论文摘要
本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×10-4,常温热导率为186W/（m·K）;同时研制出了热导率为192W/（m·K）的氮化铝陶瓷。完成了AlN的陶瓷-金属封接工艺,封接件抗拉强度大于78 MPa,制备了AlN陶瓷输能窗,钎焊后的AlN陶瓷-金属封接件及输能窗检漏结果均气密,氦漏率小于1×10-11 Pa·m3/s。本文研制的AlN陶瓷及封接工艺不但满足输能窗用介质材料的性能要求,还可以应用于微波管收集极及夹持杆等方面。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 杨艳玲,鲁燕萍,王松
关键词: 陶瓷,输能窗,介电性能,热导率
来源: 真空电子技术 2019年05期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工,金属学及金属工艺,无线电电子学
单位: 北京真空电子技术研究所
基金: 装备预先研究资助项目(31512010502-1)
分类号: TN124;TQ174.1;TG454
DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2019.05.11
页码: 58-61
总页数: 4
文件大小: 245K
下载量: 42
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