大范围复杂土壤结构是影响地中电流散流的主要因素。因此本文建立考虑大范围复杂土壤结构的直流接地极有限元数值计算模型;其中针对数千米的求解区域和接地极0. 04 m的截面半径之间存在105数量级差异导致的剖分奇异问题,引入"薄壳"理论;根据地下暗河及断裂层等实际情况构建含有水平层状、垂直层状的土壤结构,分析接地极在异阻层状土壤处于不同位置及环境土壤电阻率不同时的散流性能。得出结论:水平层状对接地电阻的影响较大,垂直层状异阻区能明显改变地表电位,在垂直层远离接地极的一侧电位梯度变化平缓,适合埋设金属管道或建设电力变电站。
邓佳[6]（2020）在《基于机器学习的手势与表情识别技术及其在人机交互中的应用》文中研究指明手势动作是肢体活动中最灵活自由、最具表现力、受限度最低的一种动作类型,被广泛地应用在人机交互中。表面肌电信号（Surface,Electromyography,s EMG）是伴随肌肉收缩产生的一种重要生物信号,直接反映人体运动意图,不受环境因素影响。因此,基于s EMG的手势识别成为自然人机交互研究中的热点。自然的人机交互系统不仅要提供机器人与人之间友好的动作交互,而且要提供情绪交互。自动面部表情识别（Facial expression recognition,FER）使机器人能够理解人类情绪变化,有助于用户情绪健康,成为人机交互的重要内容。然而,目前大多数商用或实验室研制的肌电信号采集系统虽可以无线传输数据,但该类设备的可用通道数较少或柔软性、便携性差或识别手势数量少。另外,在复杂自然场景下的FER任务仍是一个挑战性问题。针对上述问题和面向自然人机交互对于物理交互和情绪交互两方面的应用需求,本文将对手势与表情识别技术及其在自然人机交互中的应用进行研究,主要工作包括:（1）设计手势感知、识别与控制系统整体方案。构建基于s EMG的手势感知系统。设计与实现智能可穿戴式臂环（SWA）。测试SWA对上肢s EMG信号的采集、预处理和无线传输功能,验证本研究构建的基于s EMG的手势感知的可行性与有效性,为本文后续s EMG信号特征提取与优选、基于机器学习的手势识别与交互奠定基础。（2）基于本研究构建的手势感知系统,研究9种机器学习算法和5种归一化方法对6种分类器性能指标的影响。研究最优电极采集位置以及传感器通道数量,采用遗传算法优选特征。9种手势平均离线准确率和实时准确率分别为99.88%和96.20%,五指灵巧手实时模仿用户手势,验证基于s EMG的手势感知系统的可靠性、基于机器学习的手势识别算法的高效性和在自然人机交互中手势交互的实用性。（3）在面向自然人机交互的表情识别与表情驱动方面,针对复杂自然场景下的表情数据集存在的样本不平衡问题,提出基于c GAN的深度网络模型用于人脸表情识别,解耦人脸情绪表征与其他变量（如身份等）,进行表情编辑与样本平衡。提出的算法在两个公开表情数据集（Affect Net和RAF-DB）上优于其他已知算法,验证基于机器学习的表情识别算法的有效性。设计运动单元（AUs）和Unity3D变形目标（MTs）的映射关系,捕获、解析与驱动面部表情,实现3D虚拟人物实时模仿用户面部表情,验证基于运动单元（AUs）驱动虚拟人物表情应用于自然人机交互中表情交互的可行性。
徐鹏超[7]（2019）在《高压釜中试样裂纹扩展实时监测系统研究》文中研究指明在模拟核电设备高温高压水服役环境的高压釜中,实时监测核电结构材料断裂试样裂纹扩展对于研究核电关键结构的合理选材与安全性评价至关重要。由于高压釜中特殊环境制约,直流电位降法（Direct Current Potential Drop method,DCPD）是裂纹扩展实验中实时监测试样裂纹扩展状况的最主要方法之一。本文借助有限元分析软件对标准断裂试样进行电位场数值模拟,分析DCPD法监测裂纹的影响因素,研究开发了基于DCPD法的断裂试样裂纹扩展实时监测系统。完成的主要工作如下:（1）分析了高压釜环境断裂试样拉伸实验中裂纹扩展监测系统工作原理,基于DCPD原理与裂纹扩展监测要求对系统需求进行研究。根据系统需求,对系统进行硬件方案设计和软件功能方案设计。（2）基于裂纹扩展监测原理,用ABAQUS建立试样电位降监测模型,从试样裂纹电位降监测环节和产生环节对裂纹扩展监测影响因素进行研究,找到各因素对监测的影响规律。根据仿真分析结果,利用最小二乘法,拟合裂纹长度与电位降标定公式。（3）根据系统方案设计与裂纹电位降监测影响因素分析,设计裂纹扩展实时监测系统。根据系统需求选择高稳定恒流源,设计制作了电位降信号采集装置;根据系统软件功能方案,对软件各个功能模块进行开发。（4）系统开发完成后,通过实验对系统进行功能验证和性能分析。进行裂纹扩展监测实验,验证系统通信、显示、标度转换等功能是否运行良好;并根据实验数据对降噪算法的准确性和精度进行分析。
褚政宇[8]（2019）在《基于降维电化学模型的锂离子动力电池无析锂快充控制》文中进行了进一步梳理新能源汽车是目前行业热点,其技术核心是车用动力电池,而电池快速充电是一大难题。充电的限速步骤不在充电机而在电池自身,单纯增加充电功率而不考虑电池对功率的接受能力将严重损害电池安全和寿命。因此,开发电池安全快充策略是突破充电瓶颈的关键。本文以大容量车用锂离子电池为对象,从机理研究、模型构建与参数辨识、状态观测与优化控制三个方面对充电安全问题进行剖析,最终开发了无析锂快充策略。对充电滥用条件下电池衰减进行了研究和机理辨识,建立了集总参数降维负极电位估计模型,借助开发的稳定内部电位传感器提出了基于电极分解和频域分解的多阶段集总电化学参数辨识方法。基于降维模型设计了负极电位观测器及自适应时变电流安全快充策略,实现了电池无析锂安全快充,并提出了无析锂意义下的时间最优充电策略。首先,研究了充电滥用下电池衰减机理,阐释了负极析锂反应机制。通过低温加速寿命实验,分析并总结了电池“非线性”衰减规律。基于原位分析和材料形貌表征辨识了充电衰减核心机理为负极析锂导致的活性锂离子损失。针对衰减后的容量恢复现象,基于电压微分和内部电位信号,研究了锂析出后的重嵌入现象,总结了完整的析锂反应机制,明确了抑制析锂的关键在于控制负极电位。第二,建立了集总参数降维负极电位估计模型,开发了集总电化学参数辨识方法。从全维电化学模型出发,通过模型重构得到了电化学模型最小参数集,进而通过推导状态变量的传递函数建立了降维负极电位估计模型。构建了考虑非理想颗粒效应修正的固液相界面通用频域模型,提升了降维模型精度。提高了内部电位传感器稳定性,通过内置式传感器阻隔效应分析,提出了精确测量的方法。依托传感器提出了基于电极分解和频域分解的分阶段参数辨识方法。最后,开发了基于负极电位观测器和电流在线控制器的安全无损快充策略。基于负极电位估计模型,开发了负极电位闭环观测器;基于负极电位在线观测开发了电流在线优化控制器,通过观测器和控制器耦合控制实现了安全快充。针对虚拟电池和商用电池开展了快充测试。耐久性实验表明充电策略安全无析锂。基于安全快充实验结果,提出了锂离子电池的最优充电原则,给出了最优充电曲线的解析表达式,对充电效果进行了验证。
