导读:本文包含了电学性质论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:电学,性质,卤族,薄膜,光学,弹性,晶粒。
电学性质论文文献综述写法
王春杰,王月,高春晓[1]（2019）在《高压下金红石相TiO_2的晶界电学性质》一文中研究指出应用电化学阻抗谱法研究了高压下金红石相TiO_2的晶粒和晶界电学性质.随着压力的升高, TiO_2的电阻降低,在相变区域内(11.5 GPa附近),表现出了无规则的变化.通过对阻抗谱的测量发现,在较低的压力下(常压到11.5 GPa范围内), TiO_2的晶界特性不明显.但是随着压力(大于11.5 GPa)的升高,相变后TiO_2的晶界特性变得显着.这说明压力作用下晶粒和晶界的行为与TiO_2相结构的转变有着密切的联系.通过计算得到,当压力高于25.2 GPa时, TiO_2的晶粒边界空间电荷势稳定存在,其值约为30 mV.分析表明高压下TiO_2晶界空间电荷势来源于静电相互作用和弹性相互作用两部分共同作用的影响.(本文来源于《物理学报》期刊2019年20期）
李瑞东,邓金祥,张浩,徐智洋,潘志伟[2]（2019）在《Rubrene∶MoO_3混合薄膜的制备及光学和电学性质》一文中研究指出利用热蒸发技术在衬底温度为室温的硅衬底、氧化铟锡衬底和石英衬底上制备了红荧烯与氧化钼的混合薄膜.将两种材料放置于不同的坩埚中,通过控制蒸发源的温度来控制混合比例,制备了不同比例的混合薄膜.通过原子力显微镜对混合薄膜的表面形貌进行了测量,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,薄膜表面的平整度最好;通过X射线衍射分析对混合薄膜的结晶性进行分析,发现不同浓度的混合薄膜均表现出非晶态特征.通过PL谱和吸收光谱研究了不同比例的混合薄膜的光学性质,从光致发光谱可以发现:混合薄膜在近红外区域有显着吸收,说明红荧烯在氧化钼诱导下产生中间能级,形成电荷转移络合物.从吸收谱知:除4:1外,其他比例的混合薄膜具有几乎相同的吸收峰.根据Tauc方程计算了混合薄膜的光学带隙,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,混合薄膜的带隙最窄(-2.23 eV).制备了结构为Al/rubrene:MoO_3/ITO的器件,测试了J-V特性,研究了混合薄膜的电学性质.发现当混合比例为4:1和2:1时,混合薄膜与金属电极的接触表现为欧姆接触.本研究显示出红荧烯和氧化钼的混合薄膜在近红外区域有潜在的应用前景,也为红荧烯和氧化钼的混合薄膜在有机光电器件的应用提供了基础.(本文来源于《物理学报》期刊2019年17期）
李伟,郑伟,丁长路,张宏宇[3]（2019）在《La和Sr的掺杂对PZT薄膜电学性质的影响》一文中研究指出该文采用溶胶-凝胶法在LaNiO_3/Pt/Ti/SiO_2/Si基片上制备了掺杂La元素的Pb_(1-0.05)La_(0.05)ZrTiO_3(PLZT)、掺杂Sr元素的Pb_(1-0.05)Sr_(0.05)ZrTiO_3(PSZT)、掺杂La和Sr元素的Pb_(1-0.1)La_(0.05)Sr_(0.05)ZrTiO_3(PLSZT)及未掺杂的锆钛酸铅(PZT)薄膜样品。对不同掺杂情况的样品分别进行了压电系数、电滞回线、介电特性的测试。结果表明,双掺杂样品PLSZT薄膜具有比其他样品更好的铁电性能,其剩余极化强度(P_r)为13.2μC/cm~2,饱和极化强度(P_s)为28.4μC/cm~2,矫顽场(E_c)为54.8 kV/cm;双掺杂样品PLSZT薄膜的压电系数(d_(33))比其他3种样品高,达到153 pC/N。掺杂后的样品与未掺杂的样品相比,其介电常数有略微提高;单掺杂La的样品的介电特性在高频环境下更稳定。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年04期）
