全文摘要
本实用新型实施例公开了一种量子点发光二极管，包括：基底；形成在基底上的阳极；形成在阳极上的空穴传输层；形成在空穴传输层上的多量子阱层，多量子阱层包括至少两层势垒层和比势垒层的层数少一层的发光层，势垒层和发光层间隔层叠设置，空穴传输层紧邻势垒层；形成在多量子阱层的电子传输层，紧邻多量子阱层中的势垒层；形成在电子传输层上的阴极。本实用新型实施例提供的技术方案，通过势垒层将载流子更好的限制在发光层中复合发光，从而提高了量子点发光二极管的发光效率。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201921091313.7
申请日:2019-07-12
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:94(深圳)
授权编号:CN209912898U
授权时间:20200107
主分类号:H01L51/50
专利分类号:H01L51/50;H01L51/56
范畴分类:38F;
申请人:南方科技大学
第一申请人:南方科技大学
申请人地址:518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
发明人:王恺;孙小卫;郑凡凯;李晨昊;刘皓宸
第一发明人:王恺
当前权利人:南方科技大学
代理人:孟金喆
代理机构:11332
代理机构编号:北京品源专利代理有限公司 11332
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计
标签：发光二极管论文; 量子点发光二极管论文; 传输层论文; 量子阱论文;