潘萍[9]（2019）在《叠茂/MoS2异质结的输运性质研究》文中研究说明单层二硫化钼（Monolayer Molybdenum Disulfide,ML-MoS2）是一种具有直接带隙的半导体材料,通过功能化修饰ML-MoS2,能够实现带隙在较宽范围内的可控调节,为其在光电磁器件方面提供了广阔的应用前景,已成为当前国内外研究的热点。叠茂纳米线如一维（VBz）n纳米线由于具有半金属性、磁性等优异的特性,在电子器件和磁性材料中有广泛的应用,因而叠茂纳米线也是最为重要的功能材料之一。将叠茂纳米线共价接枝到ML-MoS2上形成异质结可以增强材料的输运性质,拓展材料的应用范围,但有关叠茂与ML-MoS2共价功能化得到复合材料的研究尚少见报道。本文采用密度泛函理论（Density Function Theory,DFT）并结合非平衡格林函数（Non-Equilibrium Green’s Function,NEGF）的方法,通过两种不同的叠茂纳米线（VBz）n和(VC24)n共价接枝到ML-MoS2上得到异质结,研究两类异质结的电子结构及输运性质。为了进行比较,也对无V的（Bz）n和(C24)n共价功能化ML-MoS2表面形成异质结的输运性质进行探索,具体内容如下:第一,研究ML-MoS2单侧接枝（VBz）n纳米线后形成（VBz）n/MoS2的电子结构和输运性质。（Bz）n和（VBz）n单侧接枝到ML-MoS2在热力学上是可行的。铁磁性的（VBz）n/MoS2中V原子磁矩为1.32μB,高于纯的（VBz）n纳米线（S=1.0μB）。（Bz）n接枝到ML-MoS2表面后,体系由半导体转变为导体。当引入V之后,（VBz）n/MoS2呈现出铁磁性和反铁磁性两种简并稳定态,导电性明显增强。铁磁性的（VBz）n/MoS2表现出明显的自旋极化输运特征,自旋向下态比自旋向上态具有更高的导电性。（Bz）n/MoS2和（VBz）n/MoS2均保留ML-MoS2各向异性的导电特征,锯齿方向的电子传递优于扶手椅方向。第二,研究ML-MoS2双侧接枝（VBz）n纳米线后形成（VBz）n/MoS2/（VBz）n的电子结构和输运性质。考虑到不同的接枝位点和V-V之间的磁耦合作用,共优化得到68种构型,确定最稳定的铁磁性（VBz）n/MoS2/（VBz）n构型为研究对象,V原子磁矩为1.21μB,与单侧接枝的铁磁性（VBz）n/MoS2的磁矩接近。双侧接枝的（VBz）n/MoS2/（VBz）n的电导率为铁磁性的（VBz）n/MoS2电导率的2倍,表明（VBz）n纳米线接枝密度的增加可以提高材料的导电性。与铁磁性（VBz）n/MoS2相同,（VBz）n/MoS2/（VBz）n仍具有明显的自旋极化输运特征;与（Bz）n/MoS2不同的是,双侧接枝的（Bz）n/MoS2/（Bz）n的输运也表现出自旋极化的特征,且自旋向下态的导电性优于自旋向上态。第三,研究ML-MoS2单侧接枝(VC24)n形成(VC24)n/MoS2的电子结构和输运性质。(VC24)n/MoS2的铁磁性构型为最稳定结构。(VC24)n/MoS2中V原子的磁矩可达到2.51μB,远高于（VBz）n/MoS2中的V原子的磁矩（1.32μB）。ML-MoS2表面接枝(C24)n后,(C24)n/MoS2导电性增强,且呈现出自旋极化的输运特征:自旋向上态呈现出金属性,自旋向下态显示出半导体性,(C24)n/MoS2表现半金属性。引入V之后,(VC24)n/MoS2导电性进一步增强。(C24)n/MoS2和(VC24)n/MoS2导电性也呈现出与ML-MoS2相同的各向异性。本文研究结果表明,叠茂纳米结构（VBz）n和(VC24)n共价接枝到ML-MoS2表面能够很好地调控材料的电子输运性质,并且能够引入自旋极化的输运性质和磁性,这为设计开发新型的电子信息材料提供理论线索。
魏勇[10]（2018）在《基于FEM-BEM混合法的舰船腐蚀相关静态电场研究》文中进行了进一步梳理腐蚀相关静态电场是舰船重要的非声特征之一,建立能够同时反映船体内外腐蚀相关静态电场状态的仿真模型是对其进行研究的关键。为评估边界元法（BEM）“等势体假设”带来的计算误差,也为研究舰船复合防腐系统全寿命期内的腐蚀相关静态电场,本文根据船体内外场域的各自特点,提出了基于有限元-边界元（FEM-BEM）混合法的仿真模型并完成了计算程序的编制和验证,为相关研究的开展提供了仿真方法。主要研究工作如下:首先通过在浸水结构表面处引入电化学耦合边界条件,建立了基于FEM-BEM混合法的水下金属结构物腐蚀相关静态电场分析模型并编制了计算程序。通过与BEM计算结果的比较,证明了采用该方法模拟电偶腐蚀和外加电流阴极保护（Impressed current cathodic protection,ICCP）这两种典型腐蚀/防腐状态时参数设置的合理性。接着对舰船腐蚀相关静态电场的控制参数进行了梳理并给出了模型化方法,通过与模型实验结果的比较对方法的有效性进行了验证。最后以某舰ICCP系统设计方案为研究对象,对复合防腐系统全寿命期内典型工况下的腐蚀相关静态电场进行了研究。结果表明,当ICCP系统处于正常工作状态时,防腐系统寿命末期的静态电场强度明显强于初始状态,大块的局部涂层脱落会对场强造成影响;当系统处于关闭状态时,防腐系统全寿命期内电场分布情况基本保持一致,相对工作状态时的场强有明显降幅,是一种可行的战时措施;全寿命期内的电场垂直分量在三倍船长距离外的衰减速率明显大于水平分量;桨轴接地系统失效时,接地电阻的变化对水下静态电场的强度和分布影响显着;BEM法“等势体假设”引起的计算误差与电极表面的涂层状态和电极间的内部压差密切相关;在战时将单区ICCP系统的控制电位调整至某一数值以电场特征控制是可行的,可实现比关闭系统更好的控制效果。