任一鸣,潘轩民,胡永红,薛丽,胡正龙[4]（2019）在《高压下黄铜矿CuInS_2的电子结构、弹性参数、热学和电学性质的第一性研究》一文中研究指出采用第一性原理方法,研究了高压下黄铜矿半导体CuInS_2的电子结构、弹性参数、热学和电学性质.研究结果表明CuInS_2是直接能隙半导体,其能隙值随着压强的增大而增大,能隙随压强变化的一阶系数值为54.31 meV/GPa;其弹性参数满足高压下的机械稳定性的条件,并且材料的韧性随着压强的增加而增强.基于弹性参数计算了体系的德拜温度和最小热导率,德拜温度随着压强的增大而逐渐减小,而最小热导率随着压强的增加而增大.通过对塞贝克系数和功率因子比弛豫时间的研究,发现增加压强和调节载流子的浓度可以改善CuInS_2的电学性能.(本文来源于《华中师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
陈雪娇[5]（2019）在《钙钛矿半导体的结构和电学性质研究》一文中研究指出卤族钙钛矿是具有钙钛矿结构化学式的一种半导体材料。根据是否包含有机分子离子可将卤族钙钛矿材料分为:有机无机,全无机卤族钙钛矿。该材料具有如下性质:丰富的晶体结构、高的吸收系数、长的载流子扩散距离、带隙可调、明显的自旋轨道耦合和缺陷容忍度等性质。因此,卤族钙钛矿半导体在太阳能芯片、光电探测器、发光二极管、激光以及自旋电子器件等方面具有广泛的应用和期望。然而,目前限制其在商业等领域应用的主要原因是较低的稳定性。此外,通过维度工程可实现全无机卤族钙钛矿材料不同于体块的新奇电学性质。针对以上问题,通过第一性原理密度泛函理论计算,本论文研究了全无机卤族混合钙钛矿材料的结构和电学性质、双层结构中Rashba效应和类石墨烯层状结构的线性色散能带关系,具体结果如下:(1)研究了不同组分比例x时CsPb(Cl_(1-x)Br_x)_3和CsPb(Br_(1-x)I_x)_3的结构和电学性质。首先,通过超胞方法构建不同卤族元素混合比例下的晶体结构模型,并计算其相应的形成能。理论计算结果显示:1,在卤族元素半径差异导致结构扭曲的情况下,该材料依然具有直接带隙特征;2,组分比例变化对光学弯曲参数没有明显影响;3,具有优良的双极输运特性;4,发现特定比例下相分解过程可能导致实验测量结果不匹配理论计算预测。我们的结果证实了基于卤族组分调节可实现高性能宽光谱无机卤族钙钛矿材料光电器件。(2)将空间反演对称性破缺和自旋轨道耦合相结合时,可打破自旋双重简并度实现Rashba效应。我们以双层CsPbBr_3立方相结构为例,发现外加垂直电场可实现Rashba自旋劈裂现象并调控其劈裂强度。发现在PbBr_2终端面时,由于表面弛豫造成价带能带序改变,在适当的电场内实现仅有n-type的能带劈裂。我们的结果说明无机卤族钙钛矿也可以用来制造自旋器件。(3)石墨烯材料为研究相对论量子力学提供了实验平台。其特殊的线性色散能带关系将显着的提高其光电等性能,如超高载流子迁移率。因此发现和探索新的类石墨烯材料将有助于促进二维材料家族的发展和提高相应器件性能。我们构建了(111)晶面双层无机卤族钙钛矿CsPbBr_3结构模型。发现其具有类石墨烯六角蜂窝状晶体结构。通过密度泛函理论计算,进一步证实在理论计算电学能带结构中具有类石墨烯的线性色散关系,在倒空间高对称点K附近可形成狄拉克锥。通过线性拟合求出其费米速度约为0.2×10~6 m s~(-1)。该理论数值仅比石墨烯中电子费米速度较小。此外,通过研究天然层状Cs_3Bi_2Br_9的晶体结构和能带结构也发现了相类似的线性能带结构。因此理论结果说明合理生长特定晶面的二维层状无机卤族钙钛矿样品将有助于观察新奇的物理现象和提高其电学性质,从而扩展卤族钙钛矿在器件方面的应用。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)》期刊2019-06-01）