二、二维静态电位函数的FDM数值模拟（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、二维静态电位函数的FDM数值模拟（论文提纲范文）
（1）银/镉基半导体光催化材料的设计合成、电子结构调控和性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 半导体光催化简介 |
| 1.2.1 太阳光 |
| 1.2.2 半导体 |
| 1.3 半导体光催化原理 |
| 1.4 半导体光催化剂改性方法 |
| 1.4.1 掺杂 |
| 1.4.2 表面沉积金属 |
| 1.4.3 半导体复合 |
| 1.5 银基/镉基半导体材料简介与研究进展 |
| 1.5.1 银基半导体材料光催化研究进展 |
| 1.5.2 镉基半导体材料光催化研究进展 |
| 1.6 研究意义与研究内容 |
| 1.6.1 研究意义 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验仪器与测试条件 |
| 2.1 实验仪器与药品 |
| 2.2 测试条件与样品表征 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.2.2 傅里叶红外光谱(FT-IR) |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.4 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.2.5 紫外-可见漫反射(DSR) |
| 2.2.6 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.2.7 表面光电压谱(SPV) |
| 2.2.8 电化学测试 |
| 2.2.9 紫外光电子能谱(UPS) |
| 2.2.10 荧光光谱测试(PL) |
| 2.2.11 密度泛函计算(DFT) |
| 第三章 原位生成Ag~0/AgNb_(1-x)Ta_xO_3用于揭示电子结构和活性位点与催化性能的构效关系 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验内容 |
| 3.2.1 Ag_2O前躯体的制备 |
| 3.2 2 AgNb_(1-x)Ta_xO_3 固溶体的制备 |
| 3.2.3 Ag~0/AgNb_(1-x)Ta_xO_3 复合材料的制备 |
| 3.2.4 催化还原对硝基苯酚试验 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 晶体结构与形貌 |
| 3.3.2 金属离子掺杂机理分析 |
| 3.3.3 表面化学价态和电子结构 |
| 3.3.4 固溶体光催化性能研究 |
| 3.3.5 界面电荷转移分析 |
| 3.3.6 光催化机理探究 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 CdS QDs修饰AgTaO_3用于增强可见光光催化活性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验内容 |
| 4.2.1 AgTaO3的制备 |
| 4.2.2 CdS QDs的制备 |
| 4.2.3 TCQ/AgTaO_3 复合材料的制备 |
| 4.2.4 xTCQ/Ag@AgTaO_3 复合材料的制备 |
| 4.2.5 Ag/TCQ的制备 |
| 4.2.6 催化还原对硝基苯酚试验 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 光催化剂的结构与形貌 |
| 4.3.2 化学组成与价态分析 |
| 4.3.3 光学性能 |
| 4.3.4 光催化性能 |
| 4.3.5 光催化机理探究 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 单原子Ni负载和掺杂的CdS QDs用于光解水产氢性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验内容 |
| 5.2.1 Fe~(2+),Co~(2+),Ni~(2+)离子掺杂CdS QDs的制备 |
| 5.2.2 光催化分解水产氢活性测试 |
| 5.3 实验结果及讨论 |
| 5.3.1 结构与形貌分析 |
| 5.3.2 化学组成与价态分析 |
| 5.3.3 光学性能研究 |
| 5.3.4 光催化性能测试 |
| 5.3.5 光催化机理探究 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 锌缺陷ZnS/CdS复合光催化剂的构筑及光催化机理探究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验内容 |
| 6.2.1 CdS纳米棒的制备 |
| 6.2.2 CdS/ZnS复合物的制备 |
| 6.2.3 光催化分解水制氢活性测试 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.3.1 光催化剂制备流程 |
| 6.3.2 晶体结构与形貌 |
| 6.3.3 光学性能 |
| 6.3.4 表面化学价态和电子结构 |
| 6.3.5 光电测试与光催化性能研究 |
| 6.3.6 荧光与寿命测试 |
| 6.3.7 光催化机理探究 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 CdTe QDs/NaTaO_3异质结光催化剂的设计合成与光生电荷动力学研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验内容 |
| 7.2.1 NaTaO_3的制备 |
| 7.2.2 TGA-Cd e QDs的制备 |
| 7.2.3 TGA(MPA)-CdTe QDs/NaTaO_3的制备 |
| 7.2.4 光催化分解水制氢反应 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 密度泛函理论计算 |
| 7.3.2 催化剂制备原理 |
| 7.3.3 结构与相貌分析 |
| 7.3.4 表面结构与化学价态分析 |
| 7.3.5 光学性能分析 |
| 7.3.6 光电性能测试 |
| 7.3.7 光催化性能测试 |
| 7.3.8 光催化反应机理 |
| 7.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 总结与展望 |
| 总结 |
| 展望 |
| 攻读博士期间的研究成果 |
| 致谢 |
（2）气体探测器前端读出ASIC芯片设计及关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 论文研究的背景 |
| 1.2 论文研究内容 |
| 第2章 气体探测器与专用集成电路芯片 |
| 2.1 气体探测器发展 |
| 2.2 气体探测器的分类 |
| 2.2.1 正比计数器 |
| 2.2.2 多丝正比室 |
| 2.2.3 微结构气体探测器 |
| 2.2.4 时间投影室 |
| 2.3 专用集成电路 |
| 2.3.1 专用集成电路的分类 |
| 2.3.2 核电子学中ASIC的特点 |
| 2.4 国内外应用于GEM-TPC的 ASIC实例 |
| 2.4.1 AGET |
| 2.4.2 CASAGEM |
| 2.4.3 SAMPA |
| 2.4.4 总结 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 读出电路理论分析 |
| 3.1 探测器电路等效分析 |
| 3.1.1 探测器的信号 |
| 3.1.2 信号的极性 |
| 3.1.3 探测器的空间分辨 |
| 3.1.4 漏电流 |
| 3.1.5 探测器等效电路 |
| 3.1.6 探测器噪声 |
| 3.2 前放电路等效分析 |
| 3.2.1 前放电路分析 |
| 3.2.2 前放噪声分析 |
| 3.3 主放电路等效分析 |
| 3.3.1 主放电路分析 |
| 3.3.2 主放噪声性能分析 |
| 3.4 峰保持电路 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 前端专用集成电路ASIC芯片的设计 |
| 4.1 芯片设计目标及考虑 |
| 4.2 芯片整体结构框图 |
| 4.3 ASIC芯片设计工艺、流程、工具和仿真介绍 |
| 4.3.1 工艺 |
| 4.3.2 ASIC设计流程与工具 |
| 4.3.3 ASIC芯片的设计仿真 |
| 4.4 芯片中MOS管的参数计算方法 |
| 4.5 前放模块电路设计 |
| 4.5.1 电阻反馈CSA电路的设计 |
| 4.5.2 电阻反馈CSA前放电路的仿真 |
| 4.5.3 漏电流吸收前放OTACSA的设计 |
| 4.5.4 漏电流结构前放OTACSA的仿真 |
| 4.6 主放模块电路设计 |
| 4.6.1 极零相消设计 |
| 4.6.2 低通滤波器设计 |
| 4.6.3 主放电路仿真结果 |
| 4.6.4 电容放大主放shaper Cap电路的设计仿真 |
| 4.7 其它模块电路设计 |
| 4.7.1 峰保持电路设计 |
| 4.7.2 甄别器设计 |
| 4.7.3 参考源设计 |
| 4.7.4 寄存器链路 |
| 4.8 原理设计总结 |
| 4.9 根据工艺优化版图设计 |
| 4.10 单元版图设计 |
| 4.11 芯片级版图设计及后仿真 |
| 4.12 版图设计总结 |
| 4.13 ASIC芯片的封装 |
| 4.14 芯片测试PCB设计 |
| 4.15 实验室测试 |
| 4.15.1 静态测试 |
| 4.15.2 线性测试 |
| 4.15.3 噪声测试 |
| 4.15.4 幅度分辨测试 |
| 4.15.5 串扰测试 |
| 4.15.6 计数率测试 |
| 4.15.7 实验室测试总结 |
| 4.16 探测器联合测试 |
| 4.16.1 CSA+shaper与 MWDC探测器激光源联合测试 |
| 4.16.2 OTACSA+shaper2与MWDC探测器激光源联合测试 |
| 4.16.3 OTACSA+shaper2与MWDC探测器、~(55)Fe源联合测试 |
| 4.17 与GEM-TPC及55Fe源联合测试 |
| 4.18 Shaper与 La Br3 探头及Na22 源联合测试 |
| 4.19 测试总结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）站用特高压可控避雷器电位分布特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 课题研究背景 |
| 1.1.2 特高压交流开关型可控避雷器 |
| 1.1.3 电位分布研究意义 |
| 1.2 避雷器电位分析研究现状 |
| 1.3 课题的主要研究内容 |
| 第二章 避雷器电位分布计算原理 |
| 2.1 电磁场理论 |
| 2.2 有限元原理 |
| 2.2.1 有限元法计算步骤 |
| 2.2.2 特高压避雷器电位分布的三维计算 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 特高压交流避雷器电位分布计算 |