张朋林[6]（2019）在《铟基氧化物薄膜晶体管的制备与电学性质研究》一文中研究指出进入21世纪以来,薄膜晶体管在可穿戴柔性电子,平板显示等显示领域得到了广泛的应用,其性能决定了这些显示器的分辨率和尺寸。目前,在市场上应用的非晶硅薄膜晶体管由于其迁移率低、稳定性差、光敏性强;多晶硅薄膜晶体管由于其表面均匀性差,成本高,这些都限制了它们在薄膜晶体管上的应用。与之相比较氧化物薄膜晶体管以其优异的电学性质,良好的光学透过率,可以实现大规模制备,成为了主流的薄膜晶体管材料。氧化铟(In_2O_3)是一种宽禁带氧化物半导体材料,具有良好的光学透过率,迁移率,从而受到了人们的广泛关注。本文采用溶胶凝胶法制备了以铟基氧化物作为沟道层的底栅顶薄膜晶体管(TFT),并研究了其性能,本文主要分为叁部分:(1)使用溶胶凝胶法,在SiO_2/Si衬底上制备In_2O_3薄膜晶体管。研究了In_2O_3薄膜的结构,形貌,光学和电学性能。从XRD图像中,发现In_2O_3薄膜呈现出结晶状态(沿(222)方向)。In_2O_3薄膜在可见光区透过率大于90%,光学带隙为Eg=3.54eV。在300℃制备的In_2O_3-TFT,具有较高的迁移率(μ=2cm~2V~(-1)s~(-1)),较大的阈值电压(V_(Th)=-18V)和亚阈值摆幅(10V/dec),以及较小的开关电流比(I_(on)/I_(off)=6×10~2)。(2)使用溶胶凝胶法,在SiO_2/Si衬底上制备锆掺杂氧化铟(IZrO)和铝掺杂氧化铟(IAO)薄膜晶体管。制备了不同浓度的Zr掺杂In_2O_3薄膜,并进行了薄膜表征,全部IZrO薄膜呈现结晶态,在可见光区透过率大于90%。在不同浓度的Zr掺杂中发现其在7%掺杂时具有良好的电学性质(I_(on)/I_(off)=3.84×10~4,V_(Th)=-4V,μ=0.02cm~2V~(-1)s~(-1))。我们又对IAO薄膜晶体管进行不同浓度,不同厚度的电学性质进行研究,发现在掺杂浓度为5%时,匀胶厚度为4层(24nm)时具有良好的电学性质I_(on)/I_(off)=2×10~5,V_(Th)=0V,μ=0.09cm~2V~(-1)s~(-1)。同时也探究了紫外(UV)照射协助退火处理对薄膜晶体管性质的影响,在对其进行UV处理时长为25min时具有良好的电学性质V_(Th)=-1.5V,μ=0.05m~2V~(-1)s~(-1),I_(on)/I_(off)=2×10~5,ΔV_(Th)=1.2 V,SS=0.25 V/dec。(3)使用溶胶凝胶法,在SiO_2/Si衬底上制备IAO/In_2O_3双层膜薄膜晶体管,并与单层IAO、In_2O_3薄膜晶体管进行了比较,我们获得了双层膜薄膜晶体管的迁移率(μ=1.1cm~2V~(-1)s~(-1))大于IAO-TFT的迁移率(μ=0.02cm2V~(-1)s~(-1)),稳定性(ΔV_(Th)=3.1V)大于In_2O_3-T FT的稳定性(ΔV_(Th)=6V)。而且还分析了In_2O_3薄膜的厚度对双层薄膜晶体管的性质以及稳定性的影响,实验结果表明In_2O_3薄膜厚度在6nm时,TFT的性能达到最佳其迁移率为1.2cm~2V~(-1)s~(-1),开关电流比为1.13×10~4,正向偏压为3.9V。(本文来源于《河南大学》期刊2019-06-01）
杨小霞,王守宇,李松钖,佟保远,尚玉雪[7]（2019）在《Ca_3Mn_2O_7薄膜的脉冲激光法制备及其电学性质》一文中研究指出为了验证Ca_3Mn_2O_7薄膜铁电性的存在,采用脉冲激光沉积法制备了Ca_3Mn_2O_7薄膜,分别利用X线衍射仪、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和压电力显微镜(PFM)对不同压强下制备所得样品进行结构表征、表面形貌表征和电学性质分析.分析结果表明:30 Pa的氧气压最有利于较高质量薄膜的生长.利用PFM对其进行电学性质测试,实现了点状区域铁电畴相位回线和振幅"蝴蝶"曲线的表征以及面状区域内外加电场调控铁电极化方向的改变,验证了理论预测的CMO中铁电性的存在.(本文来源于《天津师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