| 3.1 特高压避雷器结构 |
| 3.2 避雷器稳态电位分布 |
| 3.2.1 稳态模型的建立 |
| 3.2.2 稳态电压仿真计算结果及分析 |
| 3.2.3 电压初相位对避雷器电位分布的影响 |
| 3.2.4 阀片短路对避雷器电位分布的影响 |
| 3.2.5 阀片受潮对避雷器电位分布的影响 |
| 3.2.6 相间距对避雷器电位分布的影响 |
| 3.2.7 不同排列方式对避雷器电位分布的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 特高压交流开关型可控避雷器电位分布计算 |
| 4.1 特高压可控避雷器结构 |
| 4.2 避雷器稳态电位分布 |
| 4.2.1 稳态模型的建立 |
| 4.2.2 稳态电压仿真计算结果及分析 |
| 4.2.3 电压初相位对避雷器电位分布的影响 |
| 4.2.4 阀片短路对避雷器电位分布的影响 |
| 4.2.5 阀片受潮对避雷器电位分布的影响 |
| 4.2.6 相间距对避雷器电位分布的影响 |
| 4.2.7 排列方式对避雷器电位分布的影响 |
| 4.3 承受雷电过电压的避雷器电位分布 |
| 4.3.1 单相避雷器电位分布 |
| 4.3.2 阀片短路对避雷器电位分布的影响 |
| 4.3.3 阀片受潮对避雷器电位分布的影响 |
| 4.3.4 相间距对避雷器电位分布的影响 |
| 4.3.5 排列方式对避雷器电位分布的影响 |
| 4.4 承受操作过电压的避雷器电位分布 |
| 4.4.1 单相避雷器电位分布 |
| 4.4.2 阀片短路对避雷器电位分布的影响 |
| 4.4.3 阀片受潮对避雷器电位分布的影响 |
| 4.4.4 相间距对避雷器电位分布的影响 |
| 4.4.5 排列方式对避雷器电位分布的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 在读期间公开发表的论文 |
| 致谢 |
（4）基于脑电源分析的帕金森病神经保护生物标记物的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 帕金森病研究背景 |
| 1.2 脑电的研究现状及发展趋势 |
| 1.2.1 脑电的简述 |
| 1.2.2 脑电的分类 |
| 1.3 脑电源成像 |
| 1.3.1 脑电正问题 |
| 1.3.2 脑电逆问题 |
| 1.4 本文的主要研究内容 |
| 1.5 论文的结构安排 |
| 第二章 数据获取与处理 |
| 2.1 被试描述 |
| 2.2 脑电数据与量表描述 |
| 2.3 脑电数据预处理 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 脑电图分析及其结果 |
| 3.1 定性脑电图分析及其结果 |
| 3.1.1 脑电图总计评分 |
| 3.1.2 多维项目反应理论 |
| 3.1.3 定性脑电图分析结果 |
| 3.2 定量脑电图分析及其结果 |
| 3.2.1 脑电溯源 |
| 3.2.2 线性混合效应模型 |
| 3.2.3 脑电溯源分析结果 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 中介效应分析 |
| 4.1 中介效应相关理论介绍 |
| 4.1.1 中介效应模型介绍 |
| 4.1.2 中介效应检验方法介绍 |
| 4.2 中介效应模型构建与结果分析 |
| 4.2.1 中介效应模型构建 |
| 4.2.2 中介效应模型结果分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 不足与后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（5）异阻层状土壤对HVDC接地极散流性能的影响分析（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 直流接地极有限元数学模型 |
| 1.1 直流接地极电流场有限元模型 |
| 1.2 针对剖分奇异问题引入薄壳理论 |
| 1.3 验证引入薄壳理论的有限元数值计算模型 |
| 1.4 两种土壤结构模型 |
| 2 散流机理分析 |
| 2.1 水平层状异阻区对接地极散流机理的分析 |
| 2.2 垂直层状异阻区对接地极散流机理的分析 |
| 3 异阻层状土壤中接地极的散流影响分析 |
| 3.1 水平层状异阻区对接地极散流影响分析 |
| 3.1.1 水平异阻区深度对散流的影响分析 |
| 3.1.2 环境土壤电阻率对散流的影响分析 |
| 3.2 垂直层状异阻区对接地极散流影响分析 |
| 3.2.1 垂直异阻区位置对散流的影响分析 |
| 3.2.2 环境土壤电阻率对散流的影响分析 |
| 4 结论 |
（6）基于机器学习的手势与表情识别技术及其在人机交互中的应用（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景与研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 手势识别 |
| 1.2.2 表情识别 |
| 1.3 本文研究内容 |
| 1.4 章节安排 |
| 2 面向自然人机交互的手势感知系统构建 |
| 2.1 肌电信号产生机理和特征 |
| 2.2 手势感知、识别与控制系统整体设计 |
| 2.3 多通道柔性智能可穿戴式臂环设计与实现 |
| 2.3.1 肌电极选择与多通道柔性织物电极设计 |
| 2.3.2 表面肌电信号预处理的软硬件设计 |
| 2.3.3 无线通信模块的软硬件设计 |
| 2.3.4 多通道柔性智能可穿戴式臂环实现 |
| 2.4 基于表面肌电信号的手势感知测试及验证 |
| 2.4.1 前臂肌群与手指动作关系 |
| 2.4.2 目标手势及肌电信号提取验证 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 面向自然人机交互的手势识别与灵巧手控制 |
| 3.1 表面肌电信号预处理与特征提取 |
| 3.2 特征优选 |
| 3.2.1 遗传算法概述 |
| 3.2.2 遗传算法应用于特征选择 |
| 3.3 分类器设计 |
| 3.3.1 判别式分析 |
| 3.3.2 多层感知机 |
| 3.3.3 支持向量机 |
| 3.4 手势识别与灵巧手控制 |
| 3.4.1 手势识别测试与验证 |
| 3.4.2 基于手势识别的灵巧手控制 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 面向自然人机交互的表情识别与表情驱动 |
| 4.1 GAN及其衍生模型 |
| 4.1.1 生成式对抗网络(GAN) |
| 4.1.2 GAN的衍生模型 |
| 4.2 表情识别网络框架设计 |
| 4.3 人脸检测、预处理与损失函数 |
| 4.3.1 人脸检测与预处理 |
| 4.3.2 网络损失函数 |
| 4.4 表情识别模型测试与分析 |
| 4.4.1 表情数据集与数据分析 |
| 4.4.2 EAU-Net模型测试与分析 |
| 4.5 实时拟真人3D模型表情驱动 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 A 智能可穿戴式臂环硬件原理图 |
| 附录 B 智能可穿戴式臂环PCB分层图 |
| 作者简历及在攻读硕士学位期间的学术成果和科研项目 |
（7）高压釜中试样裂纹扩展实时监测系统研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 裂纹监测技术研究现状 |
| 1.2.2 裂纹扩展监测系统研究现状 |
| 1.3 本文的主要研究内容以及技术路线 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 1.3.3 技术路线 |
| 2 裂纹扩展监测系统方案设计 |
| 2.1 系统工作原理 |
| 2.2 裂纹扩展监测原理 |
| 2.2.1 直流电位降法 |
| 2.2.2 直流电位降监测影响因素 |
| 2.3 系统总体方案设计 |
| 2.3.1 需求分析 |
| 2.3.2 硬件方案设计 |
| 2.3.3 软件功能方案设计 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 裂纹扩展电位降信号特征分析 |
| 3.1 电位场的有限元分析基本理论 |
| 3.1.1 通电导体电场分布 |
| 3.1.2 静态电位场有限元分析 |
| 3.2 CT试样电位场有限元模型的建立 |
| 3.3 裂纹扩展电位降监测的影响因素分析 |
| 3.3.1 接线点位置 |
| 3.3.2 试样材料电导率与输入电流强度 |
| 3.3.3 试样几何尺寸加工误差 |
| 3.4 标定关系 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 裂纹扩展监测系统的设计与实现 |
| 4.1 硬件选型设计 |
| 4.1.1 恒流源的选择 |
| 4.1.2 信号采集卡的制作 |
| 4.2 软件界面设计 |
| 4.3 数据采集模块 |
| 4.3.1 通信模块 |
| 4.3.2 数据显示模块 |
| 4.4 数据处理模块 |
| 4.4.1 数据标度转换 |
| 4.4.2 数字滤波算法 |
| 4.4.3 数字滤波算法设计与分析 |
| 4.5 数据存储模块 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 裂纹扩展监测系统测试结果与分析 |
| 5.1 系统功能测试 |
| 5.1.1 静态裂纹监测实验功能测试 |
| 5.1.2 动态裂纹监测实验功能测试 |
| 5.2 滤波算法精度和准确性测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（8）基于降维电化学模型的锂离子动力电池无析锂快充控制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 主要符号对照表 |
| 第1章 引言 |
| 1.1 课题背景与选题意义 |
| 1.1.1 为能源战略布局:大力发展新能源汽车 |
| 1.1.2 新能源车技术核心:动力电池技术 |
| 1.1.3 电动汽车充电问题 |
| 1.1.4 课题提出 |
| 1.2 与本课题相关的研究综述 |
| 1.2.1 锂离子电池充电耐久性与安全性衰减机理研究现状 |
| 1.2.1.1 充电耐久性影响机理 |
| 1.2.1.2 充电安全性影响机理 |
| 1.2.2 锂离子电池用参比电极研究现状 |
| 1.2.3 面向控制的电化学机理模型与参数辨识研究现状 |
| 1.2.3.1 电化学机理模型简化 |
| 1.2.3.2 电化学模型参数辨识 |
| 1.2.4 快速充电策略研究现状 |
| 第2章 大容量锂离子电池充电衰减机理 |
| 2.1 本章引言 |
| 2.2 低温充电加速衰减实验 |
| 2.2.1 实验方法 |
| 2.2.2 容量与内阻衰减分析 |
| 2.3 衰减机理辨识 |
| 2.3.1 基于ICA的衰减机理辨识 |
| 2.3.2 基于预后模型的定量衰减估计 |
| 2.3.3 电池材料形貌表征 |
| 2.4 析锂副反应行为机制 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 集总参数负极电位估计模型构建 |
| 3.1 本章引言 |
| 3.2 集总参数电化学模型重构 |
| 3.2.1 模型重构 |
| 3.2.2 全维集总参数模型总结 |
| 3.3 通用界面模型及修正 |
| 3.3.1 通用界面模型 |
| 3.3.1.1 界面定义 |
| 3.3.1.2 颗粒/SEI膜界面 |
| 3.3.1.3 SEI膜/电解液界面 |
| 3.3.1.4 全阻抗模型 |
| 3.3.1.5 考虑CPE特性 |