刘卫来[8]（2019）在《低维WTe_2和GaTe材料的微纳器件加工及其电学和光学性质研究》一文中研究指出近年来,低维材料的物理性能研究在国内外掀起了热潮。尤其是在以石墨烯、过渡族金属硫化物、黑磷、硒化铋等为代表的层状材料中,涌现了一批新颖的物理特性。其中WTe2作为过渡族金属硫化物的一员,由于具有非饱和磁电阻、高压下出现超导、线性磁电阻、各向异性磁电阻而备受关注,GaTe因为具有非常高的光响应速率、大小适宜的带隙和良好的输运特性等特点,从而在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。但是无论是WTe2还是GaTe都有较明显的环境不稳定性,这无疑制约了他们在电子和光电领域的应用。通过助溶剂的方法成功制备出WTe2的块体材料,表征了块体性能。并通过机械剥离得到了少数层和单层材料,基于此成功制备了 WTe2的纳米器件,并进行了一系列低温输运性能测试。研究发现,WTe2的场效应曲线表明其具有微弱的门电压可调性,缺陷在少数层WTe2纳米器件中会诱发金属-绝缘体转变,并伴随磁电阻从抛物线到线性再到弱反局域化的转变。通过对其微分电阻测试发现,少数层WTe2纳米器件在低温下会出现库仑带隙,并且该库仑带隙会受温度及磁场的调控。利用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜以及拉曼光谱仪系统地研究了少数层的WTe2纳米片的环境不稳定性,揭示四层的WTe2纳米片在空气中的性能的保持时间为62分钟。进一步对WTe2随厚度、温度、激光波长变化进行了拉曼光谱的测试,结果证明在该系统中并不存在强烈的电子-声子耦合或者声子-声子耦合。此外,利用高分辨透射电镜,对新鲜剥离的少数层WTe2薄片以及该样品在空气中200 ℃加热5分钟后进行对比,发现新鲜样品具有明显的晶格特征,加热后薄区出现非晶化现象,但前后的能量色散谱表明,样品都不含氧元素,排除了氧气或者水与样品发生反应的可能性。从而首次阐明了WTe2奇特的磁电阻和缺陷之间的关系。成功制备出高质量的单斜结构的GaTe块体材料,在实验上观测到单层及双层GaTe的拉曼光谱。光致发光谱的研究发现GaTe块体的能隙为1.655 eV,且随着入射激光能量的增大,GaTe块体的能隙逐渐减小,少数层的能隙比块体材料要大,在1.675 eV左右。系统的研究了随层数变化的拉曼光谱,同时利用偏振拉曼初步表征了 GaTe的面内各向异性,结果表明在GaTe当中存在明显的面内光学各向异性。对覆盖有BN保护样品的器件的电学测试发现,GaTe显示典型的p型半导体特征,相比于没有覆盖保护层的曲线,数据变得平滑且电流密度大大提高。Ⅳ曲线呈现非常好的线性关系,符合欧姆定律的描述,说明存在良好的欧姆接触。这些基于GaTe的光学以及电学的研究为其在光电领域的应用提供了很好的指引作用。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-24）
秦丙克,籍永华,白志玲,黄润,张金柱[9]（2019）在《固相反应法快速制备FeSb_2及其电学性质研究》一文中研究指出采用高温固相反应法,在773～923 K的温度范围内考察了FeSb_2的生成规律。制备出的样品进行了XRD和SEM分析,并对样品的电阻率和Seebeck系数进行了测试分析,结果表明:在温度883 K保温3 h的制备条件下,可以合成单相的多晶体化合物FeSb_2。制备出的样品内部存在不均匀的微米级孔洞。样品在测试温度为511. 63 K时获得最大的Seebeck系数36. 34μV/k,在453. 72 K时获得最大功率因子188. 68μW/(m·K~2)(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2019年05期）