| 3.4 集总参数电化学模型降维 |
| 3.4.1 负极电位传递函数推导 |
| 3.4.2 其余状态传递函数推导 |
| 3.4.3 模型降维与时域响应 |
| 3.4.4 恒流工况对比 |
| 3.4.5 FUDS工况对比 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 基于负极电位传感器的模型参数辨识 |
| 4.1 本章引言 |
| 4.2 稳定内部电位传感器开发 |
| 4.2.1 新型参比电极设计与测试 |
| 4.2.2 误差分析动态实验设计 |
| 4.2.3 二维有限元电化学模型 |
| 4.3 内置式传感器阻隔效应解析 |
| 4.3.1 电极电位的反常特性 |
| 4.3.2 反常电位模型拟合 |
| 4.3.3 反常特性的解释:阻隔效应 |
| 4.3.4 实现精确测量:参数敏感性分析 |
| 4.3.4.1 传感器宽度 |
| 4.3.4.2 传感器厚度 |
| 4.3.4.3 测试电流倍率 |
| 4.4 基于电极和频域分解的参数辨识方法 |
| 4.4.1 修正的“大倍率”模型 |
| 4.4.2 固液相界面模型 |
| 4.4.3 分阶段参数辨识方法 |
| 4.4.3.1 OCV测试 |
| 4.4.3.2 瞬态测试 |
| 4.4.3.3 稳态测试 |
| 4.4.3.4 全频域综合测试 |
| 4.4.4 辨识方法总结 |
| 4.5 参数辨识结果与分析 |
| 4.5.1 辨识过程与结果对比 |
| 4.5.2 辨识参数集时域响应 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 基于负极电位观测的无析锂安全快充策略 |
| 5.1 本章引言 |
| 5.2 安全快充策略开发与仿真测试 |
| 5.2.1 负极电位观测器 |
| 5.2.2 电流在线优化控制器 |
| 5.2.3 不同初始状态充电策略效果测试 |
| 5.2.4 噪声干扰下的鲁棒性测试 |
| 5.3 安全快充策略实验验证 |
| 5.4 最优充电理论 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 论文工作总结 |
| 6.2 展望与建议 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（9）叠茂/MoS2异质结的输运性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 二维纳米材料的研究进展 |
| 1.2.1 二维纳米材料的种类 |
| 1.2.2 二维纳米材料的性质与性能研究 |
| 1.3 二维MoS_2的研究进展 |
| 1.3.1 二维MoS_2的结构 |
| 1.3.2 二维MoS_2的性质 |
| 1.3.3 MoS_2的功能化修饰与性能调节 |
| 1.4 一维叠茂纳米线的研究进展 |
| 1.4.1 一维叠茂MnBz_(n+1)的结构和性质 |
| 1.4.2 一维叠茂MnBz_(n+1)功能化修饰与性能调节 |
| 1.5 零维富勒烯的研究进展 |
| 1.5.1 C_(60)富勒烯的结构和性质 |
| 1.5.2 富勒烯的功能化修饰与性能调节 |
| 1.6 课题来源与研究内容 |
| 1.6.1 课题来源 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 第2章 计算方法的理论基础 |
| 2.1 电子结构的计算方法 |
| 2.1.1 能带理论 |
| 2.1.2 态密度 |
| 2.2 量子输运理论 |
| 2.2.1 非格林平衡函数 |
| 2.2.2 Landauer-Bütiker公式 |
| 第3章 (VBz)n/MoS_2异质结的电子结构和输运性质研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 模型的建立和计算方法 |
| 3.2.1 模型的建立 |
| 3.2.2 计算方法 |
| 3.3 (VBz)n/MoS_2的电子结构 |
| 3.3.1 (VBz)n/MoS_2的几何结构 |
| 3.3.2 (VBz)n/MoS_2的能带 |
| 3.3.3 (VBz)n/MoS_2的磁性质 |
| 3.4 (VBz)n/MoS_2的输运性质 |
| 3.4.1 (VBz)n/MoS_2的I-V曲线 |
| 3.4.2 (VBz)n/MoS_2的ES和MPSH |
| 3.4.3 (VBz)n/MoS_2的传输谱 |
| 3.4.4 (VBz)n/MoS_2的电压降 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n异质结的电子结构和输运性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 模型的建立与计算方法 |
| 4.2.1 模型的建立 |
| 4.2.2 计算方法 |
| 4.3 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的电子结构 |
| 4.3.1 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的几何结构 |
| 4.3.2 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的能带 |
| 4.3.3 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的磁性质 |
| 4.4 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的输运性质 |
| 4.4.1 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的I-V曲线 |