吕常伟,王臣菊,顾建兵[10]（2019）在《高温高压下立方氮化硼和六方氮化硼的结构、力学、热力学、电学以及光学性质的第一性原理研究》一文中研究指出本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势和局域密度近似方法,优化了立方和六方氮化硼的几何结构,系统地研究了零温高压下立方和六方氮化硼的几何结构、力学、电学以及光学性质.结构与力学性质研究表明:立方氮化硼的结构更加稳定,两种结构的氮化硼均表现出一定的脆性,而六方氮化硼的热稳定性则相对较差;电学性质研究表明:立方氮化硼和六方氮化硼均为间接带隙半导体,且立方氮化硼比六方氮化硼局域性更强;光学性质结果显示:立方氮化硼和六方氮化硼对入射光的通过性都很好,在高能区立方氮化硼对入射光的表现更加敏感.此外,还研究了高温高压下立方氮化硼的热力学性质,并得到其热膨胀系数、热容、德拜温度和格林艾森系数随温度和压力的变化关系.本文的理论研究阐述了高压下立方氮化硼和六方氮化硼的相关性质,为今后的实验研究提供了比较可靠的理论依据.(本文来源于《物理学报》期刊2019年07期）
电学性质论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用热蒸发技术在衬底温度为室温的硅衬底、氧化铟锡衬底和石英衬底上制备了红荧烯与氧化钼的混合薄膜.将两种材料放置于不同的坩埚中,通过控制蒸发源的温度来控制混合比例,制备了不同比例的混合薄膜.通过原子力显微镜对混合薄膜的表面形貌进行了测量,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,薄膜表面的平整度最好;通过X射线衍射分析对混合薄膜的结晶性进行分析,发现不同浓度的混合薄膜均表现出非晶态特征.通过PL谱和吸收光谱研究了不同比例的混合薄膜的光学性质,从光致发光谱可以发现:混合薄膜在近红外区域有显着吸收,说明红荧烯在氧化钼诱导下产生中间能级,形成电荷转移络合物.从吸收谱知:除4:1外,其他比例的混合薄膜具有几乎相同的吸收峰.根据Tauc方程计算了混合薄膜的光学带隙,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,混合薄膜的带隙最窄(-2.23 eV).制备了结构为Al/rubrene:MoO_3/ITO的器件,测试了J-V特性,研究了混合薄膜的电学性质.发现当混合比例为4:1和2:1时,混合薄膜与金属电极的接触表现为欧姆接触.本研究显示出红荧烯和氧化钼的混合薄膜在近红外区域有潜在的应用前景,也为红荧烯和氧化钼的混合薄膜在有机光电器件的应用提供了基础.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电学性质论文参考文献
[1].王春杰,王月,高春晓.高压下金红石相TiO_2的晶界电学性质[J].物理学报.2019
[2].李瑞东,邓金祥,张浩,徐智洋,潘志伟.Rubrene∶MoO_3混合薄膜的制备及光学和电学性质[J].物理学报.2019
[3].李伟,郑伟,丁长路,张宏宇.La和Sr的掺杂对PZT薄膜电学性质的影响[J].压电与声光.2019
[4].任一鸣,潘轩民,胡永红,薛丽,胡正龙.高压下黄铜矿CuInS_2的电子结构、弹性参数、热学和电学性质的第一性研究[J].华中师范大学学报(自然科学版).2019
[5].陈雪娇.钙钛矿半导体的结构和电学性质研究[D].中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所).2019
[6].张朋林.铟基氧化物薄膜晶体管的制备与电学性质研究[D].河南大学.2019
[7].杨小霞,王守宇,李松钖,佟保远,尚玉雪.Ca_3Mn_2O_7薄膜的脉冲激光法制备及其电学性质[J].天津师范大学学报(自然科学版).2019
[8].刘卫来.低维WTe_2和GaTe材料的微纳器件加工及其电学和光学性质研究[D].中国科学技术大学.2019
[9].秦丙克,籍永华,白志玲,黄润,张金柱.固相反应法快速制备FeSb_2及其电学性质研究[J].硅酸盐通报.2019
[10].吕常伟,王臣菊,顾建兵.高温高压下立方氮化硼和六方氮化硼的结构、力学、热力学、电学以及光学性质的第一性原理研究[J].物理学报.2019