| 4.4.2 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的ES和MPSH |
| 4.4.3 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的传输谱 |
| 4.4.4 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的电压降 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 (VC_(24))n/MoS_2异质结的电子结构和输运性质研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 模型的构建与计算方法 |
| 5.2.1 模型的构建 |
| 5.2.2 计算方法 |
| 5.3 (VC_(24))n/MoS_2的电子结构 |
| 5.3.1 (VC_(24))n/MoS_2的几何结构 |
| 5.3.2 (VC_(24))n/MoS_2的能带 |
| 5.3.3 (VC_(24))n/MoS_2的磁性质 |
| 5.4 (VC_(24))n/MoS_2的输运性质 |
| 5.4.1 (VC_(24))n/MoS_2的I-V曲线 |
| 5.4.2 (VC_(24))n/MoS_2的ES和MPSH分析 |
| 5.4.3 (VC_(24))n/MoS_2的传输谱 |
| 5.4.4 (VC_(24))n/MoS_2的电压降 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（10）基于FEM-BEM混合法的舰船腐蚀相关静态电场研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 舰船水下电场的组成 |
| 1.1.3 腐蚀相关静态电场的成因 |
| 1.1.4 研究意义 |
| 1.2 国内外相关研究概况及发展趋势 |
| 1.2.1 国外研究进展 |
| 1.2.2 国内研究进展 |
| 1.2.3 发展趋势分析 |
| 1.3 本文主要研究思路与研究内容 |
| 2 水下金属结构物腐蚀相关静态电场计算方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 数学模型的建立和计算方法 |
| 2.2.1 外部腐蚀相关静态电场数学模型及计算方法 |
| 2.2.2 内部腐蚀相关静态电场数学模型及计算方法 |
| 2.2.3 内外电场的边界耦合机理 |
| 2.2.4 非线性边界条件的拟线性化 |
| 2.2.5 混合法矩阵方程组的形成 |
| 2.2.6 场值的计算 |
| 2.3 计算程序HYBRID_EF |
| 2.3.1 数据输入 |
| 2.3.2 前处理 |
| 2.3.3 分析计算 |
| 2.3.4 后处理 |
| 2.3.5 计算流程 |
| 2.4 算例 |
| 2.4.1 半圆柱形槽体的电偶腐蚀 |
| 2.4.2 半圆柱形槽体的外加电流系统 |
| 2.4.3 箱体的外加电流阴极保护 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 舰船腐蚀相关水下静态电场的控制参数及模型化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 舰船腐蚀相关静态电场的控制参数及模型化 |
| 3.2.1 腐蚀/防腐参数 |
| 3.2.2 环境参数 |
| 3.2.3 结构参数 |
| 3.3 实验验证 |
| 3.3.1 实验装置和设施 |
| 3.3.2 实验过程 |
| 3.3.3 实验结果 |
| 3.3.4 结果比较 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 舰船腐蚀相关水下静态电场研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 某舰ICCP系统设计方案的腐蚀相关静态电场研究 |
| 4.2.1 方案的合理性验证 |
| 4.2.2 ICCP系统正常工作时的全寿命期腐蚀相关水下静态电场 |
| 4.2.3 ICCP系统关闭状态下的全寿命期腐蚀相关水下静态电场 |
| 4.2.4 桨轴接地系统失效状态下的静态电场 |
| 4.2.5 单区ICCP系统电场特征控制初探 |
| 4.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录A 材料极化曲线 |
| 附录B 电场特征值计算结果 |
| 致谢 |
四、二维静态电位函数的FDM数值模拟（论文参考文献）
- [1]银/镉基半导体光催化材料的设计合成、电子结构调控和性能研究[D]. 王芳. 内蒙古大学, 2020(05)
- [2]气体探测器前端读出ASIC芯片设计及关键技术研究[D]. 蒲天磊. 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2020(01)
- [3]站用特高压可控避雷器电位分布特性研究[D]. 侯斐. 山东理工大学, 2020(02)
- [4]基于脑电源分析的帕金森病神经保护生物标记物的研究[D]. 张敏. 电子科技大学, 2020(07)
- [5]异阻层状土壤对HVDC接地极散流性能的影响分析[J]. 李景丽,栗超超,冯鹏. 电瓷避雷器, 2020(02)
- [6]基于机器学习的手势与表情识别技术及其在人机交互中的应用[D]. 邓佳. 浙江大学, 2020(06)
- [7]高压釜中试样裂纹扩展实时监测系统研究[D]. 徐鹏超. 西安科技大学, 2019(01)
- [8]基于降维电化学模型的锂离子动力电池无析锂快充控制[D]. 褚政宇. 清华大学, 2019(02)
- [9]叠茂/MoS2异质结的输运性质研究[D]. 潘萍. 哈尔滨理工大学, 2019(08)
- [10]基于FEM-BEM混合法的舰船腐蚀相关静态电场研究[D]. 魏勇. 大连理工大学, 2018(07)